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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法-CN202310856113.0在审
发明人：郑齐文;崔江维;李豫东;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米工艺晶体管总剂量辐射效应在线测试方法，属于半导体器件抗辐射性能测试技术领域，包括辐照前转移特性曲线测试、辐照前阈值电压提取、辐照偏置条件确定、在线辐照测试、漏端电流与阈值电压关系的提取解决了纳米工艺晶体管总剂量辐射效应测试存在的辐射损伤信息量少，不能获得参数随辐照的连续变化的不足。
一种纳米工艺晶体管剂量辐射效应在线测试方法

[发明专利]一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件-CN202310599805.1在审
发明人：杨树;韩在天;龙世兵 -专利权人：中国科学技术大学;杨树
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件，所述平面型氮化镓功率器件自下而上包括衬底、第一半导体层与第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别设有源极与漏极，在第二半导体层靠近源极处设有第三半导体盖帽层，所述第三半导体盖帽层上设有栅极；所述源极的附近设有第二源极以形成混合源极，所述混合源极淀积到所述第二半导体层内部并在侧壁和底部形成金半接触，用于抽取辐照感生过剩空穴，削弱栅极下方区域空穴的累积。本发明能够有效降低辐照后引起的瞬态电流以避免器件的单粒子烧毁，提高HEMT器件的抗辐照能力，能够使辐照后原本需要较长时间复合的栅极下方空穴更有效复合。
一种具有粒子效应能力平面氮化功率器件

[发明专利]一种增强聚氨酯纤维抗氧化能力的方法-CN201711364039.1在审
发明人：周建;颜玉荣 -专利权人：苏州浩洋聚氨酯科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： D06M11/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强聚氨酯纤维抗氧化能力的方法，包括以下步骤：在索氏萃取器中，将聚氨酯纤维采用无水乙醚进行虹吸循环清洗后放入干燥箱中干燥直至聚氨酯纤维表面的乙醚去除，得到预处理后聚氨酯纤维；将预处理后的聚氨酯纤维在低温电晕辐照设备中处理，得到低温电晕辐照改性的聚氨酯纤维；制备得到抗氧溶液；将低温电晕辐照改性聚氨酯纤维放置抗氧溶液中浸泡后取出，用去离子水下清洗，放入干燥箱中干燥即得。本发明的增强聚氨酯纤维抗氧化能力的方法可以在聚氨酯纤维成型后对其进行一系列的改性从而增强其抗氧化性。
聚氨酯纤维抗氧化能力电晕辐照预处理干燥箱氧溶液放入改性改性聚氨酯纤维索氏萃取器抗氧化性无水乙醚循环清洗去除乙醚制备成型浸泡离子清洗取出

[发明专利]一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构-CN202210147022.5在审
发明人：杨强;谢儒彬;陈全胜;张明;葛超洋;吴建伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构，属于雪崩光电二极管领域。在P‑雪崩区、N+有源区的两侧引入Trench隔离结构，并在Trench隔离结构边缘的Si内进行抗辐照加固注入。Trench隔离结构可阻断辐照引起的漏电通道，提高了硅基APD器件抗辐照能力；另一方面，Trench隔离结构可隔离掉常见APD器件中N保护环与P外围环结构，使得器件结构更简单、尺寸更小，一片晶圆上可得到更多器件
一种辐照雪崩光电二极管制备方法结构

[实用新型]一种氯化乙烯高温阻燃辐照交联电焊机电缆-CN201220115623.X有效
发明人：吴海涛;陈彦梅;吴嫱 -专利权人：北京市重型电缆厂
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01B9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电缆领域，涉及一种氯化乙烯高温阻燃辐照交联电焊机电缆及其制造方法，该电焊机电缆性能成本优于现有电焊机电缆。电缆结构为：1、铜线复绞软导体 2、阻燃云母带层 3、乙丙橡胶绝缘层 4、氯化乙烯高温阻燃辐照交联层。其工艺加工过程：①铜线复绞软导体；②纵包阻燃云母带；③乙丙橡胶绝缘挤出；④氯化乙烯高温阻燃辐照交联挤出。氯化乙烯高温阻燃辐照交联电焊机电缆具有阻燃、耐高温、抗臭氧、抗紫外线、耐水蒸汽、抗微生物、短时过载能力强、寿命长、耐磨、耐油、防腐、高抗拉性、成本低等优点，性能优于传统电焊机电缆，是传统电焊机电缆的替代产品
一种氯化乙烯高温阻燃辐照交联电焊机电缆

[发明专利]光电器件及其制备方法-CN202111664757.7在审
发明人：洪佳婷;敖资通;芦子哲;贺晓光;黄盼宁 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：光电器件的制备方法包括以下步骤：提供一含有底电极的衬底；在底电极上制备结构层，结构层包括电子功能层，对电子功能层进行α射线辐照。本申请通过采用具有高能量但穿透能力极低的α射线对电子功能层进行辐照，α射线的电离辐射造成电子功能层的表面效应，能达成电子功能层损伤退火的目的，降低光电器件驱动时的电子注入能力，促进器件内部电荷平衡，从而提高器件的效率和工作寿命，同时也能降低对光电器件的损伤。
光电器件及其制备方法

[发明专利]一种基于模式生物秀丽隐杆线虫的抗衰老评价方法与应用-CN201711045035.7在审
发明人：郭新波;王怀玲;刘瑞海 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： A61K49/00 文献下载
摘要：主要通过检测秀丽隐杆线虫的寿命，热应激能力，抗紫外辐照能力，抗氧化损伤能力，繁殖力，身体长度以及脂褐素含量来进行评价。
一种基于模式生物秀丽线虫衰老评价方法应用

[发明专利]包壳材料／纳米晶／碳纳米管复合结构材料及其制备方法-CN201911185896.4在审
发明人：邰凯平;毛鹏燕;崔刊;乔吉祥;赵洋;康斯清 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G21F1/12 文献下载
摘要：本发明属于复合材料和抗辐照损伤材料领域，具体为一种包壳材料/纳米晶/碳纳米管复合结构材料及其制备方法。该复合材料包括：自支撑CNTs为基体，在其表面均匀附着纳米晶及高温热稳定的包壳材料。该复合材料具有高密度纳米线结构，较高的电导率，良好的抗辐照性能、高温热稳定性、化学稳定性和柔性弯曲性能可大面积制备，铺展在具有任意曲率的物体表面。本发明用于中高温度下工作的电子器件和传感器材料等，也能作为保护层材料应用于辐照损伤领域。
材料纳米复合结构及其制备方法

[发明专利]一种估算集成电路辐照效应的方法-CN201010275725.3无效
发明人：薛守斌;王思浩;谭斐;安霞;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法，属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤：A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式：Qtrap∝δT2STID，其中Qtrap是STI中俘获的电荷，TSTI寄生晶体管有效的栅氧厚度，D是辐照剂量，δ为拟合系数，得到寄生晶体管的漏电流，从而估算出整个集成电路的辐照效应。本发明可通过电路仿真，预测辐照损伤对集成电路的影响，同时也可以预测电路的敏感节点，进而为电路的抗辐照加固技术给予指导，并且可以降低实验成本。
一种估算集成电路辐照效应方法

[发明专利]用于元器件电离辐照的X射线辐照方法-CN201610516217.7有效
发明人：李豫东;于刚;于新;何承发;文林;郭旗 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： G21K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的基础支撑能力具有重要意义。
用于元器件电离辐照射线方法

[发明专利]一种提高Inconel690合金传热管抗应力腐蚀能力的方法-CN201010556105.7有效
发明人：邓化凌;宋云京;岳增武;刘爽;肖世荣 -专利权人：山东电力研究院
申请日： 2010-11-11 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C25D5/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高Inconel690合金传热管抗应力腐蚀能力的方法。它可使传热管的抵抗应力腐蚀的能力得到大幅度提高。它先在Inconel690合金传热管表面进行电镀铬工艺进行镀铬，然后采用激光辐照方法对镀铬层进行表面强化处理，从而提高Inconel690合金传热管的抗应力腐蚀能力。
一种提高 inconel690 合金传热应力腐蚀能力方法

[发明专利]双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法-CN202010735183.7在审
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01N23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态；根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
双极晶体管电离损伤敏感部位检测方法

[发明专利]评估核电站反应堆压力容器中子辐照损伤的方法和装置-CN201710621020.4在审
发明人：束国刚;李承亮;许洪朋;陈骏;段远刚;刘飞华;冉小兵;邓小云 -专利权人：深圳中广核工程设计有限公司;中广核工程有限公司;中国广核集团有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G21C17/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种评估反应堆压力容器中子辐照损伤的方法和装置，通过测得反应堆压力容器钢的初始电阻率和实时获取任意时间点的所述反应堆压力容器钢中子辐照损伤后的电阻率来计算反应堆压力容器钢中子辐照损伤注量；并根据所述反应堆压力容器钢中子辐照损伤注量分析评估所述反应堆压力容器的辐照损伤度该方法和装置经济、环保、安全、高效，能实时监控反应堆压力容器多个部位以及某些特定部位的辐照损伤程度。
评估核电站反应堆压力容器中子辐照损伤方法装置

[发明专利]一种监控核电站反应堆压力容器辐照损伤的方法和装置-CN201610614794.X有效
发明人：束国刚;李承亮;陈骏;刘飞华;邓小云;段远刚 -专利权人：中广核工程有限公司;中国广核集团有限公司
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G21C17/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控反应堆压力容器辐照损伤的方法和装置，通过测得反应堆压力容器钢的初始电阻率和实时获取任意时间点的所述反应堆压力容器钢辐照损伤后的电阻率来计算所述反应堆压力容器钢辐照损伤后电阻率的变化率；并根据所述辐照损伤后电阻率的变化率获得所述反应堆压力容器钢在辐照损伤中的宏观力学性能参数的变化情况；进而依据所述宏观力学性能参数分析评估所述反应堆压力容器的辐照损伤度。该方法和装置经济、环保、安全、高效，能实时监控反应堆压力容器多个部位(包括特定部位)的辐照损伤程度。
一种监控核电站反应堆压力容器辐照损伤方法装置

[发明专利]抗辐射加固辅助供电电路及方法-CN202111546448.X有效
发明人：程铭;付鹏;陈立川;张纯亚 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗辐射加固辅助供电电路及方法，所述抗辐射加固辅助供电电路包括抗辐射级联放大供电模块和伽马瞬时剂量率保护模块。在本发明中，通过抗辐射级联放大供电模块对输入电压进行级联放大，并向后级负载输出供电电压和供电电流，基于级联放大的结构设计，电流增益高，即使有中子辐射的影响，供电电流和供电电压依然很稳定，有效提高了其抗中子辐射能力；通过与抗辐射级联放大供电模块输出端连接的伽马瞬时剂量率保护模块，在伽马瞬时剂量率辐照时下拉供电电压，在伽马瞬时剂量率辐照消除时还原供电电压，能有效避免后级负载如PWM控制器在伽马瞬时剂量率辐照时的结构及功能失效问题
辐射加固辅助供电电路方法

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