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[发明专利]圆片级MEMS微流道的制造方法-CN200710190226.2无效
发明人：黄庆安;柳俊文;唐洁影;尚金堂 -专利权人：东南大学
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开一种圆片级MEMS微流道的制造方法，包括以下步骤：利用微加工工艺在双面抛光Si圆片上制造微流道图形结构，将上述Si圆片与相同尺寸的Pyrex7740玻璃圆片进行密封键合使微流道图形结构密封形成密封真空腔体，将上述键合好的圆片在一个大气压下加热，保温，所述密封真空腔体内、外压差使软化后的玻璃形成与上述微流道图形结构相应的结构，冷却，将上述圆片在常压下退火消除应力，将上述经过退火的圆片的玻璃面与另一抛光Si圆片或玻璃圆片进行键合，形成圆片级的MEMS微流道。本发明可形成具有原始抛光表面粗糙度的Pyrex7740玻璃微流道系统，有效的提高了MEMS微流体系统中流体的流速。
圆片级 mems 微流道制造方法

[发明专利]一种基于机械移动的可调谐超材料结构及其制作方法-CN201710476791.9有效
发明人：王军;梁恺;杜培甫;朱瑶瑶;苟君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及红外及太赫兹波段的调制器与探测器技术领域，尤其公开了一种基于机械移动的可调谐超材料结构及其制作方法，包括：固定图形结构、超材料结构、固定盒以及微位移控制器；固定盒包括顶端开口、在第一侧面开孔的框架，超材料结构放置于所述固定盒内，固定图形结构嵌入固定盒的顶端开口进行固定，微位移控制器包括U型框架和U型框架一端的螺旋测微器，U型框架另一端固定于固定盒外侧的第二侧面，螺旋测微器的旋转轴与超材料结构相接触，螺旋测微器通过旋转轴控制超材料结构沿固定盒的第一侧面、第二侧面相对的方向移动，使得固定图形结构和超材料结构产生相对微位移，实现对超材料的谐振峰频进行调制或吸收。
一种基于机械移动调谐材料结构及其制作方法

[发明专利]制备微纳米柱发光二极管的方法-CN201210579063.8无效
发明人：安铁雷;孙波;孔庆峰;魏同波;段瑞飞 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备微纳米柱发光二极管的方法。该方法包括：在发光二极管外延片上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模；采用物理刻蚀的方式，将周期结构图形掩模转移至发光二极管外延片，形成微纳米柱；在发光二极管外延片上微纳米柱的间隙填充中间绝缘介质；去除发光二极管外延片上周期结构图形掩模，以及在填充中间填充绝缘介质的发光二极管外延片上制作电极，形成微纳米柱发光二极管。本发明采用周期性的图形化掩模，刻蚀得到相同大小的结构空隙，从而在填充绝缘介质时，尽可能的保证绝缘介质的填充均匀，从而解决了正反向漏电大的技术问题。
制备纳米发光二极管方法

[实用新型]用于超高真空互联装置中的掩模版-CN201720713804.5有效
发明人：吴翠艳;王荣新;钟耀宗;朱文清;丁孙安 -专利权人：上海大学;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于超高真空互联装置中的掩模版，包括一个以上图形化三维微通孔结构，所述图形化三维微通孔结构与所需二维图形相对应，并用以在超高真空环境中进行图形化转移。本实用新型提供的掩模版能有效解决高真空环境下图形转移的问题；并且所述掩膜版结构简单、价格低廉，制备工艺简单，使用方便，可以循环利用，绿色环保；同时可以简化传统图形化的工艺，避免传统光刻工艺中光敏材料的涂覆和去除所带来的器件表面污染和结构损伤的问题
用于超高真空装置中的模版

[发明专利]防伪金属或贵金属制品及其制造方法-CN202010051979.0在审
发明人：周灿坤;陈观霞;刘俊雄 -专利权人：深圳市百泰国礼文化创意有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G06K19/06 文献下载
摘要：本发明属于金属及贵金属制造技术领域，尤其涉及一种防伪金属或贵金属制品及其制造方法，其方法包括：设计微矢量图形；编写程序，对微矢量图形定义加密；将微矢量图形镭射到转印模具，并保证微矢量图形无法裸眼识别；将镭射有微矢量图形的转印模具安装于数控油压机上，通过数控油压机将转印模具上的微矢量图形转印于金属或贵金属制品的表面并无法裸眼识别；用识别仪器读取金属或贵金属制品表面上的微加密矢量图形，并能够通过程序对微加密矢量图形进行解密。通过本方法制成的防伪金属或贵金属制品，以加密的微矢量图形作为防伪图，该防伪图难以被复制还原，加密内容内部保密，外界难以获取，具有防伪风险高，防伪效果好的优点。
防伪金属贵金属制品及其制造方法

[发明专利]包含掩模以减少微滴对准、微滴体积公差和误差影响的工业微沉积系统-CN02829964.7有效
发明人：查尔斯·O·爱德华兹;戴维·阿尔伯塔利 -专利权人：利特斯公司
申请日： 2002-11-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： B41J2/12 文献下载
摘要：一种微沉积流体材料的微滴以在衬底上确定特征图形的微沉积系统。确定衬底的特征图形。为特征图形产生掩模，该掩模减小由于微沉积头的喷嘴故障而出现缺陷的密度。根据该掩模在衬底上微沉积流体材料的微滴，以确定特征图形的子特征。为特征图形中的每个子特征指定微沉积头的一个喷嘴。可随机或利用其它方式指定喷嘴。将掩模上的指定喷嘴分配给微沉积头的多次移过中的一个。
包含减少对准体积公差误差影响工业沉积系统

[发明专利]具有低折射率微纳结构层的LED图形化衬底的制备方法-CN201510783423.X在审
发明人：张勇辉;毕文刚;张紫辉;徐庶;耿翀 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明具有低折射率微纳结构层的LED图形化衬底的制备方法，涉及半导体器件,步骤是：在图形衬底表面沉积低折射率材料层；在低折射率材料层上沉积金属镍薄膜；快速高温热退火，形成金属镍纳米阵列；干法刻蚀低折射率材料层本发明方法在已有的图形衬底上通过微纳加工的方法使图形衬底上覆盖一层微纳结构化的低折射率材料薄膜层，通过避免光刻对准工艺，克服了现有技术对设备要求非常高和光刻难于精确对准的缺陷。
具有折射率结构 led 图形衬底制备方法

[发明专利]一种宽频带高吸收太赫兹波的微桥结构及其制备方法-CN201510392320.0有效
发明人：王军;陈沛丞;谢盼云;唐荣;黎威志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明属于室温太赫兹探测阵列成像技术领域，提供一种宽频带高吸收太赫兹波的微桥结构及其制备方法，用于克服太赫兹探测器宽频段下响应率低的问题。该微桥结构包括位于顶层的金属吸收膜、位于中间层的超材料图形、位于底层的MEMS微桥，且两两之间设置氮化硅介质层间隔；所述金属吸收膜为阻抗匹配的纳米级金属吸收薄膜，所述超材料图形与MEMS微桥共同构成超材料吸收结构本发明中阻抗匹配的纳米级金属吸收薄膜能够实现太赫兹波的宽频带吸收，超材料图形和MEMS微桥结构共同构成超材料吸收结构能够保障对太赫兹波的高吸收；实现对太赫兹波的宽光谱响应、高吸收的性能，整体上提高了微桥结构探测单元对太赫兹波的响应率
一种宽频吸收赫兹结构及其制备方法

[实用新型]具有3D立体视觉纹理的光学面板-CN202020336888.7有效
发明人：简伟平 -专利权人：苏州天至尊模具科技有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B44C1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开的具有3D立体视觉纹理的光学面板，包括塑胶材质的基材本体及设置在所述基材本体单面或双面的纹理层；所述纹理层为设置在所述基材本体表面的由微纳米线条排列而成的几何图形，所述几何图形至少由三个不同方向的微纳米线条构成本实用新型通过在塑胶材质的基材本体单面或双面通过激光雕刻具有不同方向、宽度及深度的微纳米线条并排列成几何图形，通过微纳米结构的曲线阵列排布形成视觉上光影变化，并配合金属质感的几何图形形成3D立体纹理，从而达到了设计新颖、结构合理且应用效果好的目的。
具有立体视觉纹理光学面板

[发明专利]一种微增材三维立体电路图形精度控制方法-CN201910870724.4在审
发明人：方杰;崔西会;蒋瑶珮;易明生;王春晖;李士群 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十九研究所
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及电路图形精度控制领域，公开了一种微增材三维立体电路图形精度控制方法，包括以下步骤：首先，利用三维软件设计工具在在微增材三维立体电路结构件上增加工艺槽，槽的形状与电路图形一致；其次，根据三维立体结构件材料选用机加工、注塑成型或激光雕刻等方式加工工艺槽，保证加工精度；最后，在工艺槽内利用激光选择性的固化金属材料制备立体电路图形，再进行化学镀得到高精度的电路图形。本发明专利通过在微增材三维立体电路结构件上增开工艺槽，然后在工艺槽内利用激光选择性的固化材料以制备立体电路图形。工艺槽可以有效的限制金属材料的延展流动，使图形边缘平直、厚度均匀，可有效改善三维立体电路图形精度，精度可达±10μm。
电路图形工艺槽三维立体激光选择性电路结构精度控制立体电路金属材料制备三维立体结构金属材料材料选用固化材料厚度均匀激光雕刻三维软件设计工具图形边缘注塑成型化学镀机加工平直延展固化制备流动加工保证

[发明专利]倒装LED芯片结构及其制作方法-CN201410856042.5在审
发明人：张昊翔;丁海生;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种倒装LED芯片结构，采用双面图形化衬底，所述双面图形化衬底两个相对的表面上设置具有聚光作用的微透镜阵列，从而在不影响LED外延层晶体质量的前提下，提高倒装LED芯片的发光亮度和轴向发光亮度本发明提供一种倒装LED芯片结构制作方法，在衬底的第一表面上制作出阵列排布的第一微透镜结构，后续再结合衬底第一表面上阵列排布的第一微透镜结构的特点，通过LED芯片自身发光实现光刻自对准工艺，在无需掩膜板和对位的前提下实现衬底第二表面掩膜层的制作，最后再通过刻蚀工艺实现衬底第二表面的图形化，以在衬底第二表面上形成阵列排布的第二微透镜结构，完成具有双面图形化衬底的倒装LED芯片制作。
倒装 led 芯片结构及其制作方法

[发明专利]基于预成型阳极氧化铝的亚微米图形衬底制作方法-CN200910192331.9有效
发明人：张佰君;黄智聪;王钢 -专利权人：中山大学
申请日： 2009-09-15 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： C25D11/16 文献下载
摘要：本发明公开一种基于预成型阳极氧化铝的亚微米图形衬底制作方法，其包括以下步骤：在衬底上先镀上一铝层；在铝层表面均匀涂敷一微球结构层，并在微球表面蒸镀耐蚀性金属，蒸镀的耐蚀性金属将通过微球结构层间隙沉积在铝层表面，再将微球结构层去除；用稀酸进行腐蚀，在铝层上所蒸镀的金属之间形成凹坑，完成预成型的过程；利用浓酸将铝层上的耐蚀性金属去除；对铝层进行阳极氧化，形成具有预设孔洞结构图形的氧化铝层；利用氧化铝层作为掩模，通过刻蚀将氧化铝层上的孔洞结构图形转移到衬底上；去除氧化铝层，得到亚微米图形的衬底。
基于成型阳极氧化铝微米图形衬底制作方法

[发明专利]一种表面跨尺度功能微纳结构的制造方法-CN201710017428.0在审
发明人：曹生珠;何延春;张凯锋;吴敢;陈学康;王瑞;王虎;王兰喜 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面跨尺度功能微纳结构的制造方法，该制造方法步骤包括首先，采用毫秒脉冲激光扫描基体表面，加工出微米级结构图形；然后，采用飞秒脉冲激光扫描已加工出的微米级结构图形，从而在微米级结构图形表面诱导加工出纳米级结构图形本发明采用毫秒脉冲激光刻蚀和和飞秒激光诱导相结合的结构表面微纳结构功能制造方法，可以完成表面微米级和纳米级功能微结构的跨尺度、高效、低成本制造，加工效率远高于半导体工艺，具有更好的应用前景。
一种表面尺度功能结构制造方法

[发明专利]一种双面异构体微喷嘴及其制造方法-CN201710672646.8有效
发明人：姚锦元 -专利权人：上海惠浦机电科技有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： B29C64/209 文献下载
摘要：本发明提供了一种双面异构体微喷嘴的制造方法，所述方法采用双面套刻工艺和硅深刻蚀技术：在硅片的第一面刻蚀出所需图形，然后利用双面套刻工艺精确对准后，再从硅片的第二面将图形刻通；采用硅片两面的不同图形的刻蚀，在同一垂直机体内制作异形的连体形貌结构，以形成喷嘴内部的功能结构体，且在两种图形结构交汇处仍是完整的一体，从而得到具有超强机械强度的双面异构体微喷嘴。
硅片双面套刻双面异构微喷嘴硅深刻蚀技术功能结构图形结构形貌结构喷嘴第二面交汇处超强刻蚀连体面刻异形对准垂直制作制造

[发明专利]制作环烯烃类聚合物微流控芯片中微纳结构的软压印方法-CN201310674847.3在审
发明人：张宝月;陈艳 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： B29C59/02 文献下载
摘要：一种制作环烯烃类聚合物微流控芯片中微纳结构的软压印方法，其至少包括如下步骤：制作硬质模板，所述硬质模板的一侧形成第一压印图形；在所述硬质模板的第一压印图形一侧涂覆液态的聚二甲基硅氧烷，烘烤并固化所述液体聚二甲基硅氧烷得到聚二甲基硅氧烷，将固化的聚二甲基硅氧烷与所述硬质模板分离，得到软模板，所述软模板具有与第一压印图形互补的第二压印图形；以及在所述软模板上对热塑性材料进行热压印，从而得到具有第一压印图形的微流控芯片。本发明提供的制作环烯烃类聚合物微流控芯片中微纳结构的软压印方法，具有制作价格低廉、精度高、周期短、工序简单、易于控制且可以快速批量制备等优点，满足了使用要求。
制作烯烃类聚合物微流控芯片中微纳结构压印方法