专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]三通道分时复用检测电路的MEMS陀螺仪-CN202223555455.9有效
  • 黄莉;储莉玲;蒋乐跃 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-06-13 - G01C19/56
  • 本实用新型提供一种MEMS陀螺仪,其包括:MEMS惯性传感部分,其包括:多个轴的检测电容组;陀螺接口电路,其包括:检测电路和数字处理电路;所述检测电路包括多路复用器、检测电荷放大器、检测混频器和检测模数转换器。所述多路复用器的每组输入端与对应的一个轴的检测电容组相连,所述多路复用器的输出端与所述检测电荷放大器的输入端相连。所述多路复用器基于选通信号在连续的多个选通循环中的每个选通循环内依次选择多个轴中的每个轴的检测电容组与所述检测电荷放大器的输入端相连,每个轴的检测电容组被所述多路复用器选通预定时长。这样,多个轴复用同一个检测电路,以减小电路面积和功耗。
  • 通道分时检测电路mems陀螺仪
  • [发明专利]三通道分时复用检测电路的MEMS陀螺仪-CN202211715344.1在审
  • 黄莉;储莉玲;蒋乐跃 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-04-28 - G01C19/56
  • 本发明提供一种MEMS陀螺仪,其包括:MEMS惯性传感部分,其包括:多个轴的检测电容组;陀螺接口电路,其包括:检测电路和数字处理电路;所述检测电路包括多路复用器、检测电荷放大器、检测混频器和检测模数转换器。所述多路复用器的每组输入端与对应的一个轴的检测电容组相连,所述多路复用器的输出端与所述检测电荷放大器的输入端相连。所述多路复用器基于选通信号在连续的多个选通循环中的每个选通循环内依次选择多个轴中的每个轴的检测电容组与所述检测电荷放大器的输入端相连,每个轴的检测电容组被所述多路复用器选通预定时长。这样,多个轴复用同一个检测电路,以减小电路面积和功耗。
  • 通道分时检测电路mems陀螺仪
  • [实用新型]一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构-CN202223290702.7有效
  • 郭亚;刘尧青;刘海东;储莉玲 - 美新半导体(无锡)有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-04-25 - B81B7/00
  • 本实用新型提供一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构,其包括:第一半导体圆片,其正面设置有磁传感器,其背面设置有第一空腔和贯穿第一半导体圆片的导电窗口;第二半导体圆片,其正面与第一半导体圆片的背面相对且相互键合,第二半导体圆片的正面与第一空腔的相对位置处设置有第三空腔和惯性传感器;第二半导体圆片的正面与导电窗口的相对位置处设置有金属焊盘。与现有技术相比,本实用新型通过WLP扇出型的封装方式,将惯性传感器和磁传感器传感器集成到一个封装体内部,一方面可以缩短产品的加工周期,降低了加工成本;另一方面,产品的集成度更高,减小了封装体积,应用前景更广泛。
  • 一种集成惯性传感器封装结构
  • [发明专利]一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法-CN202211574459.3在审
  • 郭亚;刘尧青;刘海东;储莉玲 - 美新半导体(无锡)有限公司
  • 2022-12-08 - 2023-04-18 - B81B7/00
  • 本发明提供一种集成惯性传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法,集成惯性传感器和磁传感器的封装结构包括:第一半导体圆片,其正面设置有磁传感器,其背面设置有第一空腔和贯穿第一半导体圆片的导电窗口;第二半导体圆片,其正面与第一半导体圆片的背面相对且相互键合,第二半导体圆片的正面与第一空腔的相对位置处设置有第三空腔和惯性传感器;第二半导体圆片的正面与导电窗口的相对位置处设置有金属焊盘。与现有技术相比,本发明通过WLP扇出型的封装方式,将惯性传感器和磁传感器传感器集成到一个封装体内部,一方面可以缩短产品的加工周期,降低了加工成本;另一方面,产品的集成度更高,减小了封装体积,应用前景更广泛。
  • 一种集成惯性传感器封装结构及其方法
  • [发明专利]电子设备及将电子设备从休眠模式唤醒的方法-CN202211429749.9在审
  • 金羊华;黄黎;丁希聪;储莉玲 - 美新半导体(无锡)有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-03-14 - G06F1/3206
  • 本发明提供一种电子设备及将电子设备从休眠模式唤醒的方法,当电子设备在休眠模式时,若收到间歇式低功耗阈值检测使能信号,则进入低功耗阈值检测模式;当电子设备在休眠模式时,若收到采样需求动作信号或加速度数据超过第一阈值范围,则进入持续工作模式,若在预定时长内未收到采样需求动作信号或在预定时长内加速度数据未超过第二阈值范围,则进入休眠模式;当电子设备在低功耗阈值检测模式时,低功耗阈值检测电路工作,对电子设备进行加速度检测,判定检测到的加速度是否超出第三预定阈值范围,若否,则继续低功耗阈值检测模式;若是,则进入持续工作模式。与现有技术相比,本发明可以准确及时的将电子设备从休眠模式唤醒,从而降低功耗。
  • 电子设备休眠模式唤醒方法
  • [实用新型]带腔体器件的气密封装结构-CN202221245765.8有效
  • 黄黎;凌方舟;储莉玲;金羊华 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-11-04 - B81B7/00
  • 本实用新型提供一种带腔体器件的气密封装结构,其包括:半导体衬底,其具有放气特性,其正面设置有相互间隔排布的第一半开放空腔和第二半开放空腔;微机电系统层,其设置于半导体衬底的正面上方,微机电系统层设置有沿微机电系统层表面相互间隔排布的第一微机电系统器件和第二微机电系统器件,第一微机电系统器件与第一半开放空腔相对,第二微机电系统器件与第二半开放空腔相对;盖板,其设置于微机电系统层的上方,盖板与第一半开放空腔形成第一密闭空腔A,盖板与第二半开放空腔形成第二密闭空腔B。与现有技术相比,本实用新型可以解决同一晶圆上不同种类的MEMS器件不同工作气压的封装,实现多MEMS器件的集成,减小传感系统的尺寸,降低制造成本。
  • 带腔体器件气密封装结构
  • [实用新型]带腔体器件的气密封装结构-CN202221243842.6有效
  • 黄黎;凌方舟;储莉玲;金羊华 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-10-18 - B81B7/00
  • 本实用新型提供一种带腔体器件的气密封装结构,其包括:半导体衬底,其正面设置有第一半开放空腔;微机电系统层,其设置于半导体衬底的正面上方,微机电系统层的第一区域与第一半开放空腔形成第一密闭空腔;位移传感器,其设置于第一密闭空腔内;盖板,其设置于微机电系统层的上方,盖板的正面与微机电系统层的第一区域的相对位置处设置有第二半开放空腔,第二半开放空腔与微机电系统层的第一区域形成第二密闭空腔;键合层,其位于微机电系统层和盖板之间,用于将微机电系统层和盖板键合在一起,并密封第二密闭空腔。与现有技术相比,本实用新型可以识别MEMS制造过程中的腔体的异常漏气和放气,为MEMS性能的改善提供依据,提高良率,降低成本。
  • 带腔体器件气密封装结构
  • [发明专利]带腔体器件的气密封装结构-CN202210566577.3在审
  • 黄黎;凌方舟;储莉玲;金羊华 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-09-23 - B81B7/00
  • 本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构,其包括:半导体衬底,其具有放气特性,其正面设置有相互间隔排布的第一半开放空腔和第二半开放空腔;微机电系统层,其设置于半导体衬底的正面上方,微机电系统层设置有沿微机电系统层表面相互间隔排布的第一微机电系统器件和第二微机电系统器件,第一微机电系统器件与第一半开放空腔相对,第二微机电系统器件与第二半开放空腔相对;盖板,其设置于微机电系统层的上方,盖板与第一半开放空腔形成第一密闭空腔A,盖板与第二半开放空腔形成第二密闭空腔B。与现有技术相比,本发明可以解决同一晶圆上不同种类的MEMS器件不同工作气压的封装,实现多MEMS器件的集成,减小传感系统的尺寸,降低制造成本。
  • 带腔体器件气密封装结构
  • [发明专利]带腔体器件的气密封装结构-CN202210564533.7在审
  • 黄黎;凌方舟;储莉玲;金羊华 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2022-05-23 - 2022-09-20 - B81B7/00
  • 本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构,其包括:半导体衬底,其正面设置有第一半开放空腔;微机电系统层,其设置于半导体衬底的正面上方,微机电系统层的第一区域与第一半开放空腔形成第一密闭空腔;位移传感器,其设置于第一密闭空腔内;盖板,其设置于微机电系统层的上方,盖板的正面与微机电系统层的第一区域的相对位置处设置有第二半开放空腔,第二半开放空腔与微机电系统层的第一区域形成第二密闭空腔;键合层,其位于微机电系统层和盖板之间,用于将微机电系统层和盖板键合在一起,并密封第二密闭空腔。与现有技术相比,本发明可以识别MEMS制造过程中的腔体的异常漏气和放气,为MEMS性能的改善提供依据,提高良率,降低成本。
  • 带腔体器件气密封装结构
  • [实用新型]多轴集成的微机电系统惯性器件测试装置及系统-CN202123176823.4有效
  • 林武;柯亮;李妍君;储莉玲 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2021-12-16 - 2022-07-26 - G01C25/00
  • 本实用新型提供一种多轴集成的微机电系统惯性器件测试装置及系统,其中,多轴集成的微机电系统惯性器件测试装置包括:磁场产生器,其受控在预定空间产生磁场H;两轴转台,其放置于所述预定空间内,所述两轴转台包括转盘、第一转轴和第二转轴,其中,所述转盘固定于所述第一转轴的一端,所述第二转轴与所述第一转轴正交,所述第一转轴受控转动时带动所述转盘同步转动;所述第二转轴受控转动时带动所述第一转轴和所述转盘以所述第二转轴为中心轴同步周向运动。与现有技术相比,本实用新型可以实现多轴(例如九轴)集成MEMS惯性器件的高效可靠量产测试。
  • 集成微机系统惯性器件测试装置
  • [实用新型]一种微机电系统结构-CN202123053779.8有效
  • 郭亚;刘尧青;储莉玲;金羊华 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2021-12-07 - 2022-07-05 - B81B3/00
  • 本实用新型提供一种微机电系统结构,其包括:第一半导体圆片,其设置有第一空腔、CMOS电路和防护层,第一空腔设置于第一半导体圆片的正面,CMOS电路设置于第一半导体圆片内且位于第一空腔的下方,防护层位于第一空腔的底部且位于所述CMOS电路的上方;第二半导体圆片,其为传感器的微机电系统单元,其包括固定结构、可移动结构和沟槽,第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合,第一空腔与可移动结构相对;第三半导体圆片,其与第二半导体圆片的背面相键合,第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比,本实用新型能够有效防止或减少PID的产生,以对CMOS电路进行保护。
  • 一种微机系统结构
  • [实用新型]一种封装结构-CN202121953185.X有效
  • 郭亚;刘尧清;储莉玲;刘海东 - 美新半导体(无锡)有限公司
  • 2021-08-19 - 2022-04-15 - H01L23/31
  • 本实用新型提供一种封装结构,其包括:第一半导体圆片,其正面设置有磁传感器、第一金属焊盘和与第一金属焊盘连接的第一再布线层,其背面设置有第一腔体和第二腔体;第二半导体圆片,其正面设置有第二金属焊盘、加速度传感器和陀螺仪,第二半导体圆片与第一半导体圆片的背面相键合,其中,第二半导体圆片位于第一半导体圆片的上方,第二半导体圆片的正面与第一半导体圆片的背面相对,且第二半导体圆片正面的加速度传感器和陀螺仪分别与第一半导体圆片背面的第一腔体和第二腔体相对。与现有技术相比,本实用新型通过将磁传感器,加速度传感器和陀螺仪集成到一个封装体内部,从而使产品的集成度更高,加工成本更低。
  • 一种封装结构
  • [实用新型]红外热电堆传感器的量产测试装置-CN202122434877.X有效
  • 林武;柯亮;李妍君;储莉玲 - 美新半导体(天津)有限公司
  • 2021-10-09 - 2022-04-15 - G01J5/53
  • 本实用新型提供一种红外热电堆传感器的量产测试装置,其包括:测试板;若干测试载具,其设置于测试板上,测试载具用于可拆卸地插接红外热电堆传感器;传送装置,其用于承载测试板;黑体,其设置于传送装置上方,黑体内设置有辐射源,辐射源用于产生设定温度;当传送装置带动测试板依次使各列测试载具对准辐射源;电压测量电路,其与若干测试载具电性连接,其用于测量与辐射源对准的一列测试载具中的各个红外热电堆传感器的输出电压;上位机,其基于电压测量电路测量到的红外热电堆传感器的输出电压,计算出该红外热电堆传感器的灵敏度指标。与现有技术相比,本实用新型可以在FT测试阶段对红外热电堆传感器进行批量且高可靠性的灵敏度测试。
  • 红外热电传感器量产测试装置

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