专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]衬底上光刻结构的返工清洗方法-CN202211219249.2在审
  • 罗先刚;朱瑶瑶;罗云飞;刘凯鹏;张译尹;赵泽宇 - 中国科学院光电技术研究所
  • 2022-09-30 - 2022-12-06 - H01L21/02
  • 本公开提供了一种衬底上光刻结构的返工清洗方法,返工的光刻结构自下而上包括衬底、有机底层结构层、硅氧基硬掩模中间结构层、光刻胶层,该方法包括:S1,利用干法刻蚀或湿法清洗去除光刻胶层;S2,利用反应离子刻蚀去除硅氧基硬掩模中间结构层;S3,利用电感耦合等离子体刻蚀去除有机底层结构层;S4,利用反应离子刻蚀对衬底表面的残留微粒进行倾斜刻蚀,以减小残留微粒与衬底的接触面积;S5,将S4所得的衬底依次置于有机溶剂中浸泡、去离子水中清洗;S6,将S5所得的衬底置于加热的浓硫酸与过氧化氢混合溶液中浸泡,以去除倾斜刻蚀后的残留微粒;再使用去离子水清洗,完成返工清洗。本公开的方法能有效去除残留微粒,使衬底达到重复利用的标准。
  • 衬底光刻结构返工清洗方法

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