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[发明专利]信息存储元件和存储装置-CN201610997701.6有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及信息存储元件和存储装置，其中，该存储元件包括：存储层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在存储层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
信息存储元件装置

[发明专利]磁阻元件和电子设备-CN201680082609.5有效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：磁阻元件10设置有：第一层叠结构20，具有第一表面20A和在第一表面20A的反面侧的第二表面20B；以及第二层叠结构30，第二层叠结构30是通过对存储层33、中间层32和磁化固定层31进行层叠而形成的，并且第二层叠结构30具有第一表面30A和在第一表面30A的反面侧的第二表面30B，所述第一表面30A被定位为面向第一层叠结构20的第二表面20B。第一层叠结构20具有层叠结构，该层叠结构被配置为从第一层叠结构20的第一表面20A起具有由金属氮化物形成的第一层21和由钌或钌化合物形成的第二层22。
磁阻元件电子设备

[发明专利]存储系统和存储器件-CN201710342461.0有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及存储系统和存储器件。存储系统包括：存储器件，包括多个存储单元；驱动电路，被配置为控制所述存储单元；以及存储控制单元，被配置为在所述存储器件记录数据之前，向所述存储器件提供待机电流，其中，所述存储单元中的每一个包括存储层、磁化固定层、包括非磁性材料的设置在所述存储层与所述磁化固定层之间的中间层、设置在所述存储层上方的顶部电极、设置在所述磁化固定层上方的底部电极；其中，电流被配置为在所述顶部电极与所述底部电极之间在层压方向上流动。
存储系统存储器件

[发明专利]自旋力矩磁随机存取存储器元件与磁阻效应型磁头-CN201611001813.8有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及自旋力矩磁随机存取存储器元件与磁阻效应型磁头。该自旋力矩磁随机存取存储器元件，包括：磁化固定层，该磁化固定层的固定磁化在相对于该磁化固定层的膜表面的垂直方向上；磁化自由层，包括与形成在在每对相邻的铁磁层之间的耦合层层压在一起的多个铁磁层，从而磁耦合该铁磁层；以及非磁性层，该非磁性层是隧道绝缘层并且形成在该磁化固定层与该磁化自由层之间。
自旋力矩随机存取存储器元件磁阻效应磁头

[发明专利]存储元件-CN201710224149.1有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储元件，该存储元件包括：存储层，包括根据信息而变化的磁化方向；磁化固定层，包括固定的磁化方向；以及中间层，包含非磁性材料、设置在所述存储层与所述磁化固定层之间，其中，所述磁化固定层包括将耦合层介入其间而层压的至少第一铁磁层和第二铁磁层，所述第一铁磁层的磁化方向与所述第二铁磁层的磁化方向不同。
存储元件

[发明专利]磁性元件和存储装置-CN201611035933.X有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及磁性元件和存储装置，其中，该磁性元件包括：自由磁化层，根据磁体的磁化状态来保持信息；磁化固定层，具有用作被存储在存储层中的信息的基准的磁化；以及绝缘层，由被设置在存储层与磁化固定层之间的非磁体形成，其中，通过利用伴随在自由磁化层、绝缘层以及磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流发生的自旋扭矩磁化反转来反转存储层的磁化来存储信息，并且存储层的尺寸小于磁化的方向被同时改变的尺寸。
磁性元件存储装置

[发明专利]磁存储元件和电子设备-CN201880021415.3在审
发明人：长谷直基;细见政功;肥后丰;大森广之;内田裕行;佐藤阳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：[待解决的问题]提供一种具有降低的写入电流同时保持存储层的磁性保留性能的磁存储元件和电子设备。[解决方案]磁存储元件包括：自旋轨道层，其沿一个方向延伸；写入线，其电耦合到所述自旋轨道层，并允许电流沿所述自旋轨道层的延伸方向流动；隧道结元件，其包括按顺序堆叠在所述自旋轨道层上的存储层、绝缘体层和磁化固定层；以及非磁性层，其膜厚度为2nm或更小，并设置在所述自旋轨道层和所述绝缘体层之间的任何堆叠位置。
轨道层自旋磁存储元件绝缘体层存储层磁化固定层隧道结元件保留性能电子设备堆叠位置方向流动方向延伸非磁性层顺序堆叠写入电流电耦合写入线延伸

[发明专利]磁存储器、磁存储器记录方法以及磁存储器读取方法-CN201880015594.X在审
发明人：大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：提供了一种磁存储器，该磁存储器可以在一个存储单元(10)中记录多值信息的同时抑制制造成本的增加，该存储器包括：第一和第二隧道结元件(100a、100b)，该第一和第二隧道结元件(100a、100b)分别具有叠层结构，该叠层结构包括具有固定磁化方向的参考层(202)、具有可逆磁化方向的记录层(206)、以及被夹在参考层与记录层之间的绝缘层(204)；第一选择晶体管(300)，该第一选择晶体管(300)电连接至第一和第二隧道结元件的第一端；第一配线(400a)，该第一配线(400a)电连接至第一隧道结元件的第二端；以及第二配线(400b)，该第二配线(400b)电连接至第二隧道结元件的第二端。
隧道结元件磁存储器配线电连接选择晶体管叠层结构参考层记录层绝缘层读取固定磁化方向存储器磁化方向存储单元多值信息制造成本第一端可逆记录

[发明专利]磁存储器和磁存储器记录方法-CN201880015595.4在审
发明人：大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-01-22 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：[问题]为了提供一种磁存储器，其中反转误差的发生可以被抑制并且可以实现稳定记录。[方案]一种磁存储器包括：自旋轨道层，其中自旋极化电子由电流产生；磁存储元件，提供在自旋轨道层上并且具有由绝缘层和磁性层组成的叠层结构，在该磁性层中磁化方向根据要记录的信息改变；以及电压施加层，经由绝缘层向磁性层施加电压。电压施加层在电流在自旋轨道层中流动的同时向磁性层施加电压，从而改变磁性层的磁各向异性或磁阻尼常数。
磁性层磁存储器轨道层自旋绝缘层电压施加层施加电压记录自旋极化电子磁存储元件磁各向异性磁化方向电流产生叠层结构磁阻尼反转流动

[发明专利]磁存储器、半导体装置、电子设备和读取磁存储器的方法-CN201780087367.3在审
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;別所和宏;内田裕行;佐藤阳;长谷直基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供一种存储多级信息的、能够在充分地确保读裕度的同时进行读取的磁存储器。提供一种磁存储器，其包括：第一磁存储元件和第二磁存储元件，其设置在彼此交叉的第一配线和第二配线之间，并且串联地电连接；第三配线，其在所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件之间电连接；第一确定单元，其基于通过所述第三配线流向所述第一磁存储元件的电流来确定所述第一磁存储元件的磁化状态；和第二确定单元，其基于通过所述第一配线流向所述第一磁存储元件和所述第二磁存储元件的电流来确定所述第二磁存储元件的磁化状态，其中基于所述第一确定单元的确定结果来改变所述第二确定单元的确定状态。
磁存储元件配线磁存储器确定单元读取磁化状态半导体装置彼此交叉电子设备多级信息电连接地电裕度串联存储

[发明专利]铁磁隧道结元件及其制造方法-CN201780087821.5在审
发明人：大森广之;细见政功;肥后丰;内田裕行;长谷直基;佐藤阳 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：[问题]提供一种铁磁隧道结元件及其制造方法，利用该方法可以避免增加元件占用面积和制造步骤的数量，同时还避免元件属性的变化并维持高的制造产量。[解决方案]提供了一种铁磁隧道结元件，包括以下：第一磁性层；第一绝缘层，设置在第一磁性层顶上；第二磁性层，设置在第一绝缘层顶上并包含磁性过渡金属；以及氧化镁膜，设置为覆盖第二磁性层的侧表面并包含磁性过渡金属。
磁性层铁磁隧道结元件绝缘层磁性过渡金属制造氧化镁膜元件属性侧表面面积和占用覆盖

[发明专利]磁存储元件、磁存储装置、电子装置以及制造磁存储元件的方法-CN201780087141.3在审
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;別所和宏;肥后丰;佐藤阳;长谷直基 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本文旨在提供一种磁存储元件、一种磁存储装置和一种存储多值信息的结构较为简单的电子装置。一种磁存储元件，具有：多个隧道结元件，各自包括具有固定磁化方向的参考层、能够反转磁化方向的存储层，和插入所述参考层和所述存储层之间的绝缘体层，所述多个隧道结元件彼此电并联，其中所述多个隧道结元件具有彼此相同的膜结构，所述膜结构的各层通过使用相同的材料形成，以具有相同的厚度，且通过沿层压方向切割所述多个隧道结元件获得的每个横截面形状是多边形的形状，其包括相互平行的上侧和下侧，所述多个隧道结元件中每一个的所述下侧与所述上侧的比值不同。
隧道结元件磁存储元件磁存储装置电子装置参考层存储层膜结构固定磁化方向横截面形状材料形成层压方向磁化方向多值信息绝缘体层电并联反转平行切割存储制造

[发明专利]分层结构和存储装置-CN201710129724.X有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了分层结构和存储装置。一种分层结构包括：存储层，具有与膜面垂直的磁化，其中，该磁化的方向配置为通过在所述分层结构的层压方向上施加电流而根据信息而被改变；磁化固定层，具有与所述存储层的磁化方向平行或非平行的磁化，并且包括包含多个铁磁层以及一个或多个非磁层的层压铁钉合结构，所述层压铁钉合结构还包含形成在所述多个铁磁层的第一铁磁层上的反铁磁材料，并且所述反铁磁材料位于所述第一铁磁层与所述非磁层之间；以及隧道绝缘层，位于所述存储层和所述磁化固定层之间。
分层结构存储装置

[发明专利]存储器单元结构、制造存储器的方法以及存储器设备-CN201480056283.X有效
发明人：梅林拓;助川俊一;横山孝司;细见政功;肥后丰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本公开涉及使得能够提供MRAM的存储器单元结构的存储器单元结构、存储器制造方法以及存储器装置，其减小连接到MTJ的牵引布线的电阻、减小存储器单元的面积并避免由于热导致的MTJ的性能退化。存储器单元包括：晶体管，其使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层来在两个侧壁部分中、第一扩散层和第二扩散层之间的部分处形成沟道；以及存储器元件，其设置在第一扩散层之下。第一扩散层经由在使硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到存储器元件。
存储器单元结构制造方法以及设备

[发明专利]基于自旋力矩转移的磁性随机存取储存器(STT-MRAM)和磁头-CN201480057802.4有效
发明人：山根和孝;细见政功;尾森弘之;K·贝塞霍;Y·希戈;内田弘之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：公开了一种具有分层结构并被构造为存储信息的存储元件。在一个示例中，所述存储元件包含具有垂直于分层结构的膜表面的存储磁化的存储部分，其中所述存储磁化的方向被构造成随信息而改变。所述存储元件还包括具有充当存储磁化的参照的参照磁化的固定磁化部分，和在存储部分与固定磁化部分之间、由非磁性材料制成的中间部分。固定磁化部分包括层叠的亚铁磁性结构，该结构包括第一铁磁性层、第二铁磁性层和非磁性层。固定磁化部分包括第一磁性材料，所述第一磁性材料是包含Pt、Co和Y的层叠结构或合金。还公开了包括所述存储元件的存储装置。
基于自旋力矩转移磁性随机存取储存器 stt mram 磁头

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