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[发明专利]存储元件和存储装置-CN201110401742.1有效
发明人：大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山徹哉 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C16/00 文献下载
摘要：本发明涉及存储元件和存储装置。所述存储元件包括：存储层、磁化固定层和绝缘层，通过在包含所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层的层叠结构的层叠方向上注入自旋极化电子，所述存储层的磁化的方向发生改变并且在所述存储层进行信息的记录，并且在所述存储层与所述磁化固定层中的至少一者中，从与所述绝缘层相接触的界面侧依次形成有Fe膜和含有Ni的膜，并且在加热后形成有Ni和Fe的梯度组分分布。所述存储装置包括上述存储元件和两种类型的布线，并且借助通过所述两种类型的布线在所述层叠方向上流向所述存储元件的电流来注入自旋极化电子。本发明能够实现具有高耐热性、易于应用半导体工艺并且具有优良可生产性的非易失性存储器。
存储元件装置

[发明专利]半导体存储器及其制造方法-CN201110412811.9无效
发明人：霍宗亮;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体存储器件，为NOR型闪存存储阵列中的存储单元，包括：衬底；衬底上的立体沟道；覆盖立体沟道表面的电荷俘获式存储叠层，所述电荷俘获式存储叠层包括隧穿层、电荷存储层、阻挡层，以及覆盖电荷俘获式存储叠层的栅电极存储单元中采用立体沟道，在存储单元的面积进一步减小时，立体沟道仍可以提供大的沟道电流，而且通过采用电荷俘获式存储叠层结构解决浮栅结构难以进一步缩小尺寸的问题。
半导体存储器及其制造方法

[发明专利]存储器件和存储器-CN200810006185.1无效
发明人：肥后丰;五十岚实;细见政功;大森广之;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-02-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了存储器件和具有这种存储器件的存储器，其中，该存储器件包括基于磁体的磁化状态在其上保存信息的存储层、通过非磁性层形成在存储层上的具有固定磁化方向的磁化固定层以及邻近磁化固定层的两端形成的两条金属配线在存储器中，通过使电流沿堆叠方向流过来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层上。通过本发明的存储器，通过降低用于记录的消耗功率以较小电功率来记录信息。
存储器件存储器

[发明专利]存储器-CN200710107617.3无效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-05-22 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明披露了一种存储器，其包括：存储元件，具有基于磁性材料的磁化状态保持信息的存储层；以及电连接至存储元件的导体。在该存储器中，通过中间层对存储层设置磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，并且自旋极化电子沿堆叠方向注入以使存储层的磁化方向反转，从而将信息记录在存储层中。还对导体设置磁性材料，以增强由于电流在导体中流动而产生的磁场，并且将漏磁场施加至存储层，以偏离存储层的磁化方向，并且沿堆叠方向的电流通过导体流入存储元件中，从而注入自旋极化电子。
存储器

[发明专利]在三维存储器件中由保护性电介质层保护的半导体插塞及其形成方法-CN202110619167.6在审
发明人：杨号号;张勇;王恩博;张若芳;张富山;徐前兵 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了具有由电介质层保护的半导体插塞的3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、在衬底上的包括多个交错的导体层和电介质层的存储堆叠层、以及垂直延伸穿过存储堆叠层的存储器串。存储器串包括位于存储器串的下部的半导体插塞、半导体插塞上的保护性电介质层、以及在保护性电介质层之上并沿着存储器串的侧壁的存储膜。
三维存储器件保护性电介质保护半导体及其形成方法

[发明专利]在三维存储器件中由保护性电介质层保护的半导体插塞及其形成方法-CN201880001825.1在审
发明人：杨号号;张勇;王恩博;张若芳;张富山;徐前兵 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了具有由电介质层保护的半导体插塞的3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括衬底、在衬底上的包括多个交错的导体层和电介质层的存储堆叠层、以及垂直延伸穿过存储堆叠层的存储器串。存储器串包括位于存储器串的下部的半导体插塞、半导体插塞上的保护性电介质层、以及在保护性电介质层之上并沿着存储器串的侧壁的存储膜。
电介质层存储器串半导体插塞存储器件堆叠层衬底存储三维存储器件存储膜导体层侧壁交错穿过

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN202110978655.6在审
发明人：李峯旻;赖二琨;李岱萤;林榆瑄;曾柏皓;李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置及其制造方法。该存储装置，包括叠层及多个存储器串列。叠层设置于基板上，叠层包括交替叠层的多个导电层及多个绝缘层。存储器串列沿着第一方向穿过叠层，其中存储器串列中的一第一存储器串列包括第一导电柱及第二导电柱、沟道层以及存储器结构。第一导电柱及第二导电柱分别沿着第一方向延伸且彼此分开。沟道层设置于第一导电柱与第二导电柱之间。存储器结构环绕第二导电柱，其中存储器结构包括一电阻式存储器材料。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储元件和存储器-CN200610131712.2无效
发明人：鹿野博司;细见政功 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储元件，包括：存储层，其基于磁体的磁化状态保持信息；上被钉扎磁层，设置在该存储层上，其间有上中间层；以及下被钉扎磁层，设置在该存储层下，其间有下中间层，其中该上中间层和下中间层之一是形成隧穿势垒的绝缘层；另一个中间层是包括绝缘层和非磁导电层的叠层；且通过使电流沿所述叠层方向流过所述存储元件来改变所述存储层的磁化方向，从而能够在该存储层上记录信息。
存储元件存储器

[发明专利]半导体结构-CN202210610517.7在审
发明人：刘佑铭;肖德元;苏星松 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决提高半导体结构存储容量小的技术问题，该半导体结构包括基底、设置在基底上的介质层和多个存储单元层，多个存储单元层沿第一方向间隔设置在介质层内，且任意相邻两个存储单元层在基底上投影重合；每个存储单元层均包括沿第二方向间隔设置的多个存储单元。本公开实施例通过将多个存储单元层沿垂直于基底的方向间隔设置在介质层内，且每个存储单元层内具有多个存储单元，每个存储单元中的源极、沟道和漏极沿平行于基底的方向排布，如此，可以将每个存储单元平行于基底放置，进而，可以增加堆叠的存储单元层的个数，提高半导体结构的存储容量。
半导体结构

[发明专利]一种对数据进行智能分层管理的云存储系统-CN201210558279.6有效
发明人：邹红才;葛春;罗乘风 -专利权人：江苏辰云信息科技有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明一种对数据进行智能分层管理的云存储系统，包括一个或一个以上控制节点和多个存储节点，一个控制节点控制两个以上存储节点，所述控制节点中至少有一个控制节点把其控制的存储节点分成两个以上存储层进行管理，一个存储节点可以只属于一个存储层，也可以属于多个存储层，不同的存储层具有不同的优先存储级别；对已存储的文件根据访问次数作为参数根据设定的规则计算出优先存储级别，当一个文件的优先存储级别与当前存储层不符时，则将该文件移动存储到与当前优先级相符的存储层不同的存储层采用不同的存储介质，以此可以获取非常高的存储性价比；且此发明使用于云存储系统，可以充分和云存储系统相结合，加强了云存储系统的效能。
一种数据进行智能分层管理存储系统

[发明专利]磁存储器及其提供方法和编程方法-CN201310376493.4有效
发明人： A.V.卡瓦尔科夫斯基;D.阿帕尔科夫 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括磁性结和至少一个自旋轨道相互作用（SO）有源层。每个磁性结包括数据存储层，该数据存储层是磁性的。SO有源层与磁性结的数据存储层相邻。SO有源层被配置为由于在一方向上经过至少一个SO有源层的电流而在数据存储层上施加SO扭矩，该方向实质上垂直于至少一个SO有源层和多个磁性结中最靠近至少一个SO有源层的磁性结的数据存储层之间的方向。数据存储层被配置为使用至少SO扭矩是可切换的。
磁存储器及其提供方法编程

[发明专利]键/值存储器的集成分级查询处理的系统结构-CN201180033303.8有效
发明人：吴建明;施广宇;马苏德·莫塔扎维;阿夫兰·卡普雅 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：一种键/值存储器，所述键/值存储器包括：第一层存储装置，其经配置以存储关于多个值的多个键的信息，而不存储所述值；以及第二层存储装置，其耦接到所述第一层存储装置，且经配置以存储与所述键关联的值，而不存储所述键，其中与所述第二层存储装置相比，所述第一层存储装置具有较短的等待时间和较大的吞吐量，且其中与所述第一层存储装置相比，所述第二层存储装置具有较大的容量。本发明还公开了一种方法，所述方法包括：在第一层存储装置接收键/值操作请求；如果所述键/值操作请求有效，将所述键/值操作请求中的键映射到存储在第二层存储装置中的定位器；以及如果所述键具有相应的定位器，将所述定位器映射到第三层存储装置中的值
存储器集成分级查询处理系统结构

[发明专利]存储器装置-CN202110140753.2在审
发明人：陈威臣;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，该存储器装置包括一源极元件、一漏极元件、多个通道层、多个控制电极层与一存储层。通道层独立电性连接在源极元件与漏极元件之间。多个存储单元定义在控制电极层与通道层之间的存储层中。
存储器装置

[发明专利]一种存储单元、制备方法、存储器及电子设备-CN202280003615.2在审
发明人：韩秋华;宋伟基;许俊豪 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种存储单元、制备方法、存储器及电子设备，用以降低存储单元的制备难度。其中，存储单元包括孔、环绕孔的堆叠结构、设置于孔内的第二金属层、设置于孔内且环绕第二金属层的隔离层、以及至少部分环绕隔离层的存储膜层，堆叠结构中包括交替堆叠的至少一层介质层和至少一层第一金属层，且每层第一金属层沿着孔的孔径的方向相对于相邻的介质层凹陷，存储膜层相背于隔离层的一侧接触堆叠结构中的第一金属层。通过使存储膜层至少填充在第一金属层相对于相邻的介质层的凹陷内，在底部刻蚀存储膜层的过程中，即使孔是倾斜的，也能由于凹陷的存在而保护位于凹陷内的存储膜层，该结构不需要刻蚀形成严格意义上的垂直孔，因此可降低存储单元的制备难度
一种存储单元制备方法存储器电子设备

[发明专利]具有富氢半导体沟道的三维存储器件-CN202080001838.6在审
发明人：张坤;周文犀;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括存储堆叠层、半导体层、多个沟道结构和绝缘结构，存储堆叠层包括交错的堆叠导电层和堆叠电介质层，每个沟道结构垂直延伸穿过存储堆叠层到半导体层中，绝缘结构垂直延伸穿过存储堆叠层并且包括掺杂有氢或氢的同位素中的至少一种的电介质层
具有半导体沟道三维存储器件