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[发明专利]请求处理设备和请求接受设备-CN201780067555.X有效
发明人： 大石雄纪;栗原研一;浅冈聪子;贝野由利子;首藤绫;高桥功;平井畅一;手岛飞鸟;竹内太一;梶尾祐介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06Q50/10 文献下载
摘要：根据本公开的实施方式的请求处理设备包括选择单元和输出单元。从活动期间通过拍摄获得的拍摄数据的多个实例中，所述选择单元选择与活动之前或活动期间已经接受的请求相匹配的拍摄数据的一个或多个实例。所述输出单元输出用所述选择单元选择的拍摄数据的一个或多个实例。
请求处理设备接受

[发明专利]光学装置、绘制和擦除装置、以及照射方法-CN201880036110.X有效
发明人：栗原研一;首藤绫;平井畅一;大石雄纪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B41J2/475 文献下载
摘要：根据本公开内容的实施方式的光学装置是执行针对可逆记录介质执行信息的写入和擦除中的一者或两者的装置。这种光学装置包括：在近红外区域(700nm至2500nm)中具有不同发射波长的多个激光元件；对从多个激光元件输出的激光束进行合成的光学系统；以及在可逆记录介质上对由通过光学系统进行合成而获得的合成光束进行扫描的扫描器部。
光学装置绘制擦除以及照射方法

[发明专利]记录设备与记录系统-CN201780059046.2有效
发明人：梶尾祐介;高桥功;大石雄纪;和田胜;栗原研一;竹内太一;浅冈聪子;手岛飞鸟;平井畅一;贝野由利子;首藤绫 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： B41J29/38 文献下载
摘要：根据本公开的记录设备设置有：写入单元，将根据时间并且被可见地记录在记录介质中的细目表信息从第一细目表信息重写成第二细目表信息；和生成单元，基于时间生成第二细目表信息。
记录设备系统

[发明专利]可逆性记录介质和外部构件-CN201780069609.6有效
发明人：栗原研一;大石雄纪;贝野由利子;首藤绫;平井畅一;浅冈聡子;高桥功 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-10-05 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B41M5/28 文献下载
摘要：根据本公开内容实施方式的可逆性记录介质包括在无彩色状态和透明状态之间可逆地变化的第一层，以及在彩色状态和透明状态之间可逆地变化的第二层。
可逆性记录介质外部构件

[发明专利]绘图装置和绘图方法-CN201780069104.X有效
发明人：浅冈聪子;竹内太一;栗原研一;大石雄纪;贝野由利子;首藤绫;平井畅一;高桥功;梶尾祐介;手岛飞鸟;和田胜 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： B41J2/475 文献下载
摘要：本公开的绘图装置设置有：照射单元，在第一时段中，将第一光照射到通过使用预定光可视地记录图像的记录对象的第一记录区域，并且在第一时段之后的第二时段中，将作为预定光的第二光照射到第二记录区域，该第二记录区域与第一记录区域相同或包含在第一记录区域中；和控制单元，控制发光单元的操作。
绘图装置方法

[发明专利]制造衬底的方法和制造电子器件的方法-CN201480039155.4有效
发明人：赤阪慎;公文哲史;佐藤健太郎;大石雄纪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：提供了一种制造衬底的方法，所述方法包括：对材料衬底的表面抛光；以及在对所述材料衬底的所述表面抛光之后，在所述材料衬底的所述表面上形成平坦化膜。
制造衬底方法电子器件

[发明专利]随机数生成装置、随机数生成方法以及安全芯片-CN201010549078.0无效
发明人： 大石雄纪;肥后丰;鹿野博司;细见政功;大森广之;山根一阳;别所和宏 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明提供了随机数生成装置、随机数生成方法以及安全芯片，该随机数生成装置包括：随机数生成器，被构造为具有多个随机数生成元件，这些随机数生成元件响应于自旋注入电流的供给而生成随机数；以及温度控制器。
随机数生成装置方法以及安全芯片

[发明专利]信息存储元件及其驱动方法-CN201010518624.4无效
发明人：大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;山根一阳;大石雄纪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种信息存储元件及其驱动方法，信息存储元件包括：字电极，包括连续形成并且导电的第一磁性材料；非磁性膜，与字电极的第一磁性材料接触地形成；第二磁性材料，经由非磁性膜连接至第一磁性材料；磁化设定机构，设置在字电极的两个端部的至少一个端部附近并且设定字电极的端部的磁化方向；矫顽力减小机构，减小第二磁性材料的矫顽力；以及导电性位电极，形成以兼作第二磁性材料或者与第二磁性材料平行地形成，连续形成位电极以与字电极交叉。
信息存储元件及其驱动方法

[发明专利]磁存储器件的记录方法-CN200980113665.0有效
发明人：大森广之;细见政功;五十岚实;山元哲也;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：提供了一种磁存储器件的记录方法，该磁存储器件包括将信息保持为磁体的磁化方向的记录层和相对于记录层提供的磁化基准层，其间设有绝缘层，该磁存储器件利用经由绝缘层流动在记录层和磁化基准层之间的电流记录信息，该记录方法甚至在施加的写入脉冲显著高于反转阈值时也能保持与施加的写入脉冲略高于反转阈值的情况相同的错误率水平。磁存储器件的记录方法包括在记录一条信息时施加在相同方向上的一个或更多主脉冲和一个或更多子脉冲，并且在该一个或更多主脉冲后施加该一个或更多子脉冲，该一个或更多主脉冲的每个都为具有足够来记录信息的脉冲高度和脉冲宽度的脉冲，该一个或更多子脉冲的每个都为满足脉冲宽度短于一个或更多主脉冲以及脉冲高度小于一个或更多主脉冲的至少一个条件的脉冲。
磁存储器记录方法

[发明专利]在磁存储器件中进行记录的方法-CN200980113664.6有效
发明人：大森广之;细见政功;山元哲也;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种在磁存储器件中进行记录的方法，所述磁存储器件包括可以改变磁化方向并保存作为磁性材料磁化方向的信息的存储层，以及在存储层上配备有插入在其之间的绝缘层且用作磁化方向的基准的磁化基准层。通过使用经由绝缘层在存储层和磁化基准层之间流动的电流来记录信息。即使当施加显著高于反转阈值的写脉冲时，也可以维持通过略高于反转阈值的写脉冲所实现的、范围为10到25的写误差率。在2ns或更多时间内，写脉冲下降处给出的写功率逐渐地减小。在减小期间，写脉冲电压的减小率最好保持为低，直到下降处的写脉冲电压变得低于磁存储器件的反转阈值电压为止。
磁存储器进行记录方法

[发明专利]非易失性存储器及其记录方法-CN201010219837.7无效
发明人：大森广之;山元哲也;细见政功;肥后丰;山根一阳;别所和宏;鹿野博司;五十岚实;大石雄纪;楠真一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种非易失性存储器及其记录方法，该非易失性存储器包括记录电路，该记录电路电执行信息存储器件的信息的记录，该信息存储器件具有被连接至用于信息记录的电源的电阻变化，该方法包括以下步骤：在信息存储器件的记录电路的输出阻抗大于信息存储器件的低电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录低电阻状态下的信息；以及在信息存储器件的记录电路的输出阻抗小于信息存储器件的高电阻状态下的电阻值的条件下，通过记录电路记录在高电阻状态下的信息。
非易失性存储器及其记录方法

[发明专利]存储器-CN201010207322.5无效
发明人：鹿野博司;肥后丰;山元哲也;大森广之;细见政功;楠真一郎;大石雄纪;山根一阳;别所和宏;五十岚实 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：一种存储器，包括多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，该隧道磁阻效应器件包含：磁化自由层，其中，磁化方向能够被反转；隧道阻挡层，包括绝缘材料；以及磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向。该存储器还包括：随机存取存储区，其中，使用存储设备的磁化自由层的磁化方向来记录信息；以及只读存储区，其中，根据存储设备的隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。
存储器

[发明专利]存储装置和存储器-CN201010201355.9有效
发明人：山根一阳;细见政功;鹿野博司;大森广之;五十岚;山元哲也;别所和宏;肥后丰;大石雄纪;楠真一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明公开了存储装置和存储器。存储装置包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来保持信息；第一中间层和第二中间层，被设置为夹置存储层并且均由绝缘体形成；第一固定磁性层，被设置在第一中间层的与存储层相对的侧上；第二固定磁性层，被设置在第二中间层的与存储层相对的侧上；以及非磁性导体层，被设置在第一中间层或者第二中间层和存储层之间，存储装置被配置为，在堆叠方向上向其注入自旋极化电子以改变存储层的磁化方向，从而将信息存储在存储层中。
存储装置存储器

[发明专利]电阻变化型存储装置-CN200910251375.4无效
发明人：五十岚实;肥后丰;细见政功;鹿野博司;楠真一郎;大森广之;大石雄纪;山元哲也;山根一阳 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻变化型存储装置，其包括：堆叠体，其构成隧道磁阻效应元件，所述隧道磁阻效应元件具有磁化方向在其中可切换的磁性层并且形成在导电层上，并且所述堆叠体包括在利用由电流注入造成的旋转转移效应来执行数据写入的电阻变化型存储单元中。所述堆叠体形成为使得连接堆叠体各个层中心的线相对于与所述堆叠体形成在其上的所述导电层的表面相垂直的方向倾斜。
电阻变化存储装置

[发明专利]阻抗可变型存储装置-CN200910251369.9无效
发明人：五十岚实;肥后丰;细见政功;鹿野博司;楠真一郎;大森广之;大石雄纪;山元哲也;山根一阳 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-12-03 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种阻抗可变型存储装置，包括通过利用基于注入电流的自旋转移效应来写入数据的阻抗可变型存储单元；和产生多个写入脉冲和用于规定写入脉冲之间的电平的偏置脉冲的合成脉冲并且在写入时提供所述合成脉冲至所述存储单元的驱动电路。
阻抗变型存储装置

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