专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种纳米压印方法和装置-CN202211335534.0在审
  • 徐继祥;赵沙欧;孟祥峰 - 浙江至格科技有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-01-24 - G03F7/00
  • 本发明涉及一种纳米压印方法和装置,属于纳米压印技术领域,解决了现有的方法会造成聚合物溢出玻璃基体外或结构填充不够的问题。包括:(1)向软模板设置有图形的一面喷涂聚合物胶水层,使聚合物胶水层覆盖所述图形,且聚合物胶水层的厚度大于图形的厚度;(2)将软模板喷涂有聚合物胶水层的一面与玻璃基体相对接触,进行压印,使用紫外线灯照射,待聚合物胶水层固化后,去除带有图形的软膜板,具有图形的聚合物胶水层留在玻璃基体表面,即得到具有图形的玻璃基体。该方法可以避免聚合物外溢和结构填充不完整。
  • 一种纳米压印方法装置
  • [发明专利]透镜图形组合薄膜-CN99114800.2无效
  • 陈波;郭履容;曾红军;韦辉 - 四川大学
  • 1999-04-21 - 2000-10-25 - G02B27/22
  • 透镜图形组合薄膜,由透镜列阵层、塑料基底层和微细图形层紧贴组合而成,其中,微细图形结构透镜列阵的结构相匹配。材料组合方式有三种,即镜、塑、图;镜、图、塑;镜、塑、图、塑。透镜单元有三种,即方形、六角形、或圆形透镜。透镜排列方式分别为正方形、六角形、或圆形边缘接触排列方式。该膜同时保留了水平视差和垂直视差;在任何光环境下均显三维图形;观察角大,无需特殊观察技巧;不易被仿造。
  • 透镜图形组合薄膜
  • [发明专利]GaN基图形衬底模板的制备方法-CN201010136249.7无效
  • 张佰君;卫静婷;饶文涛 - 中山大学
  • 2010-03-26 - 2010-08-25 - H01L21/033
  • 本发明涉及一种GaN基图形衬底模板的制备方法。该方法包括以下步骤:在衬底上生长一层用于氮化物外延生长的GaN基模板;用球溶液在GaN基模板表面铺设球,形成单分子层结构球层;在衬底上进行金属蒸镀,蒸镀的金属通过球之间的空隙沉积到GaN基模板的表面;通过超声震动去除单分子层结构球层,得到图形化的金属层;利用该金属层作为掩膜,通过刻蚀方式将金属层上的图形转移到GaN基膜板上;去除金属层,得到GaN基材料图形衬底模板。该方法工艺简单,成本较低,图形凹坑大小及间距可控的微米级半导体衬底图形制备方法。
  • gan图形衬底模板制备方法
  • [实用新型]一种测量物体转动角度的系统-CN201922114247.7有效
  • 王德麾;黄鹏;谢志梅;姜世平;董小春 - 四川芯辰光微纳科技有限公司
  • 2019-12-02 - 2020-05-22 - G01B11/26
  • 所述系统包括CCD相机,微结构高分子薄膜,待测物体以及与CCD相机连接的显示器,所述微结构高分子薄膜贴于待测物体表面,所述微结构高分子薄膜朝着放置CCD相机的方向。所述微结构高分子薄膜包括透镜阵列层、高分子薄膜层和图形阵列层,透镜阵列层和图形阵列层分别设置于高分子薄膜层的上下表面通过在高分子薄膜的上下表面分别制备透镜阵列和图形阵列,从而获得微结构高分子薄膜,将该薄膜与待测物体正对着CCD相机的表面贴合,其表面的图形位移可以通过CCD探测。当物体发生转动时,通过探测图形的位移,结合位移大小与转角大小的关系,可以算出物体发生转动的角度。
  • 一种测量物体转动角度系统
  • [发明专利]大面积结构软压印方法-CN200710099102.3无效
  • 董小春;杜春雷;史立芳;罗先刚 - 中国科学院光电技术研究所
  • 2007-05-11 - 2007-10-10 - G03F7/00
  • 大面积结构软压印方法:首先采用光刻方法在硬质基底表面加工需要图形结构,在加工完成的硬质模板表面涂预聚的有机材料PDMS,完成软质模板的制作;将软质模板的非图形面黏附于经过双面抛平的基片表面,并滴加有机材料抗蚀剂进行旋涂,旋涂后从基片表面取下,并将软质模板的结构面与基片的抛光面进行紧密接触;将软质模板从基片表面掀掉,有机材料抗蚀剂材质的结构将被遗留在基片表面,进行热烘焙固化处理,并通过干法刻蚀工艺即可去除底胶或将图形转移至基底表面本发明不仅解决了大面积范围内图形的高保真度、高一致性压印复制问题,减小了压印图形性的留膜量,可以实现特征尺寸从几十微米到几十纳米范围内结构的高精度复制。
  • 大面积结构压印方法
  • [发明专利]一种几何约束下的电场诱导复型方法-CN201110150644.5有效
  • 邵金友;刘红忠;丁玉成;田洪淼;李祥明;李欣 - 西安交通大学
  • 2011-06-07 - 2011-11-16 - G03F7/00
  • 本发明公布了一种几何约束下电场诱导的复型方法,该方法为:制备具有一定图形结构的模板,并进行相应的表面处理,在模板和涂覆有光固化胶的基材之间引入合适的电场,使光固化胶在电场力作用下完成复型过程,然后用紫外线曝光固化,再采用干法氧气刻蚀进行后处理,从而制得与模板的图形结构互补的结构。本发明可以广泛应用于各种纳器件的加工,例如:芯片实验室、高电容解耦式电容器、太阳能电池、平板式显示器(OLED、SED、LCD)等。这种复型工艺制备的图形结构与模板的图形结构相符,其特征结构尺寸为微米级至纳米级。
  • 一种几何约束电场诱导微复型方法
  • [发明专利]一种衬底表面的处理方法、复合衬底及LED外延片-CN202110835665.4有效
  • 曾广艺 - 广东中图半导体科技股份有限公司
  • 2021-07-23 - 2022-11-15 - H01L33/00
  • 本发明实施例公开了一种衬底表面的处理方法、复合衬底及LED外延片,处理方法包括:通过提供衬底,在衬底的一侧表面沉积非晶膜层,在非晶膜层远离衬底的一侧制备掩膜图形层,将制备完掩膜图形层的衬底进行时效处理,以使掩膜图形层向非晶膜层扩散,在非晶膜层的与掩膜图形层接触的界面形成扩散层,进一步图形化时效处理后的衬底,形成多个图形结构,由于扩散层与非晶膜层的致密度不同,当刻蚀时图形结构的表面形成有多个微结构凸起本发明实施例提供的处理方法可以对图形化衬底的图形结构表面进行粗化调控而不影响其它位置表面,增加图形结构的表面面积,提高图形化衬底的光反射效率,进而能够增加LED外延片外量子效率。
  • 一种衬底表面处理方法复合led外延
  • [实用新型]一种反射透镜阵列成像装置-CN202121320248.8有效
  • 谢志梅;王德麾;姜世平;董小春;钟勇 - 四川芯辰光微纳科技有限公司
  • 2021-06-11 - 2022-04-19 - G02B3/00
  • 本实用新型公开了一种反射透镜阵列成像装置,包括一层微结构阵列、一层透明薄膜、一层第二透镜阵列和一层反射材料体;微结构阵列包括第一透镜阵列或图形阵列;第二透镜阵列由多个子透镜排布而成;第一透镜阵列由多个子透镜排布而成,且该排布方式与第二透镜阵列中的子透镜的排布方式相同;图形阵列由多个子图形排布而成,且该排布方式与第二透镜阵列中的子透镜的排布方式相同等;本实用新型实现了图像的裸眼动态显示,可以实现更加轻薄的系统结构,实现了对透镜的保护,较少磨损,延长装置使用寿命,能够降低制造成本。
  • 一种反射透镜阵列成像装置

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