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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910007226.3无效
发明人：朴钟范;宋翰相;朴钟国 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：穿透第一层间绝缘层并部分突出高于所述第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞；接触所述突出高于第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞的第二存储节点接触塞；接触第二存储节点接触塞顶表面的存储节点；和在所述第一层间绝缘层上形成的第二层间绝缘层，其中所述第二层间绝缘层包围第一存储节点底部区的外侧壁、突出高于第一层间绝缘层的第一存储节点接触塞和第二存储节点接触塞。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]存储设备-CN201880021327.3在审
发明人：野野口诚二;荒谷胜久;大场和博 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：按照本公开的一个实施例的存储设备包括：沿一个方向延伸的多个第一配线层，沿另一个方向延伸的多个第二配线层，和多个存储器单元，所述多个存储器单元设置在其中所述多个第一配线层和所述多个第二配线层彼此相对的相应对向区域中所述多个存储器单元各自包括选择元件层、存储元件层、和设置在所述选择元件层与所述存储元件层之间的中间电极层。所述选择元件层、存储元件层和中间电极层中的一个或多个是在所述多个存储器单元之间共有的公共层，其中所述多个存储器单元彼此相邻并沿所述一个方向或另一个方向延伸。所述中间电极层包括非线性电阻材料。
存储器单元配线层存储元件层中间电极层方向延伸选择元件非线性电阻材料彼此相对存储设备公共层对向

[发明专利]一种触觉存储电子器件及电子设备-CN201810319746.7在审
发明人：董桂芳;郭航 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种触觉存储电子器件及电子设备，其中，该触觉存储电子器件包括：基底、电极、半导体层、绝缘存储层和摩擦传感层；电极，设置在基底上，电极包括至少两个；半导体层，设置在基底上，连接电极；绝缘存储层，设置在半导体层上；摩擦传感层，设置在绝缘存储层上。该触觉存储电子器件的电极之间通过半导体层进行连接，接触面积大、可靠性高；电子器件的绝缘存储层和摩擦传感层直接接触，用于探测触觉信号，并且器件结构简单、制作方便，易于集成。
电子器件半导体层电极存储层触觉绝缘传感层存储基底摩擦电子设备触觉信号连接电极器件结构制作方便探测

[发明专利]一种数据处理方法、装置、设备及介质-CN202011181171.0在审
发明人：张孙旻 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种数据处理方法、装置、设备、介质，该方法包括：将目标设备中各个存储层上的已存储数据划分成大小相同的数据块，并获取各个所述数据块的访问信息；根据所述访问信息中的访问次数、最近访问时间戳以及预设调整参数确定出各个所述数据块的热参数值；根据所述热参数值分别确定出各个所述存储层上的冷数据块和热数据块；将当前存储层上的所述热数据块迁移存储到存储性能比当前存储层高一级的存储层，并将当前存储层上的所述冷数据块迁移存储到存储性能比当前存储层低一级的存储层这样能够提高数据读取时在高存储性能的存储层中的命中率，满足用户操作数据的实时性，提高系统性能。
一种数据处理方法装置设备介质

[发明专利]存储元件和存储设备-CN201210488520.2有效
发明人：山根一阳;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰;浅山彻哉;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种存储元件和存储设备。存储元件具有层叠的结构，包括存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，并且磁化方向取决于信息而变化，并包括Co‑Fe‑B磁性层，磁化方向通过在层叠结构的层叠方向施加电流以在存储层中记录信息而改变，磁化固定层，其具有与变成存储在存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化，以及中间层，其由非磁性材料形成，并设置在存储层和磁化固定层之间；第一氧化层和第二氧化层。
存储元件设备

[发明专利]一种云存储系统和方法-CN200910188892.1有效
发明人：周扬;钱静静;赵培;王洪斌 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种云存储系统和方法，其中，该系统包括全局调度层和云存储层，其中：所述全局调度层，用于根据接受到的访问请求，根据所述访问请求的资源，定位所述资源所在所述云存储层的位置；所述全局调度层由一个或一个以上的服务器组成；所述云存储层由至少一个云存储节点组成。通过使用全局调度层和云存储层，使得既能够利用全局调度层所具有的传统存储架构的优点，同时也能够利用云存储层所具有的可扩展性强，成本低的优点。
一种存储系统方法

[发明专利]抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法-CN202211068186.5在审
发明人：方彬;范亚明;曾中明 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法。所述抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括依次层叠设置的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，其中，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随通入所述第一反铁磁层的电流改变，且所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。本发明提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器具有抗外部磁场干扰、热稳定性高等特点。
磁场干扰自旋轨道磁性随机存储器信息存储方法

[发明专利]存储装置和存取方法-CN98117987.8无效
发明人：近藤哲二郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 1998-07-30 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：一种不用行延迟电路的执行分层编码的存储装置和存取方法。第一、二存储器均被分成存储体A和B。分别读出储存在第一、二层存储器中存储体A内的第一、二层象素，从第二层象素中减去第一层象素以最终确定第一象素，将其写入第二存储器。分别读出储存在第一、二层存储器中存储体B内的第一、二层象素，将第一层象素相加来确定原始的第二层象素，将储存在第二存储器存储体B地址中的第一层象素的值重新写回到原始的第二层象素处。
存储装置存取方法

[发明专利]移动控制方法、装置、电子设备以及烹饪系统-CN202110819380.1在审
发明人：王杰俊;曾巧;陈松林 -专利权人：广东智源机器人科技有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种移动控制方法、装置、电子设备以及烹饪系统，所述烹饪系统包括存储装置以及移动装置，所述存储装置中包含多个存储层，所述方法包括：获取待存储目标；判断所述待存储目标与所述存储层中存有目标的类别是否相同；基于判断结果从多个所述存储层中，搜索到第一目标存储层；基于所述第一目标存储层，控制所述移动装置执行第一操作，所述第一操作包括将所述待存储目标存入所述第一目标存储层中。
移动控制方法装置电子设备以及烹饪系统

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201910090397.0有效
发明人：大贺淳;原川秀明;永岛贤史;福田夏树 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：实施方式涉及半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括：第1层叠体，包括第1半导体层、第1存储膜、多个第1布线层、第2半导体层、第2存储膜以及多个第2布线层；接合部件，设置于第1半导体层以及第2半导体层上；第1层，配置在接合部件的上方，覆盖第1半导体层以及第1存储膜；第2层，配置在接合部件的上方，覆盖第2半导体层以及第2存储膜；以及第2层叠体。第2层叠体包括第3半导体层、第3存储膜、多个第3布线层、第4半导体层、第4存储膜以及多个第4布线层。第5半导体层设置于第1层与第2层之间，将第3半导体层与第4半导体层电连接并且电连接于接合部件。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]磁阻元件、存储元件和电子装置-CN201780019006.5在审
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：提供一种磁阻元件，所述磁阻元件具备：其中磁化方向对应于信息地变化的存储层；第一磁化固定层，第一磁体固定层被设置在存储层之下，具有与薄膜表面，即存储在存储层中的信息的基准垂直的磁化方向；第二磁化固定层，第二磁体固定层被设置在存储层之上，具有与薄膜表面，即存储在存储层中的信息的基准垂直的磁化方向，所述磁化方向与第一磁化固定层的磁化方向相反；设置在第一磁化固定层和存储层之间的第一中间层；和设置在第二磁化固定层和存储层之间的第二中间层。存储层是通过按顺序层叠第一磁性材料层、非磁性材料层和第二磁性材料层构成的，并且第一磁性材料层或第二磁性材料层具有与薄膜表面平行的磁化方向。
存储层磁化方向磁化固定层磁性材料层薄膜表面磁阻元件磁体固定层垂直的中间层存储非磁性材料层磁阻变化率存储元件电子装置平行恶化

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202110041163.4在审
发明人：陈佳宏;叶宇寰;王泉富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括基底、第一介电层、第二介电层、电荷存储层、氧化物层与导体层。第一介电层设置在基底上。第二介电层设置在第一介电层上。电荷存储层设置在第一介电层与第二介电层之间。氧化物层位于电荷存储层的两末端，且设置在第一介电层与第二介电层之间。导体层设置在第二介电层上。上述存储器结构可有效地防止电荷流失，进而可提升存储器元件的数据保存能力与可靠度。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]一种超级计算机作业数据分层存储系统及方法-CN202210145523.X有效
发明人：庞晓磊;李长松;张婷;刘嘉琦;赵欣婷;徐斌;夏梓峻;张健;孙福兴;贾子傲;王普;杨晶 -专利权人：天津市天河计算机技术有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种超级计算机作业数据分层存储系统及方法，通过将存储层分为包括高速存储层、在线存储层和近线存储层的三层存储系统，同时基于三层存储系统分别构建了作业数据拷贝回传机制、原始数据存留时间计算机制和作业数据自动归档和换回机制，并将超级计算机系统与三层存储系统进行融合，实现了在控制存储系统整体设备成本的前提下，解决了超级计算机系统用户作业数据存储空间、存取性能和设备成本之间的矛盾，在保持存储设备低成本的同时，提高存储系统总可用空间和存储服务IO性能，提高数据总可用存储空间，降低存储系统设备平均成本。
一种超级计算机作业数据分层存储系统方法

[发明专利]闪存器件及其制备方法-CN202310854276.5在审
发明人：王壮壮;杜怡行;姚春;顾林 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B41/50 文献下载
摘要：本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供衬底、衬垫氧化层和浮栅层，衬底包含存储区和外围逻辑区；在浮栅层、衬垫氧化层和部分厚度的衬底中形成若干沟槽；在沟槽中填充隔离材料层；在隔离材料层和浮栅层表面形成光刻胶层；利用打开存储区光罩得到保留光刻胶层，其中，保留光刻胶层覆盖外围逻辑区和存储区交界处的隔离材料层；刻蚀存储区内的沟槽中的部分隔离材料层。本申请通过利用一打开存储区光罩，该打开存储区光罩只打开存储区内部区域，不打开外围逻辑区和外围逻辑区和存储区交界处区域，使得外围逻辑区和存储区交界处的隔离材料层上表面和浮栅层上表面齐平，从而消除外围逻辑区和存储区交界处的台阶高度差
闪存器件及其制备方法

[发明专利]存储器的制作方法、存储器以及存储器系统-CN202210291959.X在审
发明人：黄文龙;李思晢;刘沙沙;张天辉;高晶;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器的制作方法、存储器以及存储器系统，该方法包括：在衬底上形成堆叠层，堆叠层具有靠近衬底的第一侧与背离所述衬底的第二侧；形成贯穿堆叠层并延伸至衬底内的存储沟道孔；去除衬底；从第一侧在存储沟道孔中形成存储沟道结构，存储沟道结构包括存储功能层和沟道层，且具有靠近第二侧的第二端部；去除第二端部中的存储功能层，并暴露出第二端部中的沟道层；在堆叠层的所述第二侧上形成半导体层，半导体层覆盖暴露出的沟道层，从而能在不损伤存储沟道结构的前提下，制作高度统一的存储沟道结构，提高存储器性能，且有利于降低沟道孔的制作要求，降低工艺难度。
存储器制作方法以及系统