专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储芯片测试电路装置和测试方法-CN201811032357.2有效
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2018-09-05 - 2023-10-20 - G11C29/56
  • 本发明提供了一种存储芯片测试电路装置以及方法,第一存储阵列输出的第一测试数据通过第一压缩电路进行压缩,生成第一压缩数据。第二存储阵列输出的第二测试数据通过第二压缩电路进行压缩,生成第二压缩数据。利用第三压缩电路对第一压缩数据和第二压缩数据进行再次压缩,生成第三压缩数据。不仅可以将生成的第一压缩数据输出,还可以通过多路复用器选择输出第二压缩数据和第三压缩数据中的一种。不仅能够得到存储芯片是否失效的检测结论,还可以得到存储芯片中第一存储阵列以及第二存储阵列失效的检测结论,精确定位失效位置。测试机通过连接一个端口能够得到存储芯片以及存储阵列的失效情况,提高了测试效率。
  • 存储芯片测试电路装置方法
  • [发明专利]一种硅通孔阵列结构及半导体存储器-CN202210306134.0在审
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-25 - 2023-10-10 - H01L23/48
  • 本公开实施例提供了一种硅通孔阵列结构及半导体存储器,该硅通孔阵列结构包括多个第一电源阵列、多个第二电源阵列和多个信号阵列;其中,多个第一电源阵列、多个信号阵列和多个第二电源阵列均沿第一方向延伸;多个信号阵列和多个第一电源阵列沿第二方向间隔排列;每个信号阵列包括沿第二方向排列的第一信号子阵列和第二信号子阵列,且第一信号子阵列和第二信号子阵列之间设置一个第二电源阵列;其中,第一方向和第二方向垂直。这样,电源传输和信号传输的区域交错设置,能够有效降低电源传输及信号传输中的信号干扰现象,改善信号传输质量。
  • 一种硅通孔阵列结构半导体存储器
  • [发明专利]一种芯片布局结构以及半导体存储器-CN202210307366.8在审
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-25 - 2023-10-10 - H01L27/02
  • 本申请实施例提供了一种芯片布局结构以及半导体存储器,该芯片布局结构包括多个信号传输区域和多个存储区域,且多个存储区域呈阵列排布;位于同一行的多个存储区域对应设置同一个信号传输区域,多个信号传输区域平行设置,且多个信号传输区域沿着第一方向间隔分布;每个存储区域包括两个存储子区域,两个存储子区域分布于对应设置的信号传输区域两侧;两个存储子区域沿第一方向间隔分布,存储子区域沿第二方向延伸,第一方向与第二方向垂直设置;存储子区域均包括多个矩阵分布的存储块,存储子区域在第一方向分布的存储块数目小于或等于存储子区域在第二方向分布的存储块数目。这样,本申请实施例提供的芯片布局结构能够提高信号传输的速度。
  • 一种芯片布局结构以及半导体存储器
  • [发明专利]半导体结构及存储器-CN202210245948.8在审
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-14 - 2023-09-22 - H01L23/544
  • 本公开提供一种半导体结构及存储器。半导体结构包括堆叠芯片组件,堆叠芯片组件包括堆叠设置的多个半导体芯片,各半导体芯片中均设置有第一电连接结构,相邻半导体芯片之间通过第一电连接结构连接;至少一个半导体芯片上设置有堆叠芯片测试垫,堆叠芯片测试垫与其所在的半导体芯片中的第一电连接结构以及待测试电路均相连,以将堆叠芯片测试垫接收的测试信号传输至各半导体芯片。本公开实施例提供的半导体结构通过设置堆叠芯片测试垫,无需与控制芯片连接即可实现对堆叠芯片组件的测试,提高该半导体结构的测试灵活性和适用性。
  • 半导体结构存储器
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202310923103.4在审
  • 严勋;杨正杰 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-24 - 2023-09-19 - H01L21/764
  • 本申请实施例提供一种半导体结构及其制作方法,其中,半导体结构包括:多个导电线结构;相邻的两个导电线结构之间具有第一沟槽;隔离结构,部分填充第一沟槽且具有中空结构;中空结构的顶部开口尺寸小于中空结构的中部开口尺寸;隔离结构与两侧相邻的导电线结构之间均具有第二沟槽;盖层,至少覆盖导电线结构和隔离结构,中空结构与盖层形成有第一气隙;第二沟槽与盖层形成有第二气隙。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]一种半导体结构-CN202210208256.6在审
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-03 - 2023-09-15 - H01L23/498
  • 本公开提供一种半导体结构,包括堆叠结构,堆叠结构包括堆叠设置的多个半导体裸片,各个半导体裸片均包括:第一基体;设置于第一基体上的通道;贯穿第一基体的至少一个第一辅助穿通电极和多个连接穿通电极,至少一个第一辅助穿通电极由多个连接穿通电极包围设置;相邻半导体裸片的连接穿通电极通过第一电连接结构连接,以形成多条相互隔绝的传输路径,每一条传输路径均通过其上的至少一个连接穿通电极连接至少一个通道。这种布置方式既能够保证第一辅助穿通电极的散热作用,又能够使得半导体裸片上的穿通电极的布置更加紧凑,从而减小穿通电极的占用面积,以减小半导体结构的体积。
  • 一种半导体结构
  • [发明专利]测试电路及测试方法-CN202210049696.1在审
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-17 - 2023-07-25 - G11C29/12
  • 本公开实施例公开了一种测试电路及测试方法。其中,测试电路包括:第一信号端,用于接收第一电压;第二信号端,用于接收第二电压,所述第二电压的电压值低于所述第一电压的电压值;信号输出端,连接子字线驱动器的第一输入端;控制端,用于接收测试信号;基于所述测试信号的不同电平,所述信号输出端将所述第一电压或所述第二电压输出至所述第一输入端。本公开实施例的测试电路能够提高存在短路风险的问题产品的检出率。
  • 测试电路方法
  • [发明专利]一种有源矩阵有机发光显示面板及其制备方法-CN202211639410.1在审
  • 杨正杰;段丹妮;未治奎 - 上海和辉光电股份有限公司
  • 2022-12-20 - 2023-06-06 - H10K59/131
  • 本发明提供一种有源矩阵有机发光显示面板及其制备方法,涉及显示技术领域,包括:一衬底,衬底上设置有电路层,电路层上方设置有包括复数个有机发光器件的有机发光器件阵列;每个有机发光器件由下而上依次设置有独立的阳极电极,有机层以及共用的阴极电极;一图案化的驱动电压负极线,设置于相邻的有机发光器件的阳极电极之间;复数个第三接触孔,设置于相邻的有机发光器件之间,且位于驱动电压负极线上方,驱动电压负极线通过每个第三接触孔与共用的阴极层电极电连接;一封装结构,设置于有机发光器件阵列的上方。有益效果是通过在显示区域设置驱动电压负极线,并通过接触孔为阴极层提供电压,有效减少IRDrop,同时一定程度达到缩窄边框的效果。
  • 一种有源矩阵有机发光显示面板及其制备方法
  • [发明专利]存储器结构-CN202110791853.1在审
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-13 - 2023-01-17 - H10B12/00
  • 本发明实施例提供一种存储器结构,包括:电容结构,电容结构具有上电极层;导电柱,导电柱位于上电极层上,且与上电极层接触电连接;金属层,金属层位于导电柱远离上电极层的一侧,且导电柱与金属层朝向上电极层的表面相接触;缓冲柱,缓冲柱与导电柱间隔设置,缓冲柱与金属层朝向上电极层的表面相接触,且自金属层向上电极层方向延伸。本发明通过不同的缓冲柱设计方式以减少导电柱受到的应力作用进而提高导电柱与上电极层的接触的稳定性。
  • 存储器结构
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110793559.4在审
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-14 - 2023-01-17 - H01L23/538
  • 本发明提出一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包含衬底、多个第一布线层以及多个下层接触窗;衬底具有第一区域和第二区域,衬底表面依次设置有电极层和第一绝缘层;多个第一布线层设置于第一绝缘层中,并包含第一布线结构及第二布线结构;第一布线结构横跨于第一区域,且第一布线结构两端分别位于第一区域的邻接第二区域的两侧边缘位置;第二布线结构位于第一区域的边缘位置;多个下层接触窗设置于第一绝缘层中,并包含第一接触窗及第二接触窗;第一接触窗位于第一区域的邻接第二区域的两侧边缘区域;第二接触窗位于第一区域的中部区域;其中,第一布线结构通过第一接触窗和第二接触窗与第一区域的电极层连接,第二布线结构通过第一接触窗与第一区域的电极层连接。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110794771.2在审
  • 杨正杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-14 - 2023-01-17 - H01L23/538
  • 本申请提出一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包含衬底以及多个第一布线;衬底具有第一区域和第二区域,衬底表面依次设置有电极层和第一绝缘层;多个第一布线设置于第一绝缘层中,并位于第一区域的邻接第二区域的边缘位置,至少一个第一布线通过至少两个第一接触窗与第一区域的电极层连接;其中,连接一个所述第一布线的所述至少两个第一接触窗的直径不完全相等。
  • 半导体结构及其形成方法

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