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- [实用新型]一种具有耐高温功能的晶闸管-CN201620163556.7有效
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杨景仁
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襄阳硅海电子股份有限公司
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2016-03-03
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2016-08-31
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H01L29/87
- 本实用新型公开了一种具有耐高温功能的晶闸管，包括管壳和半导体芯片，所述管壳包裹在半导体芯片外围，所述半导体芯片由下向上依次排列阳极钼片、P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区和N2阴极发射区，所述P1阳极发射区的厚度不超过70微米，所述N1长基区厚度不低于100微米，所述阳极钼片和P1阳极发射区之间设置厚度为3‑8微米的P+高浓度区。该晶闸管具有较厚的基区，从而减弱电场，达到减少漂移电流，避免阳极电流增大致使晶闸管误开通的目的；而高浓度P+区的加入利于基区离子注入，加强了电导调制效应，明显降低压降和功耗，同时可以有效阻止空间电荷区的扩展，解决了压降增大和降低工作电压两个问题，提高器件的结温和单位面积的电流密度。
- 一种具有耐高温功能晶闸管
- [实用新型]一种具有快速恢复功能的二极管-CN201620163514.3有效
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杨景仁
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襄阳硅海电子股份有限公司
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2016-03-03
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2016-07-27
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H01L29/868
- 本实用新型公开了一种具有快速恢复功能的二极管，包括二极管主体，所述N型掺杂区连接N型衬底，本征区连接P型掺杂区，所述N型掺杂区的表面设有氧化层，所述氧化层的表面设有介质层，所述N型掺杂区和本征区通过空穴移动和电子移动连通，所述P型掺杂区中相间分布有低浓度P型掺杂区和高浓度P型掺杂，所述高浓度P型掺杂连接发射极金属层，所述低浓度P型掺杂区连接氧化膜，该具有快速恢复的二极管，通过氧化层与氧化膜连通，有效的提高氧化速率，利用低浓度P型掺杂区和高浓度P型掺杂分别与本征区连通，利用介质层与金属发射层同时作用于PN结结合，有效的增加空穴移动与电子结合的速率，二极管改变方向时，更有效的达到工作状态。
- 一种具有快速恢复功能二极管
- [实用新型]一种用于静电放电的晶闸管-CN201620163610.8有效
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杨景仁
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襄阳硅海电子股份有限公司
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2016-03-03
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2016-07-27
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H05F3/00
- 本实用新型公开了一种用于静电放电的晶闸管，包括第一基体、连接块和第二基体，所述第一基体与连接块的一侧为固定连接，所述第二基体与连接块的另一侧为固定连接，所述第二基体的内部设有安装通孔，所述连接块为中空结构，所述连接块内部设有安装孔洞，且安装孔洞之间均连接有电线板，所述连接块的内壁四周均设有离子棒，所述电线板连接传感板的一端，所述传感板的另一端与离子棒连接，且导电带的另一端与晶闸管的前端位于同一个水平面内，而且还可以避免各个晶闸管之间的相互影响，不仅可以延长晶闸管的使用寿命，而且还可以起到一个很好的静电释放的功能。
- 一种用于静电放电晶闸管
- [发明专利]高压晶闸管及其生产工艺-CN200810047773.X有效
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杨景仁
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杨景仁
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2008-05-13
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2009-11-18
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H01L21/332
- 一种高压晶闸管及其生产工艺，包括在N型硅片上扩散P型杂质，形成结深浅浓度低的相同的P1区和P2区，表面浓度10～15mv，结深90～100μm；在P1区表面涂P型杂质源再扩散，形成结深较浅、浓度较低的P2区和结深深、浓度高的P1区，P2表面浓度8～10mv，结深110～130μm；P1表面浓度0.1～3mv，结深120～145μm；在P2区扩散N型杂质形成N2层，N2表面浓度0.08～0.11mv，结深15～22μm；在P1和N2表面制造欧姆接触层形成电极。本发明是通过制造不对称的P1区和P2区，达到协调正反向阻断电压对称性和降低通态电压的效果，元件通态电压下降10～15％，效果明显。
- 高压晶闸管及其生产工艺
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