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[发明专利]一种筛选抗辐射的核苷酸的方法-CN201110213527.9无效
发明人：程翠林;王振宇;赵海田;姚磊 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种筛选核苷酸的方法，尤其是涉及一种筛选抗辐射的核苷酸的方法。本发明筛选最佳辐照防护作用的5′-核苷酸：选取淋巴液作为辐照对象，采用四唑盐(MTT)比色法，通过检测辐照组、未辐照组以及加入核苷酸样品组的活细胞数，确定4种核苷酸中辐照能力较强的5′-核苷酸。因此，本发明具有如下优点：具有良好辐射防护效果的合成及天然辐射防护剂，具有良好的抗辐射效果。因此，本发明具有如下优点：能对4种核苷酸的抗电离辐射作用进行初步筛选，选定抗电离辐射作用较好的5′-腺苷酸对辐射造成机体抗氧化指标的测定和评价进行分析。
一种筛选辐射核苷酸方法

[发明专利]一种半导体激光器抗辐照损伤能力的无损预估系统及方法-CN202310524742.3有效
发明人：曹军胜;王双争;于松群 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明涉及半导体激光器的检测技术领域，具体提供一种半导体激光器抗辐照损伤能力的无损预估系统及方法，包括单片机控制模块、电源系统模块、激光器驱动模块、D/A转换模块、A/D采样模、端电压检测模块、光电检测模块光电检测模块及串口通讯模块集成在PCB板上；半导体激光器通过四线连接法与PCB板上的激光器驱动模块和端电压检测模块连接，串口通讯模块通过USB转串口线与计算机连接；优点在于：有效、无损的筛选，真实、全面地反映出器件的辐照损伤结果
一种半导体激光器辐照损伤能力无损预估系统方法

[发明专利]一种筛选核电反应堆压力容器合金耐辐照材料的方法-CN202110028436.1在审
发明人：沙刚;孔洋;薛晶;胡蓉;靳慎豹 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明属于材料抗辐照损伤领域，具体涉及一种筛选核电反应堆压力容器合金耐辐照材料的方法。包括如下步骤：步骤(1)：激光重熔制备具有晶粒尺寸梯度的核电反应堆压力容器合金材料；步骤(2)：对步骤(1)制备的材料侧面抛光进行辐照实验；步骤(3)：对辐照后的材料，选择不同晶粒尺寸的区域，利用显微硬度仪、纳米压痕仪、进行力学性能测试，同时利用聚焦离子束对对辐照前与后材料进行微观结构的表征；进行扫描电镜、透射电镜和三维原子探针分析。本发明可以实现一块样品具有大尺度晶粒尺寸(2‑100um)梯度变化范围同时具有非常大的梯度层(500um)，进而探究不同晶粒尺寸对辐照的影响，提高筛选抗辐照的材料效率。
一种筛选核电反应堆压力容器合金辐照材料方法

[发明专利]全能谱中子辐照损伤精确模拟系统及其算法-CN201710434233.6有效
发明人：邹俊;吴宜灿;胡丽琴;郝丽娟;尚雷明 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G21C17/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种全能谱中子辐照损伤精确模拟系统，该系统主要包括辐照损伤核数据模块、高能物理核反应模块以及辐照损伤计算模块。本系统的算法包括以下步骤：第一步输入中子通量、材料成分或者选择固定的辐照环境；第二步，将中子通量、材料成分数据输入辐照损伤核数据以及高能物理核反应模块，进行辐照损伤截面调用与计算，生成指定核素全能谱的中子辐照损伤DPA及气体产生截面；第三步，根据第二步调用或计算的中子辐照损伤截面，输入到辐照损伤计算模块，结合材料的辐照时间以及中子通量、材料成分，实现在任意辐照环境下的全能谱中子辐照损伤精确计算。本发明所涉及的系统可以充分满足多种核能系统的辐照损伤计算与模拟。
全能中子辐照损伤精确模拟系统及其算法

[发明专利]一种HfO2基铁电材料的使用方法-CN201611033497.2在审
发明人：毕磊;黄飞;王艳 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了的HfO2基铁电材料使用方法，基于HfO2基铁电材料具有极强的抗辐照能力，在辐照环境下可以保证器件长时间的正常运行。因此可应用于核工业、航天以及核医疗业此类高辐射环境的极端工作环境。对发展具有抗辐照能力的非易失性铁电存储器及其在航空航天、核工业、医疗业等行业的应用具有重要的意义。
一种 hfo2 基铁电材料使用方法

[发明专利]一种高可靠单轴冗余光纤陀螺惯测系统-CN201611092109.8有效
发明人：向政;汤梦希;魏垚;刘朝阳;曾勇超;薛彬 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G01C21/18 文献下载
摘要：可以解决特定方向上的姿态敏感器的高可靠问题；采用适当的标定技术可以实现与陀螺仪相当的精度，绝对误差小于3×10^‑5°/s，相对误差小于5×10^‑4；采用高抗辐照能力芯片的陀螺仪和具有抗辐照加固片的结构设计，有效提高了产品的抗辐照能力。
高可靠冗余光纤陀螺仪陀螺单轴光纤陀螺惯测系统惯性测量单元抗辐照加固抗辐照能力姿态敏感器发生故障辐照能力绝对误差冗余测量相对误差敏感轴标定高抗芯片

[发明专利]一种缺陷诱导激光损伤动态行为中引入的应力波辨识方法-CN202310613575.X在审
发明人：陈明君;丁雯钰;赵林杰;程健;刘志超;汪圣飞;许乔;胡健睿;陈广;雷鸿钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种缺陷诱导激光损伤动态行为中引入的应力波辨识方法，属于工程光学技术领域。为解决现有探究KDP晶体在激光损伤过程中的力学响应时，未考虑多种应力波间相互影响，难以构件应力波与损伤关联的问题。基于损伤动力学有限元方法模型确定激光辐照下诱导产生的四种应力波，建立KDP晶体材料内部纵波以及头波波速的特征方程，联立剪切波和瑞利波波速的表达式，求解剪切波和瑞利波波速。能够实现对应力波的精准辨识，可直观地揭示不同形态、不同特征的应力波对激光损伤扩展的影响机制和程度，描述不同应力波之间相互作用而产生的损伤，有助于提升KDP晶体光学元件加工表面的抗激光损伤能力。
一种缺陷诱导激光损伤动态行为引入应力辨识方法

[发明专利]一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法-CN202111530295.X在审
发明人：汪波;秦林生;马林东;刘伟鑫;江芸;孔泽斌;祝伟明;楼建设;王昆黍 -专利权人：上海精密计量测试研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子位移损伤的方法，其特征在于，包括第一步，选取偶数只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为两组，计算A组、B组暗电流初值的平均值；第二步，对A组CMOS图像传感器分别进行70MeV质子辐照试验；第三步，取A组中一只器件对其进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算电离能损；第五步，对B组的CMOS图像传感器分别进行60Co‑γ射线辐照试验；第六步，计算空间质子位移损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第七步，拟合△μi‑Fi的变化曲线；第八步，得到定量的空间质子位移损伤本发明消除电离损伤的影响、定量评价质子位移损伤，结合航天器轨道、倾角、发射年份预估器件抗质子位移损伤能力是否满足要求，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
一种基于 cmos 图像传感器电流定量质子位移损伤方法

[发明专利]一种星敏感器光电探测器抗辐照性能的定量检测装置及方法-CN201610949099.9在审
发明人：闫晓军;王燕清;马英超;胡雄超;唯乐思 -专利权人：上海航天控制技术研究所
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种星敏感器光电探测器抗辐照性能的定量检测装置及方法，通过辐照试验系统在低剂量率的情况下使用60Co‑γ辐射源对光电探测器进行辐照试验；通过移位测试系统将辐照过的光电探测器移出辐照环境，完成图像的采集和图像参数的计算本发明通过为探测器的正常工作提供合适的驱动时序，以可变光源提供不同的光照强度，由积分球模拟均匀光源，采用Camera link接口对探测器输出图像实时采集，采用光电参数解算单元进行光电参数的计算、辐照前后试验数据的比对，快速准确地实现对探测器抗辐照能力的定量评价。
一种敏感光电探测器辐照性能定量检测装置方法

[发明专利]一种基于离子注入的双极工艺芯片抗电离辐射加固方法-CN202310706680.8在审
发明人：孟德超;张光辉;杨萍;周航;刘杨;钟乐;周泉丰 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于离子注入的双极工艺芯片抗电离辐射加固方法，包括：获得敏感位置，减薄芯片电路指定电路或指定区域的钝化层，和/或减薄金属层的厚度，获得结构优化器件；对所述结构优化器件进行离子注入；退火处理修复离子注入造成的损伤本发明基于晶体管器件结构设计优化，以显著降低待注入离子的射程，器件的抗辐照能力显著提高，利用商业化离子注入设备，开展双极工艺芯片指定器件(敏感)或指定器件区域氧化硅层特异化离子注入，进而实现电子芯片抗电离辐射加固工艺低成本
一种基于离子注入工艺芯片电离辐射加固方法

[发明专利]一种高温环境离子束辐照实验装置-CN201711006605.1有效
发明人：李锦钰;张桐民;刘会平;康龙;董毅;阎佐健 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于聚变堆材料、核能材料、民用材料的抗损伤程度及辐照能力的设备技术领域，尤其是涉及一种高温环境离子束辐照实验装置。其通过对重离子高温辐照靶室改进，达到提高效率、扩大温区、完善动态测量的目的。
一种高温环境离子束辐照实验装置

[实用新型]一种高温环境离子束辐照实验装置-CN201721383179.9有效
发明人：李锦钰;张桐民;刘会平;康龙;董毅;阎佐健 -专利权人：中国科学院近代物理研究所
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于聚变堆材料、核能材料、民用材料的抗损伤程度及辐照能力的设备技术领域，尤其是涉及一种高温环境离子束辐照实验装置。其通过对重离子高温辐照靶室改进，达到提高效率、扩大温区、完善动态测量的目的。
靶室离子束辐照高速分子高温环境实验装置台架设备技术领域本实用新型冷却水进口挡板辐照动态测量法拉第筒辐照能力核能材料加热组件民用材料取样窗口样品传递有机械泵照明装置真空电磁靶组件波纹管充气阀电离规电阻规放气阀机械泵聚变堆抗损伤样品库重离子风冷水冷温区荧光观察改进

[发明专利]一种抗总剂量的CMOS运算放大器-CN201910396605.X在审
发明人：廖永波;范天龙;李平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明属于集成电路领域，尤其涉及抗辐照集成电路技术研究领域。随着空间技术以及核工程技术的快速发展，越来越多的CMOS运算放大电路不可避免地应用于辐射环境中并受到各种辐射效应的影响，为了保证CMOS运放的可靠性和性能，抗辐照加固技术的研究始终面临着严峻的挑战。本发明以一种抗总剂量CMOS器件为基础，设计出一种抗总剂量CMOS运算放大电路，在运放的每条支路接地NMOS晶体管使用提出的抗总剂量器件，保证每条支路的总漏电流最小。对运放的尾电流源使用抗总剂量NMOS器件，保证运放的带宽和增益在总剂量辐照前后变化最小。这样得到的抗总剂量CMOS运算放大电路抗辐照能力相比传统的非抗总剂量CMOS运放明显提高。
总剂量运放运算放大电路支路核工程集成电路技术集成电路领域抗辐照加固抗辐照能力总剂量辐照辐照辐射环境尾电流源接地空间技术传统的漏电流保证带宽辐射研究应用挑战

[发明专利]一种抗辐照多栅器件及其制备方法-CN201711406569.8有效
发明人：武唯康;杜克明;王明;刘长龙;魏恒;郝亚男;许仕龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗辐照多栅器件及其制备方法，属于集成电路辐射效应技术领域。本发明可以提高器件抗单粒子辐照的能力，具有优越的抗辐照性能。
一种辐照器件及其制备方法

[发明专利]基于预载程序动态信号检验的STM32总剂量效应测试方法-CN202011130277.8有效
发明人：梁润成;陈法国;郭荣;李国栋;韩毅;杨明明 -专利权人：中国辐射防护研究院
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：所述测试方法基于测试系统进行，所述测试系统包括载有STM32芯片的最小电路，用于信号传输的通讯模块和用于接收信号的上位机；预载程序包含信号处理校验、存储校验和通信校验功能；测试方法包括如下步骤：布置测试系统、辐照前参数校验、辐照及在线功能监测、辐照结束、辐照后参数校验、损伤分析。本发明提供的测试方法一方面通过构建最小系统得出芯片在实际运行工况下的辐照损伤剂量，另一方面通过预载程序的多种动态信号检验功能对芯片内部各个器件的工作状态进行监控，得出STM32芯片具体的辐照失效模式和内部各器件的耐辐照能力高低
基于程序动态信号检验 stm32 剂量效应测试方法