[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011629168.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113054019A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈俊翰;李振铭;杨复凯;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一个实施例中，一种器件包括：栅电极；与栅电极相邻的外延源极/漏极区；位于外延源极/漏极区上方的一个或多个层间介电(ILD)层；延伸穿过ILD层的第一源极/漏极接触件，第一源极/漏极接触件连接至外延源极/漏极区；围绕第一源极/漏极接触件的接触间隔件；以及设置在接触间隔件和ILD层之间的孔洞。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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