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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]存储器结构-CN202320948234.3有效
发明人：杨智铨;张朝渊;林士豪;包家豪;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本公开提出一种存储器结构。存储器单元阵列包括存储器单元和在第一方向上延伸的第一N型井。存储器结构还包括形成在存储器结构的外围区中的第二N型井。第二N型井在第二方向上延伸，并且与第一N型井的一个接触。存储器结构还包括形成在第二N型井中的拾取区。拾取区电性耦合至第一N型井的一个。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN201811092062.4在审
发明人：夏志良;陈俊;鲍琨;董金文;华文宇;靳磊;江宁;刘峻 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器结构，所述存储器结构包括：衬底层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底层内形成有导电区域，所述导电区域的顶部朝向所述衬底层的第一表面，所述导电区域的底部朝向所述衬底层的第二表面；存储层，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上；隔离结构，贯穿所述衬底层，且位于所述导电区域边缘，包围所述导电区域设置，用于隔离所述导电区域与所述隔离结构外围的衬底层；所述导电区域包括：位于所述导电区域底部的屏蔽层所述存储器的性能得到提高。
导电区域衬底层存储器结构第一表面第二表面隔离结构存储层屏蔽层存储器隔离外围包围贯穿

[发明专利]存储器结构-CN201610086854.5在审
发明人：永井享浩 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2016-02-16 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构，包括基底、选择栅极结构、第一重掺杂区、第二重掺杂区及浮置接触窗。选择栅极结构设置于基底上。第一重掺杂区与第二重掺杂区分别设置于选择栅极结构一侧与另一侧的基底中。浮置接触窗设置于第一重掺杂区与选择栅极结构之间的基底上，且与基底相互隔离。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN201910401267.4在审
发明人：赵舜昊 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构，其包括基底、第一晶体管、第二晶体管与沟槽式电容器。沟槽式电容器设置在基底中，且连接于第一晶体管与第二晶体管之间。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202010227066.X在审
发明人：杨圣辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器结构，包括一基底、一栅极堆叠、一第一应变层、一第二应变层、一位元线接触结构及一电容器接触点。基底具有至少一鳍部；一栅极堆叠穿过该至少一鳍部；一第一应变层配置在该栅极堆叠的一第一侧；一第二应变层配置在该栅极堆叠的一第二侧；一位元线接触结构电性连接该第一应变层；一电容器接触点电性连接该第二应变层。该存储器结构还包括一电容器，经由该电容器接触点而电性连接到该第二应变层。该存储器结构还包括一位元线，经由该位元线接触结构而电性连接到该第一应变层。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202010087780.3在审
发明人：赖昇志;林仲德;陈永育 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器结构及其形成的方法。本公开的存储器结构包括一底部介质层、从该底部介质层垂直延伸的一栅极结构、一堆叠结构，以及延伸于该栅极结构与该堆叠结构之间的一介质层。该堆叠结构包括一第一硅化物层、一第二硅化物层、延伸于该第一硅化物层与该第二硅化物层之间的一氧化物层、覆盖该氧化物层与延伸于该第一与第二硅化物层之间的一通道区，以及覆盖该第二硅化物层的一隔离层。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202111063721.3在审
发明人：向银松;刘隆冬;任连娟 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器结构，所述存储器结构包括：衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向交替堆叠的控制栅极和绝缘层；沟道孔结构，贯穿所述堆叠结构；所述控制栅极的宽度小于所述绝缘层的宽度上述存储器结构形成难度低，提高存储器结构的性能。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202010984703.8在审
发明人：陈威臣;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器结构。存储器结构包含第一通道本体、第一源极区、第一漏极区、第一栅极结构与第二栅极结构。第一源极区具有第一导电类型且连接至第一通道本体的第一端。第一栅极结构设置为相邻于第一通道本体且介于第一端与第二端之间。第二栅极结构设置为相邻于第一通道本体且介于第一端与第二端之间。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202210518136.6在审
发明人： E.哈拉里 -专利权人：日升存储公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种存储器结构，包括：储存晶体管，其具有沟道区域、电荷储存区域、栅极端子、第一漏极端子或第一源极端子、以及第二漏极端子或第二源极端子，该储存晶体管具有表示储存在所述电荷储存区域中的电荷的可变阈值电压；字线
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202210596307.7在审
发明人：樊圣亭;陈威臣;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器结构，包括基板、第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构、通道本体、介电膜以及第一侧插塞。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构设置于基板上，沿着第一方向彼此分开且分别沿着第二方向与第三方向延伸。通道本体彼此分开且沿着第一方向穿过第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构。介电膜设置于第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构与通道本体之间。第一侧插塞电性连接于基板及通道本体。第一栅极结构、第二栅极结构及第三栅极结构环绕各个介电膜与各个通道本体，且介电膜不包括电荷存储结构。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202110966714.8在审
发明人：张立鹏;张三荣 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构，包括基底与一次可编程存储器元件。一次可编程存储器元件包括第一埋入式栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区、第一接触窗、反熔丝材料层、第一导线与第二接触窗。第一埋入式栅极结构设置在基底中。第一掺杂区与第二掺杂区位于第一埋入式栅极结构的两侧的基底中。第一接触窗设置在第一掺杂区上。反熔丝材料层设置在第一接触窗与第一掺杂区之间。第一导线设置在第一接触窗上。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202111058786.9在审
发明人：王子嵩 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开一种存储器结构，包括基底以及多个存储单元。多个存储单元堆叠设置在基底上。每个存储单元包括第一导体层、第一栅极、第二栅极、第二导体层、沟道层与第一电荷存储层。第一电荷存储层位于第一栅极与沟道层之间。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202110791853.1在审
发明人：杨正杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种存储器结构，包括：电容结构，电容结构具有上电极层；导电柱，导电柱位于上电极层上，且与上电极层接触电连接；金属层，金属层位于导电柱远离上电极层的一侧，且导电柱与金属层朝向上电极层的表面相接触
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN202310661380.2在审
发明人：颜逸飞;陈辉煌;林昭维 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器结构，包括衬底、设置在衬底上的第一元件层，以及设置在衬底和第一元件层之间的第二元件层。第一元件层中包括多个存储区块，以及用于控制存储区块的存储单元的多条字线和位线。第二元件层包括第一周边区块和第二周边区块，其中于垂直方向上，第一周边区块和第二周边区块分别与相邻的两个存储区块部分重叠，本公开实施例可以提高存储区块的面积比，在有限的晶片面积内获得更高的存储容量。
存储器结构

[发明专利]存储器结构-CN201510256696.9有效
发明人：丁达刚;王智彬 -专利权人：补丁科技股份有限公司
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器结构。所述存储器结构包含K条第一字线、M组第二字线与存储器单元阵列。K与M为正整数。每一组第二字线包含多条第二字线。所述存储器单元阵列包含M个存储体。每一存储体包含排列成多列与多行的多个存储器单元。所述M个存储体均耦接到所述K条第一字线但分别耦接到所述M组第二字线。所述M个存储体通过所述K条第一字线接收一组第一字线信号，及分别通过所述M组第二字线接收M组第二字线信号。每一存储体依据所述组第一字线信号及相对应的一组第二字线信号来进行数据存取。所述存储器结构可提供多个存储体，通过锁存型字线驱动电路来实现无缝读写操作，进而达成高带宽存取与高速随机存取的目的。
存储器结构

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