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[发明专利]改善电极质量的发光二极管及其制备方法-CN202310729791.0在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善电极质量的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供外延片，所述外延片包括层叠的衬底、外延层和绝缘层，所述绝缘层具有露出外延层的通孔；在所述绝缘层远离所述衬底的表面制作掩膜层，所述掩膜层具有露出所述通孔的凹槽；控制蒸镀材料的入射角为第一角度，在所述掩膜层的掩盖下在所述通孔内形成第一金属层；控制蒸镀材料的入射角为第二角度，在所述掩膜层的掩盖下在所述第一金属层的表面形成第二金属层，所述第二金属层的外轮廓在所述第一金属层上的投影位于所述第一金属层的外轮廓内，所述第二角度小于所述第一角度。本公开实施例能改善电极的制备质量。
改善电极质量发光二极管及其制备方法

[发明专利]垂直结构的微型发光二极管芯片及其制备方法-CN202111154723.3有效
发明人：兰叶;王江波;朱广敏;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了垂直结构的微型发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。先在透明导电膜层上正常依次生长一层第一氧化硅层，在第一氧化硅层上涂覆一层光刻胶并图形化，干法刻蚀配合湿法腐蚀依次得到面积依次减小的第二氧化硅层、氧化硅掩膜层，灵活控制由第二氧化硅层腐蚀得到的氧化硅掩膜层的尺寸。去除未被氧化硅掩膜层覆盖的透明导电膜层，得到尺寸较小的透明导电层。干法刻蚀配合湿法腐蚀得到的氧化硅掩膜层可以有效控制透明导电层加工图形的尺寸，成本较低且可以保证最终得到的透明导电层的稳定制备。能够降低微型发光二极管的制备成本并提高微型发光二极管的成品率。
垂直结构微型发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法-CN202110959811.4有效
发明人：兰叶;王江波;朱广敏;李鹏;吴志浩 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种增强侧面光强的发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片的衬底的第二表面上布置有多条导光槽，多条导光槽的端点均位于衬底的第二表面的边缘，每条导光槽内均依次层叠填充有第一填充材料和第二填充材料，第一填充材料为混有蓝宝石柱状物的SOG溶液，第二填充材料为混有蓝宝石球状物的SOG溶液。第一填充材料中的蓝宝石柱状物可以起到导光作用，以将从衬底底部出射的部分轴向光导向至衬底边缘，最终从芯片的侧面出光，提高发光二极管芯片的侧面光强。
增强侧面发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]高可靠性发光二极管芯片及其制造方法-CN202110728944.0有效
发明人：兰叶;陶羽宇;吴志浩;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种高可靠性发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片的绝缘层上开设有延伸至N型电极的第一导电孔和延伸至P型电极的第二导电孔，焊点包括第一焊点和第二焊点。第一焊点位于第一导电孔内以及绝缘层表面，与对应的N型电极电连接，第二焊点位于第二导电孔内以及绝缘层表面，与对应的P型电极电连接，第一导电孔和第二导电孔均为锥形孔，且沿芯片的层叠方向，锥形孔的内径逐渐增大。采用该结构的发光二极管芯片，可以减少LED芯片制造过程中空腔的产生，提高发光二极管芯片的可靠性。
可靠性发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]改善可靠性的发光二极管及其制备方法-CN202310454181.4在审
发明人：兰叶;朱广敏;王江波;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善可靠性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底和外延结构，所述外延结构包括依次层叠在所述衬底的承载面上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述外延结构的侧壁包括第一区域和第二区域，所述多量子阱层的侧壁位于所述第一区域，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的至少一个的至少部分侧壁位于所述第二区域，所述第一区域的坡角小于所述第二区域的坡角。本公开实施例能提升钝化层对外延结构的侧壁覆盖效果，以提升发光二极管的可靠性。
改善可靠性发光二极管及其制备方法

[发明专利]改善断裂的发光二极管及其制备方法-CN202310356656.6在审
发明人：兰叶;朱广敏;王江波;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善断裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括键合层、外延结构和多个激光反射结构，所述外延结构位于所述键合层的承载面上；所述多个激光反射结构位于所述外延结构和所述键合层之间，所述多个激光反射结构间隔排布。本公开实施例能改善激光剥离过程中激光在发光二极管的部分区域集中的问题，防止发光二极管轻易断裂。
改善断裂发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管及巨量转移方法-CN202310311980.6在审
发明人：兰叶;朱广敏;王江波;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了发光二极管及巨量转移方法，所述巨量转移方法包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个呈矩阵排列的LED芯片，每个所述LED芯片的表面为钝化层以及从所述钝化层伸出的焊盘；制作覆盖所述钝化层以及所述焊盘的牺牲钝化层；剥离所述LED芯片的衬底，形成多个芯片颗粒；对所述多个芯片颗粒进行巨量转移；在所述巨量转移之后，去除所述牺牲钝化层。在LED芯片的焊盘上方制作了牺牲钝化层，牺牲钝化层的表面平坦，并且材料特性均一，使得LED芯片巨量转移后芯片定位精确度得到明显的提升，从而改善了LED芯片的竞争力。
发光二极管巨量转移方法

[发明专利]一种电阻裕度控制方法-CN202310523563.8在审
发明人：兰叶;胡少中;李妮娜;邓群华;李明;侯雯馨;陈桂桂;姚林杰 -专利权人：金杯电工衡阳电缆有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01B13/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种电阻裕度控制方法，包括以下步骤：收集大量的检测数据，对各规格导体电阻裕度以及对应的米重进行检测，得出各电阻裕度下的重量；采用可旋转的定径模对导体进行拉丝；将拉丝后的导体进行绝缘注塑成电线；定期抽取百米成圈的电线，对成圈电线进行称重，与对应规格的重量进行对比。本发明通过可旋转的定径模对导体进行拉丝，对拉丝后的导体进行微拉，通过改善导体的椭圆度，确保了产品质量的均一性，控制导体电阻裕度在在1.5‑2.5％范围，提高产品的稳定性，提高了产品质量，有效节约了导体的用量，并定期抽取百米的电线，对成圈电线进行称重，与对应规格的重量进行对比，可快速判断导体电阻裕度的情况，提高了车间的材料利用率。
一种电阻控制方法

[发明专利]发光二极管芯片及其制作方法-CN202310283404.5在审
发明人：兰叶;王江波;朱广敏;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种LED芯片及其制作方法，属于半导体器件技术领域。该LED芯片包括：蓝宝石衬底、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极和第二电极；蓝宝石衬底具有相对的第一表面和第二表面、以及连接第一表面和第二表面的四个侧壁，四个侧壁首尾依次相连；第一半导体层、发光层和第二半导体层依次层叠在第一表面，第一电极与第一半导体层连接，第二电极与第二半导体层连接；其中，第二表面和相邻的两个侧壁之间的连接处为外凸的弧面。该LED芯片的出光均匀性较好。
发光二极管芯片及其制作方法

[发明专利]无衬底的红光微型发光二极管及其制备方法-CN202211733905.0在审
发明人：兰叶;朱广敏;王江波;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种无衬底的红光微型发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该红光微型发光二极管包括外延结构、电极和MgF2层，所述外延结构具有相对的第一表面和第二表面、以及与所述第一表面相邻的侧面，所述第一表面为出光面，所述MgF2层位于所述第一表面和所述侧面，所述MgF2层中分布有孔隙，且所述第一表面亮度越低的区域，所述MgF2层中的孔隙越小，所述电极位于所述第二表面。MgF2层的折射率较低，介于红光微型发光二极管的外延结构和空气之间，能够起到过渡的作用，从而改善光线从红光微型发光二极管中射出时的偏转角度。
衬底红光微型发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其制备方法、转移方法-CN202211434493.0在审
发明人：兰叶;王江波;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法、转移方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底、外延层和焊点块，所述外延层位于所述衬底的承载面，所述焊点块位于外延层远离所述衬底的表面，且所述焊点块与所述外延层电性相连，所述发光二极管在以下至少一处具有倒角：所述承载面的边缘；所述焊点块远离所述衬底的表面的边缘。本公开实施例能在转移发光二极管的过程中，让发光二极管平稳地转移至电路板，提升发光二极管的转移精度。
发光二极管及其制备方法转移

[发明专利]具有复合保护层的发光二极管芯片及其制备方法-CN202110474799.8有效
发明人：兰叶;吴志浩;王江波;陶羽宇 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了具有复合保护层的发光二极管芯片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。斥水膜层层叠在复合保护层上的同时，斥水膜层还延伸至n电极的外周壁与p电极的外周壁上，则斥水膜层直接覆盖了复合保护层的第一通孔与第二通孔，与n电极及p电极之间的间隙，将间隙与外界进行隔绝，避免水汽从第一通孔与第二通孔所在的位置进入发光二极管芯片的内部，可以减小发光二极管芯片受到水汽的影响，延长发光二极管芯片的使用寿命。且斥水膜层本身位于在复合保护层的表面，也可以减小水汽通过复合保护层进入芯片内部的可能，也可以一定程度上延长复合保护层本身的使用寿命，也可以提高发光二极管芯片的使用寿命。
具有复合保护层发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法-CN202111440633.0有效
发明人：兰叶;朱广敏;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种微型发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该微型发光二极管芯片包括依次层叠的基板、键合层和发光结构；所述发光结构靠近所述基板的表面设有多个第一凸起，所述第一凸起靠近所述基板的一端的端面面积大于所述第一凸起与所述发光结构相连的一端的端面面积；所述基板靠近所述发光结构的表面设有多个第二凸起，所述第二凸起靠近所述发光结构的一端的端面面积大于所述第二凸起与所述基板相连的一端的端面面积。本公开实施例能增强键合强度，使键合层与基板和外延结构连接更紧密，提高芯片的可靠性。
微型发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]大张角发光二极管芯片及其制造方法-CN202111111348.4有效
发明人：兰叶;王江波;朱广敏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种大张角发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该大张角发光二极管芯片的绝缘层包括依次层叠的钝化层和分布式布拉格反射层，所述钝化层为氧化硅层，所述分布式布拉格反射层包括交替层叠的氧化硅层和氧化钛层；所述钝化层的与所述分布式布拉格反射层接触的一面上具有多个凹槽，每个所述凹槽的底面均为斜面，且所述斜面的倾斜角度为α，20°≤α≤40°。该大张角发光二极管芯片可以提高侧向光的比例，增大LED芯片的张角并获得良好的光形。
张角发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]改善转移精度的发光二极管及其制备方法-CN202310017017.7有效
发明人：兰叶;王新建;王江波;吴志浩;张威 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善转移精度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的衬底、解离层和外延层，所述解离层包括多个第一AlN块，所述多个第一AlN块沿所述衬底的边缘分布。本公开实施例能有效避免解离时衬底表面解离能量分布不均的情况，改善发光二极管转移精度差的问题。
改善转移精度发光二极管及其制备方法

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