专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种采用转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法-CN200610017027.7有效
  • 韩艳春;邢汝博;于新红 - 中国科学院长春应用化学研究所
  • 2006-07-20 - 2007-01-03 - G03F7/00
  • 本发明涉及一种采用转移图案化图形作为掩模板的光刻图案化方法。该方法的薄膜结构具有金属薄膜、热塑性高分子薄膜、光刻胶薄膜三层组成。金属薄膜图形采用转移图案化的方法得到,并可以作为后续的光刻掩模板,与传统的多层结构光刻图案化相比,省略了一次光刻加工。同时由于上层的图案化金属薄膜不受曝光和显影过程的影响,因此即使曝光时间或者显影时间出现偏差,金属薄膜图形依然可以保证剥离工艺得到与金属薄膜尺寸相符的传递图形。另外,由于本方法可以得到边缘直立甚至向内凹陷的光刻胶侧壁结构,因此该光刻胶图形可以用作有机发光矩阵显示的有机发光层和电极层的分隔器。加工精度达到1微米以下,高于负性光刻胶10微米的图案化精度。
  • 一种采用转移图案图形作为模板光刻方法
  • [发明专利]防伪膜-CN201510025439.4有效
  • 王笑冰;李建兵;黄燕燕;何成 - 深圳市深大极光科技有限公司;珠海百盛防伪技术有限公司
  • 2015-01-19 - 2017-08-22 - G09F3/02
  • 一种防伪膜,包括图形层、透明基膜和透镜阵列层,图形层和透镜阵列层分别设置在透明基膜的相对的两个表面;图形层包括多个子单元图案,子单元图案呈阵列分布,透明基膜和子单元图案接触;透镜阵列层包括呈阵列分布的多个透镜,同行的透镜的数值孔径依次递增或依次递减,同列的透镜的数值孔径相同;透镜阵列层的透镜和图形层的子单元图案一一对应。上述防伪膜,通过对透镜阵列层的透镜的数值孔径进行缓慢而递进的变化,透镜对子单元图案的放大倍率也在逐步变化。
  • 防伪
  • [发明专利]基于修补机台的玻璃基板补刻号方法-CN201610986237.0在审
  • 梁泽超 - 梁泽超
  • 2016-11-09 - 2018-05-22 - G03F7/20
  • 本发明提供一种基于修补机台的玻璃基板补刻号方法,所述方法包括如下步骤:步骤1、提供修补机台、及数字镜芯片,所述修补机台包括本体、承载面板、控制单元存储单元、及激光头;步骤2、将数字镜芯片安装于激光头上,并使数字镜芯片与所述控制单元电性连接;步骤3、将待刻号的玻璃基板放置于承载面板上,该玻璃基板上形成有光阻层;步骤4、控制单元调用存储单元中对应的样式图形文件,并将该样式图形文件中的样式图形信号发送至数字镜芯片,数字镜芯片根据该样式图形信号显示该样式图形;步骤5、激光头发出激光,该激光经由数字镜芯片照射于玻璃基板上,对玻璃基板上光阻层进行曝光。
  • 基于修补机台玻璃基板补刻号方法
  • [发明专利]基于修补机台的玻璃基板补刻号方法及玻璃基板补刻号装置-CN201210084571.9无效
  • 李珊 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2012-03-27 - 2012-07-25 - G03F7/20
  • 本发明提供一种基于修补机台的玻璃基板补刻号方法及玻璃基板补刻号装置,所述方法包括如下步骤:步骤1、提供修补机台、及数字镜芯片,所述修补机台包括本体、承载面板、控制单元、存储单元、及激光头;步骤2、将数字镜芯片安装于激光头上,并使数字镜芯片与所述控制单元电性连接;步骤3、将待刻号的玻璃基板放置于承载面板上,该玻璃基板上形成有光阻层;步骤4、控制单元调用存储单元中对应的样式图形文件,并将该样式图形文件中的样式图形信号发送至数字镜芯片,数字镜芯片根据该样式图形信号显示该样式图形;步骤5、激光头发出激光,该激光经由数字镜芯片照射于玻璃基板上,对玻璃基板上光阻层进行曝光。
  • 基于修补机台玻璃基板补刻号方法装置
  • [发明专利]MEMS垂直梳齿镜面驱动器的制作方法-CN201110335464.4有效
  • 李四华;吴亚明;徐静 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2011-10-28 - 2013-05-08 - B81C1/00
  • 本发明提供一种MEMS垂直梳齿镜面驱动器的制作方法,包括:提供具有双层硅器件层的SOI硅结构;在第一衬底层的表面制作第一划片图形;去除第二衬底层;在第二埋层氧化层上制作双层掩膜;利用双层掩膜,制作出高梳齿结构、低梳齿结构以及镜面结构;将双抛硅片与SOI硅结构进行硅硅键合;在双抛硅片的表面制作第二划片图形;去除第一衬底层并显露出第一埋层氧化层;以第一埋层氧化层作为掩膜,刻蚀第一硅器件层,释放可动梳齿结构、可动镜面结构和固定梳齿结构;去除第一埋层氧化层;在镜面区域和引线区域形成薄膜金属层。相较于现有技术,本发明技术方案能制作出具有自对准高低梳齿结构的垂直梳齿镜面驱动器,具有制作简单和成品率高的优点。
  • mems垂直梳齿微镜面驱动器制作方法
  • [发明专利]一种解决DV影对准标志破坏的方法-CN201410003732.6有效
  • 董金文;张国民 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2014-01-03 - 2017-03-15 - H01L23/544
  • 一种解决DV影对准标志破坏的方法,包括如下步骤步骤一,DV影光罩上设置DV对准标志图形,进行DV影工艺在待处理晶圆上定义DV对准标志图形;步骤二,刻蚀待处理晶圆上DV对准标志图形,形成沟槽形式的DV对准标志;步骤三,TE影光罩上设置类DV对准标志图形,进行TE影工艺在待处理晶圆上定义类DV对准标志图形;步骤四,进行TE干法蚀刻干法刻蚀所述DV对准标志的沟槽。本发明一种解决DV影对准标志破坏的方法,在TE影工艺时,将DV对准标志上的光阻打开,TE蚀刻将蚀刻DV对准标志沟槽内的残留物,使TE蚀刻后,DV对准标志沟槽内没有残留物,使后续工艺可以正常的进行,有效的解决了因
  • 一种解决dv对准标志破坏方法
  • [发明专利]一种实现球离散化的流控芯片制备方法-CN200910229154.7无效
  • 高鹏;牟诗城;徐超;吴元庆;屈怀泊 - 国家纳米技术与工程研究院
  • 2010-03-12 - 2011-09-21 - B81C1/00
  • 一种实现球离散化的流控芯片制备方法:流控芯片模具的制作:制作玻璃基金属掩模板,得到流控芯片图形;再用光刻转移图形至旋涂有光刻胶的基底上,通过干法刻蚀,在该基底上得到具有柱状图形流控芯片模具;聚二甲基硅氧烷流控图形芯片基片的制备:溶融的聚二甲基硅氧烷于步骤(1)制作的凸起的流控芯片模具处原位聚合固化,脱模后得到含有图形的PDMS基片;玻璃盖片和PDMS基片的键合:玻璃盖片和PDMS基片一起经由本发明的优越性:这种基于纳米热压印方法制备的流控芯片,只需制作一次压印模具便可以制造出多种具有较高台阶高度的浇铸阳模,该方法投入很少,过程简单。
  • 一种实现离散微流控芯片制备方法

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