专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]紫外线发光二极管-CN201911392202.4有效
  • 朴柱勇;张成逵;李圭浩;李俊熙 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-07-07 - 2023-08-29 - H01L33/38
  • 本发明提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于基板上;台面,布置于n型半导体层上,并包含活性层及p型半导体层;n欧姆接触层,接触于n型半导体层;p欧姆接触层,接触于p型半导体层;n凸块,电连接于n欧姆接触层;以及p凸块,电连接于p欧姆接触层,其中,台面包括多个分支,n欧姆接触层包围台面并夹设于分支之间的区域,n欧姆接触层与台面之间的隔开距离恒定,暴露于分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于分支的最小宽度,n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面,p凸块覆盖分支中的至少两个分支。
  • 紫外线发光二极管
  • [发明专利]深紫外线发光二极管-CN202180060903.7在审
  • 金泰均;郭俊植;李圭浩 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2021-07-16 - 2023-05-30 - H01L33/04
  • 根据本发明提供一种深紫外线发光二极管,根据一实施例的深紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于所述基板上;台面,布置在所述n型半导体层上且包括活性层和p型半导体层,并且具有使所述n型半导体层暴露的多个通孔;n欧姆接触层,在所述通孔内与所述n型半导体层接触;p欧姆接触层,与所述p型半导体层接触;n垫金属层,与所述n欧姆接触层电连接;p垫金属层,与所述p欧姆接触层电连接;n凸块,与所述n垫金属层电连接;以及p凸块,与所述p垫金属层电连接,其中,所述p垫金属层形成为围绕所述n垫金属层。
  • 深紫外线发光二极管
  • [发明专利]紫外线发光二极管-CN202210615039.9在审
  • 朴柱勇;张成逵;李圭浩;李俊熙 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-07-07 - 2022-09-27 - H01L33/38
  • 本发明提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于基板上;台面,布置于n型半导体层上,并包含活性层及p型半导体层;n欧姆接触层,接触于n型半导体层;p欧姆接触层,接触于p型半导体层;n凸块,电连接于n欧姆接触层;以及p凸块,电连接于p欧姆接触层,其中,台面包括多个分支,n欧姆接触层包围台面并夹设于分支之间的区域,n欧姆接触层与台面之间的隔开距离恒定,暴露于分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于分支的最小宽度,n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面,p凸块覆盖分支中的至少两个分支。
  • 紫外线发光二极管
  • [发明专利]紫外线发光二极管-CN202210615085.9在审
  • 朴柱勇;张成逵;李圭浩;李俊熙 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-07-07 - 2022-09-27 - H01L33/38
  • 本发明提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于基板上;台面,布置于n型半导体层上,并包含活性层及p型半导体层;n欧姆接触层,接触于n型半导体层;p欧姆接触层,接触于p型半导体层;n凸块,电连接于n欧姆接触层;以及p凸块,电连接于p欧姆接触层,其中,台面包括多个分支,n欧姆接触层包围台面并夹设于分支之间的区域,n欧姆接触层与台面之间的隔开距离恒定,暴露于分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于分支的最小宽度,n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面,p凸块覆盖分支中的至少两个分支。
  • 紫外线发光二极管
  • [发明专利]紫外线发光二极管-CN202210612246.9在审
  • 朴柱勇;张成逵;李圭浩;李俊熙 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-07-07 - 2022-09-02 - H01L33/38
  • 本发明提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于基板上;台面,布置于n型半导体层上,并包含活性层及p型半导体层;n欧姆接触层,接触于n型半导体层;p欧姆接触层,接触于p型半导体层;n凸块,电连接于n欧姆接触层;以及p凸块,电连接于p欧姆接触层,其中,台面包括多个分支,n欧姆接触层包围台面并夹设于分支之间的区域,n欧姆接触层与台面之间的隔开距离恒定,暴露于分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于分支的最小宽度,n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面,p凸块覆盖分支中的至少两个分支。
  • 紫外线发光二极管
  • [发明专利]紫外线发光二极管-CN201780043961.2有效
  • 朴柱勇;张成逵;李圭浩;李俊熙 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-07-07 - 2022-06-17 - H01L33/00
  • 提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于基板上;台面,布置于n型半导体层上,并包含活性层及p型半导体层;n欧姆接触层,接触于n型半导体层;p欧姆接触层,接触于p型半导体层;n凸块,电连接于n欧姆接触层;以及p凸块,电连接于p欧姆接触层,其中,台面包括主分支以及从主分支延伸的多个子分支,n欧姆接触层包围台面并夹设于子分支之间的区域,n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面。因此,能够减少光损失而提高光输出,并且能够降低正向电压。
  • 紫外线发光二极管
  • [发明专利]紫外线发光二极管-CN202210171852.1在审
  • 朴柱勇;张成逵;李圭浩;李俊熙 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-07-07 - 2022-05-10 - H01L33/38
  • 本发明提供一种紫外线发光二极管。根据一实施例的紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于基板上;台面,布置于n型半导体层上,并包含活性层及p型半导体层;n欧姆接触层,接触于n型半导体层;p欧姆接触层,接触于p型半导体层;n凸块,电连接于n欧姆接触层;以及p凸块,电连接于p欧姆接触层,其中,台面包括多个分支,n欧姆接触层包围台面并夹设于分支之间的区域,n欧姆接触层与台面之间的隔开距离恒定,暴露于分支之间的n型半导体层的最小宽度大于或等于分支的最小宽度,n凸块及p凸块分别覆盖台面的上部及侧表面,p凸块覆盖分支中的至少两个分支。
  • 紫外线发光二极管
  • [发明专利]发光元件-CN202111214991.X在审
  • 张成逵;赵弘锡;李圭浩;印致贤 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-01-11 - 2022-01-18 - H01L33/38
  • 本发明提供一种发光元件,包括:基板;第一导电型半导体层,布置于基板;台面,布置于第一导电型半导体层,包含第二导电型半导体层及活性层;第一接触电极,与暴露于台面周围的第一导电型半导体层接触;第二接触电极,在台面上接触第二导电型半导体层;钝化层,覆盖第一接触电极、台面及第二接触电极,具有开口部;第一凸起电极及第二凸起电极,通过钝化层的开口部电连接于第一接触电极及第二接触电极,其中,台面在从上部观察时具有多个凹陷部,第一接触电极以预定间隔与台面隔开,形成为包围台面,在多个凹陷部内接触于第一导电型半导体层,第一凸起电极及第二凸起电极分别覆盖钝化层的开口部,还覆盖钝化层的一部分。
  • 发光元件
  • [发明专利]紫外线发光元件-CN202111215088.5在审
  • 张成逵;赵弘锡;李圭浩;印致贤 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-01-11 - 2022-01-18 - H01L33/38
  • 本发明提供一种紫外线发光元件,包括:基板;第一导电型半导体层,布置于基板;台面,布置于第一导电型半导体层,包含第二导电型半导体层及活性层;第一接触电极,与暴露于台面周围的第一导电型半导体层接触;第二接触电极,在台面上接触第二导电型半导体层;钝化层,覆盖第一接触电极、台面及第二接触电极,具有开口部;第一凸起电极及第二凸起电极,通过钝化层的开口部电连接于第一接触电极及第二接触电极,其中,台面在从上部观察时具有多个凹陷部,第一接触电极以预定间隔与台面隔开,形成为包围台面,在多个凹陷部内接触于第一导电型半导体层,第一凸起电极及第二凸起电极分别覆盖钝化层的开口部,还覆盖钝化层的一部分。
  • 紫外线发光元件
  • [发明专利]发光元件-CN202111216553.7在审
  • 张成逵;赵弘锡;李圭浩;印致贤 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-01-11 - 2022-01-18 - H01L33/38
  • 本发明提供一种发光元件,包括:基板;第一导电型半导体层,布置于基板;台面,布置于第一导电型半导体层,包含第二导电型半导体层及活性层;第一接触电极,与暴露于台面周围的第一导电型半导体层接触;第二接触电极,在台面上接触第二导电型半导体层;钝化层,覆盖第一接触电极、台面及第二接触电极,具有开口部;第一凸起电极及第二凸起电极,通过钝化层的开口部电连接于第一接触电极及第二接触电极,其中,台面在从上部观察时具有多个凹陷部,第一接触电极以预定间隔与台面隔开,形成为包围台面,在多个凹陷部内接触于第一导电型半导体层,第一凸起电极及第二凸起电极分别覆盖钝化层的开口部,还覆盖钝化层的一部分。
  • 发光元件
  • [发明专利]紫外线发光元件-CN201780006654.7有效
  • 张成逵;赵弘锡;李圭浩;印致贤 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2017-01-11 - 2021-11-05 - H01L33/38
  • 根据一实施例的紫外线发光元件包括:基板;第一导电型半导体层,布置于所述基板上;台面,布置于所述第一导电型半导体层上,并包含第二导电型半导体层及布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层;第一接触电极,与暴露于所述台面周围的第一导电型半导体层接触;第二接触电极,在所述台面上接触于所述第二导电型半导体层上;钝化层,覆盖所述第一接触电极、所述台面及所述第二接触电极,并具有布置于所述第一接触电极及所述第二接触电极上部的开口部;以及第一凸起电极及第二凸起电极,通过所述钝化层的开口部分别电连接于所述第一接触电极及第二接触电极,其中,所述台面在从上部观察时具有多个凹陷部,所述第一凸起电极及所述第二凸起电极分别覆盖所述钝化层的开口部,并且还覆盖所述钝化层的一部分。
  • 紫外线发光元件
  • [发明专利]螺旋弹簧钢-CN201711216007.7有效
  • 朴辰祐;金赫;朴钟辉;李圭浩 - 现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社;现代制铁株式会社
  • 2017-11-28 - 2021-04-02 - C22C38/02
  • 本发明提供一种螺旋弹簧钢,所述螺旋弹簧钢包含碳(C):0.51重量%至0.57重量%,硅(Si):1.35重量%至1.45重量%,锰(Mn):0.95重量%至1.05重量%,磷(P):0.003重量%至0.015重量%,硫(S):0.003重量%至0.010重量%,铬(Cr):0.70重量%至0.90重量%,铜(Cu):0.30重量%至0.40重量%,钒(V):0.10重量%至0.15重量%,铝(Al):0.010%至0.040%,钛(Ti):0.010%至0.033%,钼(Mo):0.05重量%至0.15重量%,镍(Ni):0.25重量%至0.35重量%,以及余量的铁(Fe)和不可避免的杂质以构成100%。本发明通过控制硅、锰、磷、硫、铬、铜、钒、铝、钛和钼的含量赋予本发明的螺旋弹簧钢具有改进的疲劳寿命和拉伸强度,且其重量可以相应减少,从而有助于减轻汽车的重量。
  • 螺旋弹簧钢
  • [发明专利]深紫外线发光二极管-CN201911346644.5在审
  • 金泰均;李圭浩 - 首尔伟傲世有限公司
  • 2019-12-24 - 2020-08-07 - H01L33/24
  • 提供一种深紫外线发光二极管。一实施例的深紫外线发光二极管包括:基板;n型半导体层,位于所述基板上;台面,布置于所述n型半导体层上,并包括活性层及p型半导体层;n欧姆接触层,接触于所述n型半导体层;p欧姆接触层,接触于所述p型半导体层;n凸块,电接通于所述n欧姆接触层;以及p凸块,电接通于所述p欧姆接触层,所述台面包括使第一导电型半导体层暴露的多个过孔,所述台面具有沿长度方向长的矩形形状,所述过孔在与所述台面的长度方向垂直的方向上彼此平行排列,所述n欧姆接触层分别形成在暴露于所述台面的周围的第一导电型半导体层及暴露于所述过孔的第一导电型半导体层上。
  • 深紫外线发光二极管
  • [发明专利]高耐久性的盘簧钢-CN201610403907.1有效
  • 朴辰祐;车星澈;朴钟辉;李圭浩 - 现代自动车株式会社;现代制铁株式会社
  • 2016-06-08 - 2020-07-14 - C22C38/02
  • 公开的是一种钢组合物以及包括该钢组合物的弹簧钢。钢组合物包含:含量为约0.51wt%~0.57wt%的碳(C)、含量为约1.35wt%~1.45wt%的硅(Si)、含量为约0.95wt%~1.05wt%的锰(Mn)、含量为约0.60wt%~0.80wt%的铬(Cr)、含量为约0.25wt%~0.35wt%的铜(Cu)、含量为约0.05wt%~0.15wt%的钒(V)、含量为约0.25wt%~0.35wt%的镍(Ni)、含量为约0.003wt%~0.015wt%的磷(P)、含量为约0.003wt%~0.010wt%的硫(S)以及构成所述钢组合物的余量的铁(Fe),所有wt%是基于该钢组合物的总重而言。
  • 耐久性盘簧钢

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