[发明专利]具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管有效

申请号：	200580038284.2	申请日：	2005-11-10
公开（公告）号：	CN101057328A	公开（公告）日：	2007-10-17
发明（设计）人：	玛瓦恩·H.·卡特;弗朗索瓦·帕杰蒂	申请（专利权）人：	国际商业机器公司
主分类号：	H01L27/082	分类号：	H01L27/082;H01L21/331
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	秦晨
地址：	美国***	国省代码：	美国;US
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摘要：	一种双极晶体管及制作晶体管的方法，其中晶体管包括基片(10)中的集电极(12)、位于集电极上的内基极(14)、与内基极相邻的外基极、位于内基极上的发射极(130)。从横切面看，外基极包括与内基极相邻的外基极注入区(82、172、192)。晶体管通过对基极上方的基片上发射极下部构图形成发射极基座(50)而形成。在不受发射极基座保护的区域内形成外基极。随后，形成发射极、相关联的分隔件(180)和硅化物区(220)。硅化物、外基极和发射极都彼此自对准。
搜索关键词：	具有对准硅化物基极双极晶体管
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【主权项】：

1.一种双极晶体管，包括：基片(10)；所述基片内的集电极(12)；所述集电极上的内基极(14)；邻近所述内基极的外基极；以及所述内基极上的发射极(130)，其中从横切面看，所述外基极包含邻近所述内基极的外基极注入区(82、172、192)。

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摘要：本实用新型涉及一种导通关断特性好的沟槽绝缘栅双极型晶体管，包括具有多个元胞组的元胞区，元胞组包括第一IGBT元胞及与第一IGBT元胞并联的第二IGBT元胞，第二IGBT元胞的阈值电压高于第一IGBT元胞的阈值电压。本实用新型的导通关断特性好的沟槽绝缘栅双极型晶体管，通过并联具有不同阈值电压的IGBT元胞，使得沟槽绝缘栅双极型晶体管在关断期间能够提前关断一部分沟道，以减少电子输入，确保关断时提前进入高阻状态，导通时因为栅极偏压远大于元胞的阈值电压，无论高阈值电压元胞还是低阈值电压元胞都充分的开启，所以器件进入低阻状态，从而改善器件的折中特性，确保开通时导通压降低，同时保持较低的关断损耗。

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摘要：本发明涉及一种平面互补型隧穿场效应晶体管反相器，是由InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET组成的平面结构，其中，InAs/Si异质结TFET和Ge/Si异质结TFET分别作为NTFET与PTFET。本发明新型平面CTFET反相器中的NTFET与PTFET的隧穿结处均采用沟道覆盖源区的异质隧穿结形式，异质结隧穿可以提高反相器的工作频率，并且可以通过调控沟道覆盖源区的长度调节NTFET与PTFET的隧穿电流。NTFET与PTFET均为埋层漏的平面结构，利用电学特性隔离的方式避免了漏空隔离的工艺复杂度，而且可以实现与传统CMOS工艺的兼容。

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摘要：本申请提出一种基于双极型场效应晶体管的阈值反相器，其中，阈值反相器包括：第一匀质反相器至第N匀质反相器，其中，第一匀质反相器至第N匀质反相器的第一端均连接输入电压，第N‑1匀质反相器的第二端连接第N匀质反相器的第三端，并输出第N‑1匀质反相器的输出电压，第N匀质反相器的第二端连接第一供电电压，第一匀质反相器的第三端连接第二供电电压。本申请负责实现器件阈值电压匹配的设计参数完全由双极型场效应晶体管的沟长参数承担，不再需要涉及不同掺杂类型晶体管之间的匹配，设计简单，可以应用到诸如闪烁型模数转换器(Flash ADC)等场合。

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申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/082
摘要：一种复合功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括平行于水平面设置的n个堆叠层；n为大于1的自然数；在每个堆叠层中，在横向方向上和在纵向方向上，均间隔设置多个功率元件；在垂直于水平面的方向，相邻的堆叠层的相邻行的多个功率元件交错设置，且相邻的堆叠层的相邻列的多个功率元件交错设置；故通过交错布局的立体并联结构，在单位面积内制造更多的并联的功率元件，以在单位面积内实现更大的电流的驱动，提高了复合功率器件的效能。

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摘要：本发明涉及在相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案，大体上关于半导体结构，并且尤指相同晶圆上的异质接面双极晶体管装置的整合方案及其制造方法。该结构包括：在晶圆上包含基极、集电极与发射极的功率放大器(PA)装置；以及在该晶圆上包含基极、集电极与发射极的低噪声放大器(LNA)装置，该发射极与该基极具有相同结晶结构。

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申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L27/082
摘要：本发明涉及一种功率半导体装置。根据本发明的实施方式的功率半导体装置，包括：半导体层，其包括主单元区域、传感器区域以及在主单元区域和传感器区域之间的绝缘区域；设置在主单元区域上的多个功率半导体晶体管；设置在传感器区域上的多个电流传感器晶体管；以及保护电阻层，跨绝缘区域设置在半导体层上，从而多个功率半导体晶体管的至少一部分和多个电流传感器晶体管的至少一部分在异常操作条件下彼此连接。

一种半导体晶片-201910043629.7
发明人：邱建平;杜益成;王猛 -专利权人：矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/082
摘要：本发明提供了一种半导体晶片，在所述半导体晶片中，由于在第二晶体管和第三晶体管以及在第一晶体管和第四晶体管之间设置隔离结构，有效的阻止了晶体管之间寄生的晶闸管的开启，从而提高了芯片的可靠性。进一步地，由于隔离结构沿所述第一方向的长度小于所述第一侧的两个晶体管在排列方向的总宽度，使得所述分隔区中除隔离结构所占区域之外的剩余区域用于制作功率器件，这样可以将各个功率器件的面积可以做得更大，有利于节约半导体晶片的整体面积。

半导体装置-202010027032.6
发明人：坂本俊介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/082
摘要：本发明提供能够对导线接合区域的中心部的发热量进行抑制的半导体装置。半导体装置(100)在单元区域(101)内具有多个IGBT单元。发射极电极(10)是在多个IGBT单元导通时成为电流路径的表面电极，形成为将多个IGBT单元覆盖。导线(10a)与发射极电极(10)接合。至少在发射极电极(10)和导线(10a)接合的区域即导线接合区域(30)的中心部的下方形成有不进行双极动作的哑单元。

半导体装置-201911016093.6
发明人：白川彻 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/082
摘要：本发明提供一种半导体装置，能够针对导通时的集电极‑发射极间电流改善di/dt控制性，并能够抑制振荡。半导体装置(20)是沟槽栅结构的IGBT，在p‑型基区(32)的正下方具有积累区(33)，并作为构成沟槽栅结构的沟槽(36)而具有栅极沟槽(36a)和虚设沟槽(36b)。配置沟槽(36)的间隔(台面宽度)(w1)为0.7μm～2μm。在栅极沟槽(36a)的内部隔着第一栅极绝缘膜(37a)设置有栅极电位的第一栅极电极(38a)。在虚设沟槽(36b)的内部隔着第二栅极绝缘膜(37b)设置有发射极电位的第二栅极电极(38b)。栅极沟槽(36a)的数量相对于沟槽(36)的总数的比率为60％以上且84％以下。

一种互补型SiC双极集成晶体管及其制作方法-201711361495.0
发明人：蒲红斌;王曦;胡丹丹;封先锋 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L27/082
摘要：本发明公开了一种互补型SiC双极集成晶体管，衬底之上依次设置有八个外延层，钝化层覆盖在各个外延层的表面与侧壁以及第一外延层末端之外衬底的上表面；第八外延层的上端面覆盖有电极一，第八外延层末端之外第七外延层的上端表面覆盖有电极二，第七外延层末端之外第六外延层的上端表面覆盖有电极三，第四外延层末端之外第三外延层的上端表面覆盖有电极四，第三外延层末端之外第二外延层的上端表面覆盖有电极五，第二外延层末端之外第一外延层的上端表面覆盖有电极六。本发明还公开了该种互补型SiC双极集成晶体管的制作方法。本发明pnp晶体管与npn晶体管采用上下分布的纵向结构，结构参数设计相互独立。

一种带有内置电流传感器的沟槽IGBT器件结构-201921203199.2
发明人：汤艺;永福;王良元;徐泓 -专利权人：上海道之科技有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L27/082
摘要：一种带有内置电流传感器的沟槽IGBT器件结构，包括一体式并列设置的主IGBT及电流采样IGBT，主IGBT结构通过沟槽与所述电流采样IGBT隔离，且所述主IGBT及电流采样IGBT均包括N型衬底、P型衬底、N型电荷储存层、P型沟道区、沟槽及接触孔；所述N型衬底上依次设置有N型电荷储存层及P型沟道区，N型衬底的底部设置有P型衬底；所述P型沟道区的顶部开设有若干底部与所述N型衬底连通的沟槽，所述沟槽之间通过N型源区设置有至少一组接触孔，所述沟槽内设置有沟槽氧化层及多晶硅；所述沟槽贯穿P型沟道区、N型电荷储存层及N型衬底,所述沟槽氧化层设置在所述沟槽内且覆盖每个所述沟槽的表面。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]具有自对准硅化物和外基极的双极晶体管有效

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