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[发明专利]存储元件和存储器-CN200710096904.9有效
发明人：细见政功;大森广之;山元哲也;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-04-16 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储元件。该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态来保持信息的存储层，其中，通过中间层为该存储层提供磁化固定层，该中间层由绝缘体形成，以堆叠方向注入自旋极化电子来改变存储层的磁化方向，以将信息记录在存储层中，以及使微细氧化物分散在形成了存储层的铁磁层的整个或部分中
存储元件存储器

[实用新型]可防止数据被窃取的存储器-CN02216069.8无效
发明人：闵昊 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2002-03-11 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： G06F12/14 文献下载
摘要：一种可防止所存储的数据被窃取的存储器，它包括用于存储数据的存储部分；位于所述存储部分外围的第一金属层，用于形成存储器的各种信号线；覆盖所述第一金属层的绝缘层，用于使所述第一金属层绝缘；覆盖在所述绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层上加有所述存储器的使能信号。
可防止数据窃取存储器

[发明专利]存储元件、存储装置和磁头-CN201380049184.4在审
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山徹哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：提供了一种存储元件，包括分层结构，该分层结构包括：存储层，具有垂直于所述存储层的表面的磁化，并且对应于信息改变其磁化方向；钉扎磁化层，具有垂直于钉扎磁化层的表面的磁化，并且用作用于存储在存储层中的信息的标准；以及绝缘层，由非磁性材料组成并且被设置在存储层与钉扎磁化层之间。
存储元件装置磁头

[发明专利]分布式服务协调方法、装置及系统-CN202010608840.1有效
发明人：颜高飞;夏龙飞;成诺;张家宇 -专利权人：中国工商银行股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：该分布式服务协调方法应用于同步协调节点，包括：接收来自接入节点的节点接入压力和来自数据存储节点的节点存储压力；根据节点接入压力确定接入层接入压力，根据接入层接入压力生成接入容量信息后发送至运维系统；接入容量信息为接入层扩容信息或接入层缩容信息；根据节点存储压力确定数据存储层存储压力，根据数据存储层存储压力生成存储容量信息后发送至运维系统；存储容量信息为数据存储层扩容信息或数据存储层缩容信息。
分布式服务协调方法装置系统

[发明专利]存储元件和存储器-CN200710165918.1无效
发明人：五十岚实 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种存储元件，其包括：存储层，基于磁性材料的磁化状态来存储信息；以及磁化方向固定的磁化固定层，并且在存储层和磁化固定层之间设置有非磁性层。通过沿堆叠方向施加电流以改变存储层的磁化方向来将信息记录在存储层中。磁化固定层包括多个铁磁层，在多个铁磁层之间堆叠有非磁性层，并且磁化固定层包括具有沿堆叠方向的磁化分量和沿各自相反方向的磁化的磁化区域。这些磁化区域形成在多个铁磁层之中最接近存储层放置的至少一个铁磁层的两端处。
存储元件存储器

[发明专利]一种磁存储器件和存储器-CN202111033154.7在审
发明人：韩谷昌;哀立波;杨晓蕾;王明 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁存储器件和存储器，磁存储器件包括SAF层、参考层、隧道层和自由层，位于自由层背离隧道层表面的导电自旋传导层；位于导电自旋传导层背离自由层表面的、用于消除自由层和水平磁化层之间磁耦合的水平磁化层；其中，自由层的磁化方向为垂直方向。本申请中的磁存储器件翻转电流小，翻转速度快；导电自旋传导层可以降低水平磁化层对自由层静态磁矩的影响，并且，导电自旋传导层可以消除水平磁化层与自由层之间的磁耦合效应，提升磁存储器件的存储性能。
一种磁存储器存储器

[发明专利]一种基于图数据库的分布式系统-CN202011241706.9在审
发明人：方小牛;田宝同;张玄;段欢欢 -专利权人：安徽华典大数据科技有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G06F16/51 文献下载
摘要：本发明公开一种基于图数据库的分布式系统，包括客户端、数据库管理层、计算层、存储层、资源管理模块和数据导入层，计算层包括若干个分布式计算集群，分布式计算集群由查询控制节点和图查询节点组成，对存储层提取的数据进行筛选、聚合、排序等后续处理，存储层包括存储控制节点和图存储节点，图存储节点承担图数据的存储、查询和更新操作。本发明通过算子下推的方案较好地利用了图数据的邻近性来提高性能，同时也减少了存储层和计算层数据通信带来的性能开销，通过存储层和计算层分离的思路解决了分布式图数据可扩展性的问题，存储层则通过键值对结合哈希分区的思路解决了数据存储和分片的难题
一种基于数据库分布式系统

[发明专利]一种多层级分布式存储系统及存储方法-CN202210294960.8有效
发明人：张志杰 -专利权人：北京涵鑫盛科技有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本发明公开一种多层级分布式存储系统，包括物理数据存储层、逻辑编辑层、显示应用层和管理层；所述物理数据存储层，用于存储所有组织层级单位的信息处理过程数据生成日志文件存储；所有组织层级单位的数据传输文件进行收集存储；所述逻辑编辑层，每类数据类型根据存储逻辑关联点搭建近似数据类型库；所述显示应用层，用于用户查询显示存储数据时，将每类数据类型不同分类方式的存储逻辑和关联点数据展示给用户；所述管理层，用于管理物理数据存储层、逻辑编辑层和显示应用层的逻辑调用和运行。本发明降低分布式数据系统内存占用空间，将原本数据库中已有的数据进行关联性存储，提高了分布式数据系统资源共享率。
一种多层分布式存储系统存储方法

[实用新型]基于CoprHD的企业管理信息存储系统-CN201720037491.6有效
发明人：黄鑫;谢铭;张永华;陆冰芳 -专利权人：广西电网有限责任公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于CoprHD的企业管理信息存储系统，包括客户端平台、接入层、处理层、物理存储层；所述接入层分别与核心控制器、客户端平台通讯连接；所述处理层包括API接口、虚拟存储管理层、核心控制器、虚拟存储池；所述API接口分别与客户端平台、核心控制器通讯连接，可对客户端平台发起的查询、资源服务的增删改进行处理；所述虚拟存储管理层分别与核心处理层、物理存储层通讯连接，用于将物理存储层的存储及相关资源统一池化，并打包为特定IT服务形成资源的自动化管理存入虚拟存储池中。本实用新型可兼容多品牌、多系列存储设备，使异构存储运维从复杂转为简单，并可对资源池智能化运维、实现存储系统资源分配自动化。
基于 coprhd 企业管理信息存储系统

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210488960.8有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件和存储装置。一种存储元件包括分层结构。该分层结构包括存储层、磁化固定层和中间层。存储层具有与膜面垂直的磁化，其中该磁化的方向取决于信息而改变，并且该磁化的方向通过在分层结构的层压方向上施加电流而被改变从而将信息记录在存储层中。磁化固定层具有成为存储层中所存储的信息的基础的、与膜面垂直的磁化，具有包括非磁层和至少两个铁磁层的层压铁钉合结构，并且包括形成在至少两个铁磁层中的任一者上的反铁磁氧化层。中间层由非磁材料形成并且被设置在存储层和磁化固定层之间。
存储元件装置

[发明专利]电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法-CN201210510232.2有效
发明人：高琛;杨远俊 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：电场写入电阻读出固态存储元器件、存储器及其读写方法，本发明涉及一种新型非易失性固态存储元器件和存储器，以及相应的写入和读出方法。本发明的固态存储元器件包括底电极层、形成在底电极层之上的铁电性压电层、紧邻铁电性压电层并位于其上的电阻层、位于电阻层上的顶电极层。铁电性压电层作为信息的存储层，在电场作用下具有两个或多个应变态，并且其使电阻层具有两个或者多个非易失性电阻态，使电阻层作为信息的读出层。本发明的固态存储元器件利用电场将信息写入，而且能被非破坏性地读出，具有功耗低、非易失性、存储速度快以及存储密度高等优点。
电场写入电阻读出固态存储元器件存储器及其读写方法

[发明专利]存储查询计划的方法和系统-CN201980084933.4在审
发明人：郑方;陈哲;李瑞萍;罗从难;董宇;张洁;张莉;吉剑南;崔栋灿;占超群 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：用于将查询计划存储在缓存部中的方法和计算机系统。所述方法可以包括以下步骤：确定查询计划的使用频率；基于所确定的使用频率来确定用于存储查询计划的目标存储层，其中，缓存部包括至少两个存储层，并且所述存储层中的各个存储层与查询计划的压缩级别相关联；根据目标存储层的压缩级别来处理查询计划；以及将经处理的查询计划存储在目标存储层中。
存储查询计划方法系统

[发明专利]阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置-CN201611076209.1有效
发明人：张翼英;陈卓凡 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种阻变随机存储器存储单元及其制作方法、电子装置，该阻变随机存储器存储单元包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成图形化的第一电极材料层；在第一电极材料层的侧壁上依次形成阻变材料层和第二左电极材料层；在所述半导体衬底形成第一层间介电层，所述第一层间介电层覆盖所述第二电极材料层的侧壁；沿第一方向对述第一电极材料层、阻变材料层和第二左电极材料层进行切割，以形成多个间隔的阻变随机存储器存储单元。该阻变随机存储器存储单元具有改善的工作窗口和存储密度，因而具有更高的存储密度和更低的成本，以及更好地性能。该阻变随机存储器存储单元的制作方法可以提高器件存储密度和工作窗口。该电子装置具有类似的优点。
随机存储器存储单元及其制作方法电子装置

[发明专利]相变存储器及其制作方法-CN202210252105.0在审
发明人：李松;刘峻;杨海波;彭文林;刘广宇 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种相变存储器及相变存储器的制造方法，所述相变存储器包括：相变存储单元；所述相变存储单元至少包括相变存储层；隔热结构；所述隔热结构至少部分覆盖所述相变存储层的侧壁，且所述隔热结构用于减缓所述相变存储层的散热；修复层；所述修复层至少位于所述隔热结构与所述相变存储单元之间，且所述修复层用于修复所述隔热结构和所述相变存储单元之间的结构缺陷。
相变存储器及其制作方法

[发明专利]嵌入横向扩展键值存储系统的文件系统及文件管理方法-CN201910490456.3有效
发明人：万继光;谢长生;王中华;郑文凯 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G06F16/51 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入横向扩展键值存储系统的文件系统及文件管理方法，属于信息存储技术领域，文件系统包括：内存层、第一键值存储层以及第二键值存储层；内存层用于缓存外来写入数据，达到预设写入量后将数据写入第一键值存储层；第一键值存储层用于通过第一数据表接收并存储来自内存层的数据，并在第一数据表满时将其中存储的内容写入第二键值存储层；第二键值存储层用于通过第二数据表接收并存储来自第一键值存储层的数据；第一键值存储层还包括二级索引结构本发明能够显著改善用于存储海量小文件的文件系统所存在的读放大、写放大和空间放大的问题。
嵌入横向扩展键值存储系统文件系统文件管理方法