[发明专利]一种半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110258183.7 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112909079A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;黄冲;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体器件及其形成方法中，半导体器件的形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成阻挡层；形成浅沟槽结构；通过DSTI CMP工艺平坦化处理所述浅沟槽结构；以及去除所述阻挡层。本发明通过DSTI CMP工艺平坦化效果较现有技术中的STI CMP工艺平坦化效果好，并没有在DSTI CMP工艺中没有出现在研磨表面出现CMP dishing现象，使得STI凹陷的深度也较小，从而解决了由于STI凹陷区域的尖端电场集中引起的MOSFET器件较早开启的问题，即降低了MOSFET器件漏电电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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