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[发明专利]碳化硅二次外延结构-CN200810054651.3有效
发明人：杨霏;潘宏菽;陈昊;冯震;吕云安;齐国虎;张志国;冯志红;蔡树军;杨克武 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2008-03-20 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故意掺杂的本征碳化硅层相对于采用一般结构的MESFET(金属场效应管)而言，采用二次外延方式制备得到的MESFET具有源漏电阻小、欧姆接触面积大、管内工作区域电场分布均匀等优点，可以提高跨导，提高器件的工作电压以及功率。
碳化硅二次外延结构

[实用新型]一种增强型半导体晶体管-CN201920064491.4有效
发明人：刘扬;何亮 -专利权人：中山大学
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种增强型半导体晶体管。该器件包括衬底、生长在衬底上的半导体外延层、栅极、源极和漏极。外延层包括氮化物成核层、氮化物应力缓冲层、氮化物沟道层、一次外延氮化物势垒层和p型氮化物层，以及二次外延氮化物势垒层。通过选区刻蚀，保留栅极区域p型氮化物，使栅极关断；通过掩膜后的选区二次外延，二次外延氮化物势垒层生长于一次外延氮化物势垒层之上，使接入区导通性提升。通过调控一次外延氮化物势垒层和二次外延氮化物势垒层的厚度和组分，进而实现更优的栅极关断及接入区高导能力。此器件对刻蚀工艺要求降低，可有效修复刻蚀损伤。
氮化物势垒层一次外延增强型半导体晶体管本实用新型衬底高导关断选区半导体外延层氮化物成核层半导体器件高阈值电压应力缓冲层高稳定性刻蚀工艺刻蚀损伤栅极区域生长导通性沟道层外延层刻蚀漏极掩膜源极修复保留调控

[发明专利]一种新型碳化硅肖特基二极管的制备方法-CN202210812281.5在审
发明人：甘新慧;朱家从;王磊;计建新;张伟民 -专利权人：绍兴澎芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型碳化硅肖特基二极管的制备方法,包括：在N+碳化硅衬底正面上外延生长一次N‑碳化硅外延层；在所述一次N‑碳化硅外延层上采用掩膜注入形成P型注入区；在所述P型注入区和所述一次N‑碳化硅外延层上外延生长二次N‑碳化硅外延层；在所述二次N‑碳化硅外延层上采用掩膜注入，形成P+离子注入区；在所述二次N‑碳化硅外延层和所述P+离子注入区上采用溅射沉积形成势垒金属层；在所述势垒金属层上采用溅射沉积形成金属PAD层本发明提供了一种新型碳化硅肖特基二极管的制备方法，可制备出正向导通性能优势明显的碳化硅肖特基二极管。
一种新型碳化硅肖特基二极管制备方法

[发明专利]超辐射发光二极管及其制作方法-CN201210581934.X有效
发明人：周志强;刘建军;唐琦 -专利权人：武汉华工正源光子技术有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种超辐射发光二极管及其制作方法，包括有衬底，采用外延生长技术，在衬底上依次形成缓冲层、下限制层、有源区、上限制层和第一p型包覆层，构成一次外延片；继续采用外延生长技术，在一次外延片表面依次生长出第二p型包覆层和n型包覆层，构成二次外延片；继续采用外延生长技术，在二次外延片表面继续生成覆盖层和接触层，构成三次外延片；依次采用光刻、刻蚀、磨片和溅射工艺将三次外延片制作成超辐射发光二极管芯片，并对所述芯片的出光端面镀增透膜
辐射发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片的制备方法-CN202211180695.7在审
发明人：刘伟;陈添旭;刘伟文;李健 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片制备方法，首先在外延叠层背离衬底的表面旋涂负性光刻胶，然后采用第一光刻版对负性光刻胶进行第一次曝光，再采用第二光刻版对负性光刻胶进行第二次曝光，之后对经两次曝光后的负性光刻胶进行显影形成光刻胶图形，以具有光刻胶图形的负性光刻胶为掩膜，对外延叠层进行刻蚀，形成隔离沟道，隔离沟道贯穿外延叠层，直至衬底表面，以将外延叠层分隔为多个子外延叠层，并形成台面，台面裸露部分第一型半导体层，一个子外延叠层对应一个LED芯片，即本申请实施例所提供的LED芯片制备方法，仅采用旋涂一次负胶，两次曝光，并经一次刻蚀即可完成台面刻蚀和深刻蚀，工艺简单，制作成本较低。
一种 led 芯片制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片的返工方法-CN202310194769.0在审
发明人：张顺;张爽;罗红波;陈景文 -专利权人：武汉优炜芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管芯片的返工方法，方法包括：首先对待返工的发光二极管芯片进行一次酸浸泡处理，之后对所述发光二极管芯片进行一次氟化物浸泡处理，之后对所述发光二极管芯片进行二次酸浸泡处理，之后采用芯片清洗剂浸泡所述发光二极管芯片，然后采用第一溶液浸泡所述发光二极管芯片，所述第一溶液的pH值大于10；上述方法通过一次酸浸‑一次氟化物浸泡处理‑二次酸浸‑芯片清洗剂浸泡‑强碱浸泡的工艺，只需返工一次即可清洗干净待返工发光二极管外延片的表层结构，有效提高了返工效率，节省了返工成本，同时避免对外延片造成不可逆的损伤，使经返工后的外延片发光效果接近于正常外延片的发光效果。
一种发光二极管芯片返工方法

[实用新型]一种超辐射发光二极管芯片-CN201520695330.7有效
发明人：薛正群;周东豪;王凌华;林琦;林中晞;陈阳华;苏辉 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超辐射发光二极管芯片，该超辐射发光二极管芯片包括：一次外延结构和二次外延结构，其中一次外延结构包括N-InP衬底(1)，以及在N-InP衬底(1)上依次生长的N-InP缓冲层(2)、InGaAsP下分别限制层(3)、有源层(4)、InGaAsP上分别限制层(5)和P-InP覆盖层(6)；二次外延结构包括在所述一次外延结构的脊两侧的底部表面依次生长的作为电流阻挡层的P-InP层(11)和N-InP
一种辐射发光二极管芯片

[发明专利]超级结器件的工艺方法-CN201810025084.2有效
发明人：赵龙杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结器件的工艺方法，在沟槽刻蚀完成之后，进行第一次外延填充，然后进行浅结注入，然后再进行第二次外延填充，直至填充满沟槽形成P柱；所述第一次外延填充至沟槽剩余深度为1.2±0.6μm，注入的杂质是与外延类型相同的杂质离子本发明所述的超级结器件工艺方法，使用两次填充加一次P型注入，额外的P型注入形成很浓的P型区域。本工艺能提高器件的大电流处理能力，并可适当改善器件的导通电阻。
超级器件工艺方法

[发明专利]超宽禁带氮化铝材料外延片及其制备方法-CN201811380251.1有效
发明人：龙瀚凌;王帅;张毅;戴江南;陈长清 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种超宽禁带氮化铝材料外延片，包括：纳米图形化蓝宝石衬底，所述衬底上设有周期性排列的图形；氮化铝外延层，设置于所述衬底上，包括从下至上的一次愈合层、二次愈合层，所述一次愈合层包括横向外延空隙及第一愈合区，所述横向外延空隙在所述图形的上方分布有多个，所述第一愈合区分布在相邻的所述横向外延空隙的侧面及上方，所述二次愈合层包括空气隙及第二愈合区，所述空气隙分布于所述第一愈合区的上方，所述第二愈合区分布在所述空气隙的侧面及上方经过二次愈合，可有效释放外延片残余应变，降低穿透位错密度，消除外延片表面裂纹呈现出类似体材料AlN衬底的优异性能。
超宽禁带氮化材料外延及其制备方法

[发明专利]一种硅衬底上外延GaAs的方法及制得的半导体器件-CN201910713563.8有效
发明人：常虎东;孙兵;苏永波;丁芃;刘洪刚;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅衬底上外延GaAs的方法及制得的半导体器件。方法为：在硅衬底上形成规律性密布的腐蚀坑；在所述腐蚀坑内第一次低温生长GaAs；在所述第一次低温生长GaAs进行第一次离子注入、退火；在所述第一次离子注入、退火之后进行第二次低温生长GaAs；在所述第二次低温生长GaAs进行第二次离子注入、退火；在所述第二次离子注入、退火之后高温生长GaAs。本发明实现了硅器件和上GaAs的高效外延，避免使用Ge中间层，提高了材料质量，并且所采用的外延方式可以大幅降低缓冲层厚度，实现实现硅基GaAs材料轻薄化。
一种衬底外延 gaas 方法半导体器件

[发明专利]制作具有耦合波导的DFB激光二极管和DFB激光二极管层结构的方法-CN96195612.7无效
发明人： B·斯特米勒;R·马茨 -专利权人：西门子公司
申请日： 1996-05-03 - 公布日： 1998-08-19 - 主分类号： H01S3/085 文献下载
摘要：利用本发明方法以四次外延步骤制作具有耦合光波导的MCRW－高温激光二极管,其优点为在这四次外延中,头两次和后两次实际上是一次接一次直接进行的,只是由于制作光栅才打断彼此的联系。
制作具有耦合波导 dfb 激光二极管结构方法

[发明专利]填充高深宽比沟槽的外延工艺方法-CN200910201876.1有效
发明人：阚欢;吴鹏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种填充高深宽比沟槽的外延工艺方法，在衬底硅片上进行外延生长，形成一层外延层；在所述外延层上进行第一次沟槽光刻；进行沟槽刻蚀，沟槽的刻蚀深度达到工艺所需的最大深度；在所述沟槽内涂布化学填充材料，填充深度应大于等于沟槽深度；化学填充材料刻蚀，刻蚀深度应与后续第二次刻蚀的沟槽深度相当；进行第二次沟槽光刻，第二次光刻的沟槽宽度大于第一次光刻的沟槽宽度；进行第二次沟槽刻蚀，形成台阶式沟槽结构，刻蚀深度根据工艺需求确定；去除沟槽内的化学填充材料；在所述沟槽内进行N型外延生长，填充所述沟槽。
填充高深沟槽外延工艺方法

[发明专利]半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件-CN202310180658.4在审
发明人：叶蕾;王峰;黄永彬 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于基底内形成埋层；采用一次外延工艺于基底的表面形成外延层；于外延层内形成多个沿第一方向间隔排布的隔离柱，隔离柱沿第二方向贯穿外延层，并与埋层相接触，相邻两个隔离柱与埋层组成隔离环；其中，第二方向与第一方向相交。通过一次外延工艺形成足够厚度的外延层，降低了形成外延层的工艺次数，外延层是一次形成，因此隔离柱也不需要分步形成，更不需要进行多次离子注入，降低了形成隔离柱的工艺次数，隔离柱与埋层相接触，相邻两个隔离柱与埋层组成隔离环
半导体结构制备方法半导体器件

[发明专利]一种功率器件外延结构及其制造方法-CN202110556144.5在审
发明人：夏华忠;李健;黄传伟;诸建周 -专利权人：江苏东海半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明是功率器件外延结构及其制造方法，其结构包括相互连接的35μm厚N型外延和N型衬底，N型外延上刻蚀有20μm深沟槽，沟槽底部为15μm厚P型区域，沟槽内和沟槽顶部为15μm厚P型外延。方法包括：1)准备具有N型外延外延片；2)N型外延光刻；3)等离子干法沟槽刻蚀；4)三次硼离子注入；5)光刻胶去除高温推进形成P型区域；6)P型外延填充；7)一次光刻定义N型区域；8)三次磷注入；9)去除光刻胶并高温推进形成本发明的优点：对比多层外延工艺和深沟槽加外延填充工艺，只使用一次外延生长，并且降低了对深沟刻蚀深度的依赖，有效降低了工艺成本和工艺难度，可靠性高，可使超级结工艺具有更大普及性。
一种功率器件外延结构及其制造方法

[发明专利]提高电极粘连质量的红光二极管芯片及其制备方法-CN202111158551.7有效
发明人：兰叶;朱广敏;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：p焊点所连通的一次p电极位于氧化硅键合层上，且一次p电极远离衬底的表面与氧化硅键合层远离衬底的表面齐平，绝缘的氧化硅键合层本身支撑外延结构以及一次p电极。p电极与氧化硅键合层上的外延结构可以保持较为完整的状态，不易损坏。再增加与一次p电极连通的p焊点，与一次n电极连通的n焊点，金属材料构成的电极与焊点具有较好的抵抗应力的能力且难以被破坏，保证外延结构与电极、焊点之间的稳定连接，提高电极粘连质量以提高得到的红光二极管芯片的制备良率
提高电极粘连质量红光二极管芯片及其制备方法