[发明专利]一种低电容高压放电管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011370830.5 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN113161427A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王凯健;柯亚威;张鹏;周健 | 申请（专利权）人： | 江苏吉莱微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开一种低电容高压放电管，N型硅片两面设有N |
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| 搜索关键词： | 一种 电容 高压 放电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 2011-03-29 - 2011-10-05 - H01L29/87
- 本发明公开一种硅控整流器，包括半导体衬底；形成于该半导体衬底上方的N阱和P阱；形成于该N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；形成于该P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；形成于该N阱与该P阱相接合位置的第三掺杂区；以及形成于该第三掺杂区上方的硅化金属阻止区，本发明通过采用硅化金属阻止区减小了电流路径，同时增大了PNPN结形成的寄生三极管的放大器系数，从而提升了硅控整流器的打开速度，提高了硅控整流器的ESD保护能力。
- 4H-SiC PN穿通型二极管器件-201020662862.8
- 张发生 - 中南林业科技大学
- 2010-12-05 - 2011-08-03 - H01L29/87
- 本实用新型公开了一种4H-SiC PN穿通型二极管器件，其特征在于，N型欧姆接触层、N+4H-SiC衬底、N-4H-SiC外延层、P+区域层和P型欧姆接触层依次层叠连接形成4H-SiC PN穿通型二极管器件本体，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层分别与阴极和阳极相接。该4H-SiC PN穿通型二极管器件的反向耐压高，正向电流与电压之间特性好，实用价值高。
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