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[发明专利]一种MEMS全桥差分三轴加速度传感器及其加工方法-CN202310868490.6有效
发明人：史晓晶;柳俊文;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明涉及加速度传感器技术领域，公开一种MEMS全桥差分三轴加速度传感器及其加工方法，传感器包括：上部固定组件，包括上部电极板；中部电极组件，包括中心电极块和四个敏感组件，两个敏感组件沿X轴方向分布，且可动质量块与中心电极块和中部电极块之间组成检测沿X轴方向的加速度的X轴全桥差分电容；另外两个敏感组件沿Y轴方向分布，且可动质量块与中心电极块和中部电极块之间组成检测沿Y轴方向的加速度的Y轴全桥差分电容；下部固定组件，包括下部电极板，可动质量块与上部电极板和下部电极板形成检测沿Z轴方向的加速度的Z轴差分电容。本发明的传感器具有灵敏度高、线性度好、集成度好、电容值大及抗温漂的特点。
一种 mems 全桥差分三轴加速度传感器及其加工方法

[发明专利]一种气体传感器及其加工方法-CN202310517999.6有效
发明人：任青颖;柳俊文;史晓晶;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器技术领域，公开一种气体传感器及其加工方法，加工方法包括步骤：在第一硅衬底上依次形成氧化层、第一氮化物层、粘附层及加热电极；在加热电极上形成第二氮化物层；在第二氮化物层上形成金层；去除部分金层、第二氮化物层、粘附层及第一氮化物层，形成岛部加热组件和支撑固定组件；去除第二预设区域的氧化层；去除部分第一硅衬底，形成隔热槽；将第二硅衬底共晶键合在金层上；减薄并抛光第二硅衬底；在第二硅衬底上加工释放孔；第二硅衬底湿法腐蚀为多孔硅衬底，涂覆敏感材料并烘干，形成探测电极。采用本发明公开的气体传感器的加工方法加工而成的气体传感器，具有结构简单、灵敏度高、稳定性好及使用寿命长的特点。
一种气体传感器及其加工方法

[实用新型]一种气体与压阻式压力传感器-CN202320734342.0有效
发明人：史晓晶;柳俊文;任青颖;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及传感器技术领域，公开一种气体与压阻式压力传感器，包括：基底，其上设有气体腔室和压力腔室；压敏电阻，形成在基底正对压力腔室的一侧；绝缘层，覆盖在压敏电阻上；若干个气敏检测单元，相邻两个气敏检测单元之间设有隔离槽，每个气敏检测单元均包括对应设置的加热件、敏感电极及气敏层，加热件位于绝缘层内，敏感电极设置在绝缘层背离基底的一侧，气敏层覆盖在敏感电极上。本实用新型公开的气体与压阻式压力传感器，具有体积小、易于安放、能够同时检测若干种气体的浓度及当前环境的气压的优点，适用于检测电池发生热失控前的气体浓度和气压，能够降低由于电池热失控现象产生的重大安全消防事故和人员财产损失。
一种气体压阻式压力传感器

[发明专利]一种阵列式FET加热的插指气敏传感器及其加工方法-CN202211369625.6有效
发明人：任青颖;柳俊文;史晓晶;李卫;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气敏传感器技术领域，公开一种阵列式FET加热的插指气敏传感器及其加工方法，阵列式FET加热的插指气敏传感器包括：衬底，设有隔热腔室，隔热腔室内设有硅岛；绝缘层，位于衬底和硅岛的同一侧；FET加热阵列，包括若干个FET加热单元，每个FET加热单元均包括栅极和若干个间隔排布在硅岛内的掺杂极，掺杂极分为源极和漏极；若干个插指敏感电极，形成在绝缘层上；若干个气敏层，每个气敏层均覆盖在一个插指敏感电极上；多孔微组件，填充在隔热腔室内。本发明公开的阵列式FET加热的插指气敏传感器，具有加热均匀、出现裂纹的概率低及使用寿命长的优点，增设的多孔微组件提升了气敏传感器的结构强度，适用于恶劣环境。
一种阵列 fet 加热插指气敏传感器及其加工方法

[实用新型]一种多像素气体传感器-CN202222927373.6有效
发明人：任青颖;柳俊文;史晓晶;李卫;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及气体传感器技术领域，公开一种多像素气体传感器，包括包括：衬底，其上设有隔热腔室，隔热腔室内设有硅岛；绝缘层，设置在硅岛和衬底的同一侧；FET加热组件，包括源极、栅极及漏极，源极和漏极间隔形成在硅岛内，栅极位于源极和漏极之间；至少两个插指敏感电极，每个插指敏感电极均形成在绝缘层上；至少两个气敏层，每个气敏层均覆盖在一个插指敏感电极上；温度检测单元，用于检测每个气敏层的温度。本实用新型公开的多像素气体传感器，能够同时检测至少两种敏感气体，增加了气体传感器的适用范围，集成了温度检测单元，能够简化气体传感器的加工工艺，加热更加均匀，便于数字加热，降低FET气敏传感器出现膜裂纹的概率。
一种像素气体传感器

[发明专利]一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法-CN202211372269.3在审
发明人：任青颖;柳俊文;史晓晶;李卫;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，公开一种FET加热的插指气敏传感器及其加工方法。其中FET加热的插指气敏传感器包括：衬底，其上设有隔热腔室，隔热腔室内设有硅岛，硅岛与衬底间隔设置；绝缘层，设置在硅岛和衬底的同一侧；FET加热组件，包括源极、栅极及漏极，源极和漏极间隔形成在硅岛内，栅极位于源极和漏极之间，源极和漏极导通时能够产生热量；插指敏感电极，形成在绝缘层上；气敏层，覆盖在插指敏感电极上，气敏层的电阻率变化能够通过插指敏感电极输出。本发明公开的FET加热的插指气敏传感器，结构简单，易于加工，具有加热均匀、功耗低及寿命长的特点，利于FET加热的插指气敏传感器的小型化和集成化设计。
一种 fet 加热插指气敏传感器及其加工方法

[发明专利]一种FET气敏传感器及其加工方法-CN202211368549.7有效
发明人：任青颖;柳俊文;史晓晶;李卫;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气敏传感器技术领域，公开一种FET气敏传感器及其加工方法。其中FET气敏传感器包括：衬底，设有隔热腔室；绝缘层，位于隔热腔室的一端且固定在衬底上；硅岛，位于绝缘层的第一侧面上且位于隔热腔室内；FET加热组件，包括源极、漏极及感应电极组，源极和漏极间隔排布在硅岛内且与第一侧面接触，感应电极组设置在绝缘层的第二侧面上，源极和漏极导通时能够产生热量；气敏层，覆盖在感应电极组上。本发明公开的FET气敏传感器的FET加热组件，利用场效应晶体管的焦耳热对气敏层进行加热，具有加热均匀、功耗低、寿命长、易与调理电路一致性加工的特点，利于实现FET气敏传感器的小型化、智能化及集成化。
一种 fet 传感器及其加工方法

[发明专利]一种气体与电容式压力传感器及其加工方法-CN202211369716.X有效
发明人：史晓晶;柳俊文;任青颖;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，公开一种气体与电容式压力传感器及其加工方法，其中加工方法包括：提供带气体腔室和压力腔室的SOI衬底；在第二硅衬底上形成第一预设厚度的绝缘层；在绝缘层上形成加热电极；在加热电极和绝缘层上形成第二预设厚度的绝缘层；减薄正对压力腔室的绝缘层；在绝缘层上形成敏感电极；相邻两个气敏检测单元之间形成隔离槽；去除正对气体腔室的第二硅衬底；在每个敏感电极上均形成气敏层。本发明公开的气体与电容式压力传感器的加工方法，解决了现有技术存在的气体传感器与压力传感器无法集成在一起的问题，适用于电池发生热失控前监测电池释放的气体成分、浓度及当前的气压，对预测电池的热失控具有重大意义。
一种气体电容压力传感器及其加工方法

[发明专利]一种FET阵列气敏传感器及其加工方法-CN202211372287.1在审
发明人：任青颖;柳俊文;史晓晶;李卫;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气敏传感器技术领域，公开一种FET阵列气敏传感器及其加工方法。其中FET阵列气敏传感器包括：衬底，设有隔热腔室；绝缘层，位于隔热腔室的一端；硅岛，位于绝缘层的第一侧面上；FET加热阵列，包括若干个FET加热单元，每个FET加热单元均包括感应电极组和若干个掺杂极，掺杂极分为源极和漏极；若干个气敏层，每个气敏层均覆盖在一个感应电极组上。本发明公开的FET阵列气敏传感器，能够在相同的电流下将至少两个气敏层均匀地加热至不同的温度，增加了敏感气体浓度检测的准确性，能够实现多种气体的识别，提升了FET阵列气敏传感器的应用空间，降低了气敏层出现裂纹的概率，有利于FET阵列气敏传感器的批量化生产。
一种 fet 阵列传感器及其加工方法

[发明专利]一种气体与压阻式压力传感器及其加工方法-CN202211369717.4在审
发明人：史晓晶;柳俊文;任青颖;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，公开一种气体与压阻式压力传感器及其加工方法。其中加工方法包括：提供带气体腔室和压力腔室的基底；在基底上形成压敏电阻；在基底的一侧形成第一预设厚度的绝缘层；在绝缘层上形成若干个间隔排布的加热件；形成第二预设厚度的绝缘层；减薄正对压力腔室的绝缘层；在绝缘层上形成若干个敏感电极；相邻两个气敏检测单元之间形成隔离槽；去除至少部分位于绝缘层和气体腔室之间的基底；在每个敏感电极上均形成气敏层。本发明公开的气体与压阻式压力传感器的加工方法，加工而成的气体与压阻式压力传感器，体积小，适用于电池发生热失控前监测其释放的气体成分、浓度及当前的气压，对预测电池的热失控具有重大意义。
一种气体压阻式压力传感器及其加工方法

[实用新型]一种压力传感器-CN202222303243.5有效
发明人：史晓晶;柳俊文;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及压力传感器技术领域，公开一种压力传感器，包括依次叠设的：第一玻璃层，其上设有压力孔；硅衬底，其上设有压力腔，硅衬底正对压力腔的区域形成能够承受外界压力的感压膜片，硅衬底上设有压敏电阻和电连接层；绝缘层，形成在硅衬底上，绝缘层上设有金属连接件；硅键合层，形成在绝缘层上，硅键合层与金属连接件间隔设置；第二玻璃层，固定在硅键合层上，第二玻璃层与硅键合层及绝缘层形成正对压力腔的真空腔。本实用新型公开的压力传感器，结构简单，加工时无需进行液体封装工艺，成品率高，可直接测量外部压力，响应时间短。
一种压力传感器

[实用新型]一种多层结构的压力传感器-CN202222303268.5有效
发明人：史晓晶;柳俊文;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及压力传感器技术领域，公开一种多层结构的压力传感器，包括依次叠设的：第一玻璃层，其上设有压力孔；硅衬底，其上设有压力腔，硅衬底正对压力腔的区域形成感压膜片，硅衬底上设有电连接的压力敏感电阻和电连接层；绝缘层，形成在硅衬底上；硅键合层，形成在绝缘层上；第二玻璃层，其与硅键合层及绝缘层围成真空腔，第二玻璃层上设有导电组件。本实用新型公开的多层结构的压力传感器，结构简单，绝缘层起到保护压力敏感电阻和电连接层的作用，硅键合层用于键合第二玻璃层，第一玻璃层和第二玻璃层能够提升该多层结构的压力传感器的结构强度，无需进行液体封装工艺，降低了生产压力传感器的难度，提升了压力传感器的成品率。
一种多层结构压力传感器

[发明专利]一种耐高温压力传感器及其加工方法-CN202211057767.9有效
发明人：史晓晶;柳俊文;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01L1/02 文献下载
摘要：本发明涉及压力传感器技术领域，公开一种耐高温压力传感器及其加工方法，加工方法包括：在SOI衬底上形成压敏电阻和电连接层；在SOI衬底的氧化层、压敏电阻及电连接层上形成绝缘层；在绝缘层上形成硅键合层；在绝缘层上形成金属连接件；在SOI衬底的第二表面上形成压力腔，SOI衬底正对压力腔的区域形成感压膜片；在第二表面上阳极键合第一玻璃层，第一玻璃层上设有压力孔；在硅键合层上阳极键合第二玻璃层，第二玻璃层与硅键合层及绝缘层形成真空腔。本发明公开的加工方法工艺简单，加工而成的压力传感器的结构强度高，适用于恶劣环境，金属连接件使得加工而成的压力传感器适宜安装在其他结构上。
一种耐高温压力传感器及其加工方法

[发明专利]一种多层结构的耐高温压力传感器及其加工方法-CN202211062963.5有效
发明人：史晓晶;柳俊文;胡引引 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：本发明涉及压力传感器技术领域，公开一种多层结构的耐高温压力传感器及其加工方法。其中加工方法包括：在SOI衬底的第一表面上形成接触的压力敏感电阻和电连接层；在第一表面、压力敏感电阻及电连接层上形成绝缘层；在绝缘层上形成硅键合层；在SOI衬底的第二表面上形成压力腔，正对压力腔的区域形成感压膜片；在第二表面上阳极键合第一玻璃层，第一玻璃层上设有压力孔；在硅键合层上阳极键合第二玻璃层，第二玻璃层与硅键合层及绝缘层形成真空腔；在第二玻璃层上形成导电组件。本发明提供的多层结构的耐高温压力传感器的加工方法工艺简单，加工而成的体积较小的压力传感器适用于恶劣环境，增加了压力传感器的适用范围。
一种多层结构耐高温压力传感器及其加工方法

[发明专利]MEMS薄膜真空计及其制备方法-CN202210244071.0有效
发明人：王广猛;史晓晶;柳俊文 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提出一种MEMS薄膜真空计及其制备方法，包括叠置的第一衬底、第二衬底、第三衬底；第一密闭腔体和第二密闭腔体，间隔封闭于所述第一衬底及第三衬底之间；第一电极，对应于所述第一衬底位于所述第一密闭腔体之上的区域；敏感薄膜，对应于所述第一衬底位于所述第二密闭腔体之上的区域；第一止挡层，设置于所述第一电极下方的第一密闭腔体内；第二止挡层，设置于所述敏感薄膜下方的第二密闭腔体内；所述第一止挡层、所述第二止挡层经刻蚀所述第二衬底形成。在同一个晶圆上集成了MEMS电容式薄膜真空计与压阻式薄膜真空计，工艺简便，在保证两种真空计灵敏度和线性度的前提下，有效提升了MEMS薄膜真空计的量程。
mems 薄膜真空计及其制备方法

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