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[发明专利]晶圆片边缘处理装置-CN201610867122.X在审
发明人：吕耀安 -专利权人：无锡宏纳科技有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆片边缘处理装置，包括清洗池及安装于清洗池上方的清洗腔，所述清洗池中安装有多个驱动滚轮，驱动滚轮的驱动轴与驱动装置连接；所述清洗腔中设有多个清洗槽，所述清洗槽对应位于驱动滚轮的上方。本发明专用于晶圆片边缘的清洗处理，采用多个驱动齿轮集中驱动晶圆片，其清洗效率高，整个处理装置的结构简单、紧凑。
晶圆片边缘处理装置

[发明专利]晶圆片边缘腐蚀机-CN202010767179.9在审
发明人：李继忠;李述周;朱春 -专利权人：江苏科沛达半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆片边缘腐蚀机，包括寻边定中心机构、搬运机构、腐蚀清洗机构及出料机构。该晶圆片边缘腐蚀机通过寻边定中心机构、搬运机构、腐蚀清洗机构及出料机构的相互配合，能够自动对晶圆片边缘进行腐蚀、清洗等操作，自动化程度高，加工效率高，提高了产品的洁净度，保证了产品质量。
晶圆片边缘腐蚀

[实用新型]晶圆片边缘腐蚀机-CN202021587612.2有效
发明人：李继忠;李述周;朱春 -专利权人：江苏科沛达半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶圆片边缘腐蚀机，包括寻边定中心机构、搬运机构、腐蚀清洗机构及出料机构。该晶圆片边缘腐蚀机通过寻边定中心机构、搬运机构、腐蚀清洗机构及出料机构的相互配合，能够自动对晶圆片边缘进行腐蚀、清洗等操作，自动化程度高，加工效率高，提高了产品的洁净度，保证了产品质量。
晶圆片边缘腐蚀

[实用新型]一种晶圆片及用于该晶圆片的抛光机构-CN202120549702.0有效
发明人：祝斌;武卫;刘建伟;刘园;刘姣龙;裴坤羽;杨春雪;由佰玲;孙晨光;王彦君;常雪岩;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种适于各种直径尺寸的晶圆片，晶圆片边缘设有圆弧形结构的倒角，且所述晶圆片边缘倒角结构的角度不大于15°。该结构的晶圆片不仅易于加工，而且利于边缘锋利区应力的释放，防止出现隐裂或崩裂；同时还可减少在抛光过程中抛光垫对倒角的磨损面积，降低晶圆片边缘处的磨损量。本实用新型还提出一种用于该晶圆片的抛光机构，通过设置与该结构的晶圆片相适配的载具并降低抛光垫的厚度，提高载具对抛光垫受压变形的支撑力，以降低抛光垫受压变形量，以减少同种抛光条件下抛光垫对晶圆片双面边缘的抛光量，提高晶圆片边缘的平坦度，以缩小晶圆片中间及边缘变形的差值，并使晶圆片双面边缘平坦度均被控制在0.5μm以内。
一种晶圆片用于抛光机构

[实用新型]外延生长用石墨承载盘-CN201420233304.8有效
发明人：谢祥彬;刘兆;刘恒山;宋长伟 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种外延生长用石墨承载盘，该石墨承载盘包括若干个设置在承载盘上方的晶圆凹槽，用于置放外延晶圆片，定义以晶圆片为界，将所述晶圆凹槽的内边缘分为上下两部分，所述晶圆凹槽的内边缘上部具有突出部所述结构有利于引进外部气流平衡晶圆片边缘的温场，减少其与晶圆片外边缘的接触面积，从而提高晶圆片的边缘利用率。
外延生长石墨承载

[发明专利]一种键合圆片的磨片封装结构和磨片方法-CN202110615156.0在审
发明人：郭亚;刘尧青;储莉玲;刘海东 -专利权人：美新半导体（天津）有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种键合圆片的磨片封装结构和磨片方法，其中，键合圆片的磨片封装结构包括：键合圆片，其包括第一半导体圆片和第二半导体圆片，其中每个半导体圆片均包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面,第一表面为圆片线路面；第一半导体圆片的第一表面与第二半导体圆片的第一表面相对且键合在一起；第二半导体圆片的边缘位于第一半导体圆片的边缘的内侧，在键合圆片的边缘存在台阶；保护膜，其附于第二半导体圆片的第二表面；保护胶层，其填充于键合圆片的边缘台阶处与现有技术相比，本发明一方面降低了贴膜和磨片过程中晶圆边缘破裂的风险，另一方面也能很好地解决磨片后晶圆边缘和中间区域厚度差异较大的问题，进而提升了产品封装的可靠性及良率。
一种键合圆片封装结构方法

[实用新型]一种键合圆片的磨片封装结构-CN202121219937.X有效
发明人：郭亚;刘尧青;储莉玲;刘海东 -专利权人：美新半导体（天津）有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种键合圆片的磨片封装结构，其包括：键合圆片，其包括第一半导体圆片和第二半导体圆片，其中每个半导体圆片均包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面,第一表面为圆片线路面；第一半导体圆片的第一表面与第二半导体圆片的第一表面相对且键合在一起；第二半导体圆片的边缘位于第一半导体圆片的边缘的内侧，在键合圆片的边缘存在台阶；保护膜，其附于第二半导体圆片的第二表面；保护胶层，其填充于键合圆片的边缘台阶处。与现有技术相比，本实用新型一方面降低了贴膜和磨片过程中晶圆边缘破裂的风险，另一方面也能很好地解决磨片后晶圆边缘和中间区域厚度差异较大的问题，进而提升了产品封装的可靠性及良率。
一种键合圆片封装结构

[发明专利]一种光刻-曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法-CN202111477825.9在审
发明人：张中;张国栋;陈文军;龙欣江;谢雨龙 -专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开的光刻‑曝光工艺中晶圆片边缘的处理方法，所述光刻‑曝光工艺包括如下步骤：涂胶、曝光、显影；所述曝光步骤包括边缘曝光和整片曝光，边缘曝光时沿晶圆片内边缘进行边缘曝光处理；整片曝光时采用遮边环对边缘曝光处进行遮光，然后对晶圆片进行整片曝光，所述遮边环的宽度大于所述边缘曝光的宽度；所述显影步骤结束后在所述晶圆片内边缘处形成一圈胶圈。本发明提供的方法显影后会在晶圆片内边缘留下一圈胶线，此晶圆片在电镀时，不存在电镀液渗镀现象，从而提高电镀效率，改善电镀质量。
一种光刻曝光工艺中晶圆片边缘处理方法

[发明专利]一种圆片边胶去除装置-CN202310705675.5在审
发明人：梁桂荣;梁万国;陈怀熹;冯新凯;陈家颖 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆片边胶去除装置，涂覆光刻胶的圆片安装在所述圆片固着部件上；所述旋转控制模块用于驱动与其连接的圆片固着部件旋转，使得圆片以其轴线为中心旋转；所述抬升模块用于驱动与其连接的溶剂槽升降，实现圆片固着部件上的圆片边缘相对浸入溶剂槽内的溶剂或脱离；旋转控制模块驱动圆片持续转动，抬升模块升高液槽，使得圆片边缘保持浸入溶剂，持续浸入旋转使得圆片边缘厚胶及其侧壁残胶均可得到溶解去除。
一种圆片边胶去除装置

[发明专利]光刻胶喷涂装置及其方法-CN201010578012.4无效
发明人：张辰明;胡骏;黄玮;刘志成;邹永祥;段天利 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种喷涂光刻胶的方法，包括步骤：(a)将需要喷涂光刻胶的圆片置放在圆片承载台上；(b)将有机溶剂喷嘴移至圆片中心上方，保持圆片静止，喷出雾状有机溶剂覆盖整片圆片，然后甩干圆片；(c)继续喷出雾状有机溶剂覆盖整片圆片，并在圆片表面形成一薄层的有机溶剂膜；(d)将长度较短的光刻胶喷嘴移到圆片边缘，转动圆片一周，该光刻胶喷嘴喷出的光刻胶涂布在圆片最边缘；(e)再次转动圆片一周，同时长度较长的光刻胶喷嘴喷出光刻胶涂布在圆片内侧；(f)在光刻胶中的溶剂挥发固化后，将有机溶剂喷嘴移到圆片边缘，喷出非雾状流体溶剂清洗圆片边缘外侧的光刻胶。该方法可以降低光刻胶的用量，且能保证圆片膜厚均匀。
光刻喷涂装置及其方法

[发明专利]一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法-CN202110286004.0有效
发明人：祝斌;武卫;刘建伟;刘园;刘姣龙;裴坤羽;杨春雪;由佰玲;孙晨光;王彦君;常雪岩;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种提高晶圆片边缘平坦度的抛光方法，用于提高R型倒角结构的大尺寸晶圆片外缘平坦度，步骤包括：执行晶圆片放置于其下方的支撑盘中的载具内，并被支撑盘以设定转速带动旋转；置于晶圆片上方的压盘以设定压力、设定转速与所述支撑盘一起旋转，分别对晶圆片的上端面和下端面进行抛光；分别设于支撑盘和压盘上且与晶圆片双面接触的抛光垫的厚度不大于1mm；设于支撑盘中且用于放置晶圆片的放置孔的内径边缘为圆形倒角结构，且放置孔内径边缘倒角结构的角度小于晶圆片边缘倒角的角度本发明可使晶圆片双面的平坦度均被控制在0.5μm以内，且晶圆片边缘平坦度值控制在0.08μm以内，相应成品率提高至90％。
一种提高晶圆片边缘平坦抛光方法

[实用新型]一种环保封口标签-CN201921110191.1有效
发明人：黎芳 -专利权人：上海芳辉印刷有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G09F3/03 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种环保封口标签，包括底膜，底膜为圆形片状，所述底膜上开设有一个内切于底膜的圆孔，所述圆孔上设有一个与圆孔大小完全契合的圆片，所述圆片内切于所述底膜的外边缘，所述圆片上设有一条折痕，所述折痕的两端端点与所述圆片的边缘接合，所述圆片边缘设有易撕线，所述易撕线的轨迹是以所述折痕的一个端点为起点，顺着所述圆片的边缘并通过底膜和圆片的切点，最终以所述折痕的另一个端点为终点，所述圆片通过易撕线和折痕与底膜对接；所述圆片上设有拉片，拉片与圆片固定连接；所述底膜的反面涂有沿底膜外弧的一圈封口胶；本实用新型具有便捷打开、外形美观的同时又能保护环境的效果。
底膜圆片折痕易撕线圆孔本实用新型拉片内切边缘接合封口标签两端端点圆片边缘圆形片状封口胶外边缘切点外弧契合美观环保

[发明专利]一种晶圆片开槽方法及黄胶膜边缘切割设备-CN202111664714.9在审
发明人：朱江;胡路;王政 -专利权人：苏州北汀羽电子有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片开槽方法及黄胶膜边缘切割设备，包括以下步骤，将大片晶圆片进行倒片，并进行切割，切割成方片，对切割后的方片晶圆片进行覆膜，覆膜后对方片晶圆片进行原片切割，切割成原片的晶圆片，对其进行静电膜切割，然后进行裂片，裂片完成后，通过切割设备对原片型晶圆片进行黄胶膜边缘切割，黄胶膜边缘切割完成后，对其进行玻璃倒边与槽口加工，玻璃倒边与槽口加工工序完成后，对其进行检验与首道清洗。本发明的有益效果：将晶圆片边缘的黄胶膜切除，然后通过机床对其进行槽口加工，在后期的玻璃倒角中即可避免倒角后晶圆片外形尺寸统一性差，倒角边沿宽度精度低等问题，晶圆片加工方便，且提高了良率。
一种晶圆片开槽方法胶膜边缘切割设备

[发明专利]晶圆边缘抛光装置及晶圆边缘抛光方法-CN201910161397.5有效
发明人：潘雪明;李鑫;苏静洪 -专利权人：天通日进精密技术有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本申请公开一种晶圆边缘抛光装置及晶圆边缘抛光方法，所述晶圆边缘抛光装置包括晶圆承载台和晶圆边缘抛光机构，其中，晶圆边缘抛光机构可包括抛光转盘和均匀设置的多个边缘抛光组件，每一个边缘抛光组件具有翻转主体以及分别设于翻转主体相对两端的边缘抛光件和页片，通过驱动抛光转盘旋转，利用页片可带动边缘抛光组件相对抛光转盘作预设幅度的翻转以令边缘抛光组件上的边缘抛光件针对晶圆承载台所承载的晶圆进行边缘抛光，整个结构简单，边缘抛光件与晶圆的相对位置易于控制，提高了晶圆边缘抛光的效率
边缘抛光装置方法

[发明专利]背面减薄晶圆的固定装置-CN202011463307.7有效
发明人：马富林;郑刚;曹志伟 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开了一种背面减薄晶圆的固定装置，涉及半导体制造领域。该背面减薄晶圆的固定装置包括载片台、至少3个顶柱、边缘环紧固圈；至少3个顶柱分布在载片台的顶部，顶柱与减薄晶圆的Taiko环对应；边缘环紧固圈位于在载片台的上方，边缘环紧固圈与载片台连接；边缘环紧固圈由卡箍和顶部压环组成，卡箍设置在顶部压环的底部，卡箍的内径等于减薄晶圆的外径；顶部压环的内边缘与卡箍的内侧之间的距离小于减薄晶圆的Taiko环的宽度；解决了目前减薄晶圆吸附在载片台上后，容易抖动或挑动，而从载片台上剥离的问题；达到了避免背面减薄晶圆在抽真空时从载片台上剥离，减少晶圆掉片的效果。
背面减薄晶圆固定装置

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