“存储层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3918870个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种磁性多层膜及磁性存储器-CN202310026081.1在审
发明人：吴迪;李尚坤 -专利权人：苏州凌存科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性多层膜及磁性存储器，其中，一种磁性多层膜包括第一磁性层和磁性存储器件，磁性存储器件包括第二磁性层和磁性存储单元，第二磁性层与第一磁性层叠层设置，磁性存储单元与第二磁性层背离第一磁性层的一侧的界面叠层设置，第一磁性层的尺寸分别大于第二磁性层的尺寸和磁性存储单元的尺寸。第一磁性层的形状为长条形，由于形状各向异性，第一磁性层磁矩沿长边方向排列。第一磁性层的磁矩与第二磁性层的磁矩相互耦合。由于耦合作用，第二磁性层的磁矩同样倾向于第一磁性层的长边方向排列。因此第二磁性层可以引入稳定的面内磁场，且磁性存储器件设置为多个，从而增加磁性存储器的存储密度。
一种磁性多层存储器

[发明专利]三维半导体器件及其制造方法-CN201410283868.7有效
发明人：霍宗亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种三维半导体器件，包括多个存储单元，每一个包括沟道层，沿垂直于衬底表面的方向分布；多个层间绝缘层与多个栅极导电层，沿着沟道层的侧壁交替层叠；栅极介质层，位于所述多个层间绝缘层与所述沟道层的侧壁之间；漏极，位于沟道层的顶部；以及源极，位于多个存储单元的相邻两个存储单元之间的衬底中；在多个存储单元的每一个周围，进一步包括多个第二栅极介质层和多个第二沟道层，其中第二栅极介质层包括隧穿层、存储层、阻挡层。依照本发明的三维半导体存储器件及其制造方法，在垂直沟道周围形成辅助存储单元串堆叠构成的电流通道，有效提高了空间利用率以及存储串开态电流以及电流变，从而提高了存储阵列的读取电流和读取速度。
三维半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种三维结构的NAND铁电存储单元及其制备方法-CN202011027562.7有效
发明人：廖敏;戴思维;郇延伟;杨棋钧;刘兆通;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：一种三维结构的NAND铁电存储单元及其制备方法，其中，铁电存储单元包括：由内至外依次设置的氧化物绝缘层、沟道层、沟道缓冲层、铁电层和栅极缓冲层和栅极；沟道层和铁电层之间设置有沟道缓冲层；和/或，铁电层和栅极之间设置有栅极缓冲层本发明的存储单元，缓冲层具有以下作用：1.可诱导铁电薄膜结晶生成铁电相；2.可减小统一退火结晶时沟道层和铁电层不同结晶特性造成的不利影响，提高沉积薄膜的质量和均一性；3.缓冲层可以提高沟道层的界面性能，故，缓冲层可整体提高三维结构中存储单元的存储性能和均一性，增大存储单元的存储窗口、提高存储单元的疲劳性能并提升多个晶体管存储性能的均一性。
一种三维结构 nand 存储单元及其制备方法

[实用新型]便于收纳存储卡的读卡器-CN201220407432.0有效
发明人：闫文 -专利权人：西安思宇唐诚软件有限责任公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G06K7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电脑产品周边的的技术领域，尤其涉及一种便于收纳存储卡的读卡器，所述读卡器包括外壳、USB接口、存储卡收纳层、存储卡读取层，所述存储卡收纳层、存储卡读取层置于读卡器壳内且为上下分层结构，所述USB接口与存储卡读取层相连；所述存储卡收纳层可转动地设于所述读卡器内，所述存储卡收纳层内设有多个存储卡收纳槽；所述存储卡读取层设有多个存储卡读卡槽。
便于收纳存储读卡器

[发明专利]基于网络日志的大数据分析系统-CN201910270980.X在审
发明人：郭博;包刚 -专利权人：北京市天元网络技术股份有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：本发明提供一种基于网络日志的大数据分析系统，本发明包括采集层、存储层、业务层和显示层：采集层，用于从目标网络中获取日志记录文件，将获取到的日志记录文件发送给存储层；存储层，用于接收采集层发送来的日志记录文件并进行分布式存储；业务层，用于从存储层中获取日志记录文件，对所述日志记录文件进行统计分析，将所述统计分析结果发送给显示层；显示层，用于接收业务层发送来的统计分析结果并展示。本发明对获取到的日志记录文件进行分布式存储，同时基于大数据分析技术对存储的日志记录文件进行统计分析，相比传统的单机技术具有存储安全、分析快速的有益效果。
日志记录文件统计分析存储层采集层大数据显示层分布式存储分析系统网络日志业务层发送存储安全接收业务目标网络传统的单机存储分析展示

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN02120373.3有效
发明人：刘光文;黄仲文;吕瑞霖 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种存储器装置及其制造方法，该装置包括存储器基板、绝缘层、阻挡金属层、第二介电层及第二金属层。存储器基板包括基板、存储单元区、外围电路区、第一介电层及第一金属层，存储单元区与外围电路区形成于基板，第一介电层形成于存储单元区与外围电路区，第一金属层形成于第一介电层，绝缘层形成于未被第一金属层覆盖的第一介电层上，阻挡金属层形成于存储单元区上方的绝缘层，第二介电层形成于阻挡金属层、未被阻挡金属层覆盖的绝缘层及未被阻挡金属层与绝缘层覆盖的第一金属层，第二金属层形成于第二介电层。本发明是于绝缘层形成阻挡金属层，能利用阻挡金属层挡住等离子体电荷，避免电荷被捕捉在存储单元栅极，提高元件的稳定性及可靠度。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]存储节点及其制造方法,相变存储器件及其制造和操作方法-CN200710185796.2无效
发明人：许智贤;姜闰浩;李孝锡;崔赫洵;申在光;吴在浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储节点，具有存储节点的相变存储器件，制造相变存储器件的方法以及操作相变存储器件的方法。相变存储器件包括开关器件和连接到开关器件的存储节点。存储节点包括底部电极，形成在底部电极上的相变层，形成在相变层上的材料层以及围绕材料层形成在相变层上的上部电极。
存储节点及其制造方法相变器件操作方法

[发明专利]一种光控电容型铁电存储器及其制备方法-CN202211568188.0有效
发明人：周久人;刘艳;刘宁;韩根全;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光控电容型铁电存储器，包括自下而上依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层、顶电极；所述半导体层的耗尽层电容状态代表了铁电存储器的存储信息；所述顶电极施加电压，半导体层中的载流子数量受光照调控与铁电介质层中的极化电荷相互响应，并改变半导体层的耗尽层电容状态。本发明利用光电调控铁电介质层的电极化状态，进而编辑半导体层的耗尽层电容状态，通过半导体层的耗尽层电容状态表征铁电存储器的存储信息，从而使存储器具有光信号感知功能和信息存储功能，且该存储器为电容型存储器，
一种光控电容型铁电存储器及其制备方法

[发明专利]存储器单元、半导体器件及其形成方法-CN202110478013.X在审
发明人：张志宇;林孟汉;杨世海;杨柏峰;林佑明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L27/11565 文献下载
摘要：存储器单元包括：晶体管，包括沿字线延伸的存储器膜；沟道层，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于沟道层和字线之间；源极线，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于源极线和字线之间；第一接触层，位于源极线上，其中，第一接触层接触沟道层和存储器膜；位线，沿存储器膜延伸，其中，存储器膜位于位线和字线之间；第二接触层，位于位线上，其中，第二接触层接触沟道层和存储器膜；以及隔离区域，位于源极线和位线之间。
存储器单元半导体器件及其形成方法

[发明专利]信息存储介质-CN200710006516.7有效
发明人：李坰根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：一种具有多个信息存储层的信息存储介质，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制(OPC)区。从光入射在该信息存储介质上的方向看，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区一个被布置在另一个之上以使它们彼此不直接正对。在每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区取决于每个信息存储层的使用环境而变化。因此，当一个信息存储层的OPC区执行OPC时，OPC不会影响另一信息存储层。另外，每个信息存储层的区能被有效地被使用。
信息存储介质

[发明专利]信息存储介质-CN200710006517.1有效
发明人：李坰根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：一种具有多个信息存储层的信息存储介质，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制(OPC)区。从光入射在该信息存储介质上的方向看，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区一个被布置在另一个之上以使它们彼此不直接正对。在每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区取决于每个信息存储层的使用环境而变化。因此，当一个信息存储层的OPC区执行OPC时，OPC不会影响另一信息存储层。另外，每个信息存储层的区能被有效地被使用。
信息存储介质

[发明专利]信息存储介质-CN200480002923.5有效
发明人：李坰根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-06-26 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： G11B7/007 文献下载
摘要：一种具有多个信息存储层的信息存储介质，每个信息存储层包括用于获得最佳记录条件的最佳功率控制(OPC)区。从光入射在该信息存储介质上的方向看，奇数和偶数信息存储层中的最佳功率控制区一个被布置在另一个之上以使它们彼此不直接正对。在每个信息存储层中的最佳功率控制区的实际可用区取决于每个信息存储层的使用环境而变化。因此，当一个信息存储层的OPC区执行OPC时，OPC不会影响另一信息存储层。另外，每个信息存储层的区能被有效地被使用。
信息存储介质

[发明专利]存储系统和存储器件-CN201710342461.0有效
发明人：肥后丰;细见政功;大森广之;别所和宏;浅山徹哉;山根一阳;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及存储系统和存储器件。存储系统包括：存储器件，包括多个存储单元；驱动电路，被配置为控制所述存储单元；以及存储控制单元，被配置为在所述存储器件记录数据之前，向所述存储器件提供待机电流，其中，所述存储单元中的每一个包括存储层、磁化固定层、包括非磁性材料的设置在所述存储层与所述磁化固定层之间的中间层、设置在所述存储层上方的顶部电极、设置在所述磁化固定层上方的底部电极；其中，电流被配置为在所述顶部电极与所述底部电极之间在层压方向上流动。
存储系统存储器件

[发明专利]一种铁电存储器、制作方法及操作方法-CN201910349686.8在审
发明人：李春龙;霍宗亮;张瑜;洪培真;邹兴奇;靳磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电存储器、制作方法及操作方法，该铁电存储器结构在铁电存储层和介质层之间插入一层辅栅层，其栅极叠层结构主要包括介质层、辅栅层、铁电存储层和主栅层，利用辅栅层和主栅层直接对铁电存储层施加极化翻转电压，解决了现有技术中存在介质层分压的问题，进而降低了编程和擦除的操作电压，同时也保证了读取电压的不变，有效消除了电荷俘获效应，增大了存储窗口，进一步提高了铁电存储器的读取速度、保持特性和耐久性。
铁电存储器铁电存储介质层栅层主栅读取电荷俘获效应极化翻转电压操作电压存储窗口读取电压栅极叠层擦除分压制作编程施加保证

[发明专利]光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法-CN202210149829.2在审
发明人：朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本申请提供一种光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法，属于半导体存储器件领域。光电存储器件包括：衬底、源/漏电极、沟道层、绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极，绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极依次设置；其中，浮栅层与绝缘介质层之间和浮栅层与光敏介质层之间均形成势垒，光敏介质层在暗态下为绝缘体属性，光敏介质层在带隙匹配的光辐照下为半导体属性。数据存储方法采用该光电存储器件进行，具有较低的操作电压要求，能较好适应不同的应用场合，且能较好地实现多值存储。
光电存储器件及其制备方法以及数据