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- [发明专利]铁电存储器-CN202210373356.4在审
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徐亮;卜思童;方亦陈;刘晓真;许俊豪
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华为技术有限公司
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2022-04-11
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2023-10-24
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G11C11/22
- 本申请实施例提供了一种铁电存储器，该铁电存储器中的第一存储单元包括晶体管和多个电容，多个电容的第一极板与晶体管的漏极连接，多个电容的第二极板分别对应连接至多条板线，多个电容均为铁电薄膜电容；读写控制器，响应于接收到从多个电容中的第一电容读取数据，在第一时段控制晶体管导通、向第二位线和与晶体管连接的第一位线提供第一信号，向与第一电容连接的第一板线提供第二信号；在第二时段控制晶体管关断、向第一位线和第二位线提供第三信号，向第一板线提供第四信号；在第三时段控制晶体管导通；在第四时段控制放大器使能。该铁电存储器，可以在提高铁电存储器的存储密度的情况下、简化铁电存储器的数据读取的设计。
- 存储器
- [发明专利]一种肖特基二极管及功率电路-CN202210313499.6在审
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王嘉乐;樊宗荐;张强;侯朝昭;董耀旗;许俊豪
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华为技术有限公司
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2022-03-28
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2023-10-10
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H01L29/872
- 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种肖特基二极管及功率电路。肖特基二极管包括：第一层；与第一层接触的第二层，第一层为半导体层和金属层中的一个，第二层为半导体层和金属层中的另一个，第一层和第二层之间存在肖特基势垒；耦合至第一层的载流子提供层，用于升高第一层中第一载流子的数量在第一层中载流子的总数量中的占比；其中，第一载流子的能量低于肖特基势垒在二极管处于关断状态时的高度；当肖特基二极管从关断状态进入导通状态时，肖特基势垒的高度降低，使得第一载流子越过肖特基势垒，进入第二层；或者，肖特基势垒的宽度减少，使得第一载流子隧穿过肖特基势垒，进入第二层。该肖特基二极管可以实现关态到开态的快速切换。
- 一种肖特基二极管功率电路
- [发明专利]一种冷源晶体管、其制作方法及集成电路-CN202210286284.X在审
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侯朝昭;张强;李伟;许俊豪
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华为技术有限公司
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2022-03-22
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2023-09-29
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H01L29/06
- 本申请提供一种冷源晶体管、其制作方法及集成电路，包括：半导体衬底、源极、漏极以及栅极；半导体衬底具有源区、漏区及位于源区与漏区之间的沟道区，源极耦合于源区，漏极耦合于漏区，栅极设置于沟道区上；沟道区包括第一掺杂区及沟道，第一掺杂区在源区一侧，沟道在漏区一侧；源区包括第二掺杂区及导体区，导体区设置在第一掺杂区和第二掺杂区之间；漏区包括第三掺杂区；第一与第三掺杂区属同一掺杂类型，第二与第三掺杂区属不同的掺杂类型。本申请的冷源晶体管其栅极设置在沟道区上，当冷载流子越过肖特基势垒，从第一掺杂区进入沟道时，使得冷载流子不再受到被外部重新热化，因此可以降低由热化的冷载流子造成的漏电，从而降低亚阈值摆幅。
- 一种晶体管制作方法集成电路
- [发明专利]一种幕墙后置埋件结构及其施工方法-CN202311026067.8在审
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张鑫;毛进;熊伦;许俊豪;高先万
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中建科工集团有限公司
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2023-08-15
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2023-09-19
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E04B1/41
- 本发明公开了一种幕墙后置埋件结构及其施工方法，其中幕墙后置埋件结构应用于混凝土挑台，其包括四个通孔，通孔沿高度方向贯穿混凝土挑台形成；每个通孔内均活动穿设有螺杆，螺杆的上下两端分别延伸至混凝土挑台外，且分别旋接有上螺母和下螺母；上螺母和混凝土挑台的上端面之间设有上锚板，上锚板上对应螺杆的位置沿高度方向贯穿形成有第一穿孔；下螺母和混凝土挑台的下端面之间设有下锚板，下锚板上对应螺杆的位置沿高度方向贯穿形成有第二穿孔；上锚板和下锚板之间固定连接有侧锚板，侧锚板平行于高度方向布置，且用于抵接混凝土挑台的外侧壁。本发明能够减少后置锚栓的数量，节约成本，且能避免后置锚栓布置集中导致后置锚栓存在冲突的问题。
- 一种幕墙后置结构及其施工方法
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