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[发明专利]基于事务执行体状态的互联互通方法、电子设备及计算机存储介质-CN202310628908.6在审
发明人： 王正康;陈曙 -专利权人：广州朗国电子科技股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F9/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于事务执行体状态的互联互通方法、电子设备及计算机存储介质，该方法包括：预设事务执行体状态；所述事务执行体状态包括激活状态和待定状态；获取与所述事务执行体关联的当前行为，所述当前行为的数据源数据与当前控件绑定；激活所述事务执行体状态，判断所述当前行为与目标行为是否一致；若是，则数据源发送数据请求类型触发事务执行当前行为；若否，则为无效数据源返回执行判断步骤；数据源配置页面显示当前行为，完成场景切换。本发明中的事务执行体在激活状态时实现自动执行当前控件指向的行为，通过数据源配置页进行渲染。
基于事务执行状态互通方法电子设备计算机存储介质

[发明专利]基于数据源的互联互通方法及终端系统-CN202310628866.6在审
发明人： 王正康;何仲春 -专利权人：广州朗国电子科技股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06F16/25 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于数据源的互联互通方法及终端系统，该方法包括：S101，获取数据源库表中的目标数据源及其数据结构信息；S201，根据当前场景关联目标数据源，数据结构信息与当前控件绑定行为；S301，在公共事务库例中选择指定的事务与当前控件绑定的行为关联；S401，触发事务执行所述当前控件指向的行为，完成所述当前场景的切换。该方法的目标数据源，数据源的数据与当前控件指向的行为绑定，触发事务执行该行为，完成场景切换；整个过程联动反馈，使用场景广泛。
基于数据源互通方法终端系统

[发明专利]一种面向农业产业互联网的知识化推荐方法及系统-CN202310645598.9在审
发明人：李华锋;杨乐;张国强;陈玉龙;周朋飞;李婧;陶娇;吴永招;贾伟;孙晨钊;马美辰;张濛;韩金良;段舰航;延伟伟;王正康;任海阳;王亚南;郑文辉;陈超;朱文龙;刘云;刘丛琳;杨子申;秦艺丹;李双;楚慧杰 -专利权人：太极计算机股份有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：本发明提出一种面向农业产业互联网的知识化推荐方法及系统，涉及智能推荐技术领域。其中，方法包括：提取农业场景中的知识本体和历史农业数据，根据历史农业数据、知识本体构建农业产业知识库；历史农业数据为历史的农业场景下各环境指标在各物候期的标准数据；采集监测数据，与农业产业知识库中对应的历史农业数据进行比对，以确定监测数据的偏差程度；根据偏差程度以及监测数据对农业场景进行管理决策推荐。通过农业互联网对现代农业的整体产业进行管理指导，推动现代农业的全自动进程，利用互联网管控农业生产经营的整体过程，形成互联网与现代农业深度融合的产业链模式。
一种面向农业产业互联网知识化推荐方法系统

[发明专利]一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法-CN202110342787.X有效
发明人：乔明;马涛;王正康;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法，制备过程包括：控制栅与分离栅之间的介质层形成后，淀积或热生长一层牺牲氧化层，淀积氮化硅填充整个槽结构，其中氮化硅与MESA区硅层通过上述牺牲氧隔离开；刻蚀氮化硅后使槽内保留的氮化硅作为接下来氧化层刻蚀的屏蔽层；刻蚀氧化层至其界面高于阶梯状分离栅的上界面，随后刻蚀掉剩余的氮化硅；淀积多晶硅并回刻后形成控制栅电极。本发明制备的器件结构，控制栅下半部分较窄，可使栅源电容Cgs极大降低，同时控制栅上半部分增大了栅极电流流动的横截面积，保证栅源电容Cgs以及栅电荷Qg不退化的前提下，降低栅电阻，实现高开关速度与低开关损耗的目标。
一种分离功率 mosfet 器件制造方法

[发明专利]降低小尺寸控制栅结构栅电阻的金属布线方法-CN202010232572.8有效
发明人：乔明;董仕达;方冬;王正康;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明提供一种降低小尺寸控制栅结构栅电阻的金属布线方法，在栅结构上每隔一定的间距通过重掺杂多晶硅将相邻两个控制栅槽内的栅电极相连接，在栅连接部位打孔引出金属，为第一层金属；在源区上打孔引出金属，为第二层金属；两层金属之间由介质层隔开，通过第一层金属在Y方向上与栅电极的多点接触，解决Y方向上栅电极路径过长带来的栅电阻增大问题，相邻的连接槽与槽中栅电极的重掺杂多晶硅，于Y方向上的间距可以任意调节，以达到不同的栅电阻需求，大大提高了设计灵活性，由此可利用双层金属，得到低栅电阻的小尺寸控制栅结构的金属氧化物半导体场效应管。
降低尺寸控制结构电阻金属布线方法

[发明专利]一种沟槽分离栅器件的制造方法-CN202110343647.4有效
发明人：乔明;钟涛;方冬;王正康;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽分离栅器件的制造方法，包括如下步骤：(1)刻蚀半导体衬底形成沟槽；(2)于所述沟槽内形成分离栅介质层；分离栅介质层由至少一层介质层构成；(3)于所述沟槽内淀积多晶硅形成分离栅；(4)在所述分离栅上形成隔离介质层；隔离介质层处于分离栅和控制栅之间，隔离介质层由至少一层介质层构成；分离栅介质层和隔离介质层不能同时为一层介质层；(5)在所述隔离介质层上形成倒U形控制栅；本发明采用一种或多种材料形成分离栅介质层和/或隔离介质层，分离栅介质层和隔离介质层只需要一种采用多层结构，即可形成分离栅器件的倒U形控制栅，能够减小控制栅与分离栅的交叠，进一步减小器件的寄生栅源电容。
一种沟槽分离器件制造方法

[发明专利]一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法-CN202110834666.7有效
发明人：乔明;王正康;马涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法，控制栅制备包括：控制栅与分离栅之间的介质层形成后，热生长牺牲氧并淀积氮化硅，其中氮化硅与硅层通过上述牺牲氧隔离开；淀积氧化层并回刻至低于MESA区氮化硅上表面，使用MASK刻蚀氧化层及氮化硅后槽内保留一定垂直高度的氮化硅；淀积氧化层并采用CMP与湿刻结合的方式去除部分氧化层，至其界面与分离栅上界面保持一定距离后刻蚀剩余氮化硅；淀积多晶并回刻形成控制栅。本发明所述方法采用氮化硅层屏蔽氧化层刻蚀的方式，形成下部分较窄的控制栅，所述控制栅工艺上易实现，同时减小控制栅与分离栅交叠从而降低栅源电容。分离栅上部分较大横截面积降低栅源电容及栅电荷的同时保证栅电阻基本不退化。
一种分离功率 mosfet 器件制造方法

[发明专利]降低窄控制栅结构栅电阻的金属布线方法-CN202010232579.X有效
发明人：乔明;董仕达;王正康;方冬;王卓;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-03-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种降低窄控制栅结构栅电阻的金属布线方法，在栅结构上每隔一定的间距刻为第一栅电极和第二栅电极，同时每隔一定间距保留完整控制栅电极，从而构成第一、第二栅电极与完整栅电极间隔排列的结构，在完整栅电极部位打孔引出金属，为第一层金属；在源区与分离栅上打孔引出金属，为第二层金属；两层金属之间由介质层隔开，通过第一层金属在Y方向上与栅电极的多点接触，解决Y方向上控制栅电极路径过长带来的栅电阻增大问题，同时，通过控制完整栅电极在Y方向上的间距来控制栅电阻的大小，由此利用多层金属得到低栅电阻的窄栅结构的金属氧化物半导体场效应管，使得本发明所述器件既有低栅电容特性，又有低栅电阻特性。
降低控制结构电阻金属布线方法

[实用新型]一种防坠果的无土栽培架-CN202222752112.5有效
发明人：康欣娜;周彦伟;苏哲芳;王正康 -专利权人：赵县鑫农孵化基地有限公司;石家庄市农林科学研究院
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： A01G31/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及无土栽培装置技术领域，尤其涉及一种防坠果的无土栽培架。包括：底座，所述底座两端分别设有竖直布置的支撑部，且所述支撑部上具有用于连接固定的通道；至少一个培养部，所述培养部上设有沿通道滑动连接的导向件，且所述导向件中部设有卡块，所述培养部的下方设有可伸缩的接取装置；提供了一种防坠果的无土栽培架，能够根据农作物的种类调整高度间距，以及种植空间的数量，使用方便，而且具有用于承接成熟果实的接取装置，有效避免了果子掉落造成浪费的情况，并且在果实采摘中也具有防护功能。
一种防坠果无土栽培

[发明专利]一种寡聚乙二醇氟化芳环有机小分子及其制备方法和应用-CN202110947944.X有效
发明人：张志德;于怡;魏金建;王正康;丁少杰 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C07C323/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种寡聚乙二醇氟化芳环小分子配体及其制备方法和应用，具有如下所示结构：式(I)，其中m和n均为正整数，且m＝1‑6，n＝1‑8。该配体可与金纳米粒子在溶液中自组装成具有等离子共振特性的金纳米囊泡结构，该金纳米囊泡的紫外吸收光谱最大吸收峰较分散的金纳米粒子显示出较大红移，表明该金纳米囊泡展现出优异的光学性能，在医药和材料领域具有广泛的应用前景。
一种聚乙二醇氟化有机分子及其制备方法应用

[实用新型]一种蔬菜栽培用定点施肥装置-CN202221319348.3有效
发明人：康欣娜;周彦伟;武亚红;王正康;周胜利;姚则羊;刘娜;樊书杰;王晓伟 -专利权人：石家庄市农林科学研究院
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： A01C15/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种蔬菜栽培用定点施肥装置，包括施肥小车，所述施肥小车上设有多个移动轮，所述施肥小车一侧外壁转动设有传动带轮，所述传动带轮通过转动机构与其中一个移动轮连接，所述施肥小车内转动设有一个闭合板，所述闭合板上端面固定有一根传动轴，所述传动轴通过传动机构与传动带轮连接。本实用新型通过设置施肥小车、转动机构、传动机构与联动机构，该方案设计能利用施肥小车实现储废、运废与施肥，其在具体的操作过程中还无需为其设置动力设备，同时还能一直对废料进行搅拌保证其分混合均匀性，装置整体的实用性非常高值得推广。
一种蔬菜栽培定点施肥装置

[实用新型]一种蔬菜栽培用实时称重设备-CN202221322849.7有效
发明人：康欣娜;武亚红;周彦伟;孙芳;周胜利;王正康;刘会平;陈帅;郝红格 -专利权人：石家庄市农林科学研究院
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G01G19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种蔬菜栽培用实时称重设备，涉及蔬菜栽培称重技术领域，包括底座，所述底座的主体为镂空结构，且底座的内部后端面固定连接有导轨，导轨呈直线阵列固定连接在底座的内部位置，且导轨的内部开设有纵向槽，导轨中纵向槽的内部安装有电动推杆A，电动推杆A的顶端安装有移动座，移动座的前端安装有电动推杆B，电动推杆B的前端固定连接有托板，电动推杆B与托板共同组成了支撑结构，解决了现有的在进行称重作业时无法对称重合格的蔬菜进行自动化的取出输送工作，进而存在着局限性的问题，通过螺杆与支撑座的传动连接来使得夹爪移动到合适位置，然后通过启动电动推杆C将夹爪推出对蔬菜进行夹紧后移动到输送带之上进行输送工作即可。
一种蔬菜栽培实时称重设备

[发明专利]一种基于混合可见光和BLE的室内定位方法-CN202110858025.5有效
发明人： 王正康;骆冰清;王佩佩;夏彬 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H04W4/021 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于混合可见光和BLE的室内定位方法。首先使用加权最小二乘法融合可见光的RSSI数据与BLE的AOA数据得到混合特征指纹，增强了指纹特征的表达，一定程度上解决使用单个指纹特征定位时的精度不高问题。然后使用连续小波变换将稳定的可见光RSSI样本作为时间序列数据映射为二维联合时频数据，在不同的时间尺度上提供良好的特征表示，使用CNN有效捕获数据结构，准确预测各参考点与目标点之间的匹配概率，将得到的概率用于后续WKNN的样本点选取以及权值推算。最后将离线指纹库中WKNN的样本点对应的指纹信息、在线测得的目标点的指纹信息以及推算得到的权值输入WKNN后得到目标点的精确位置。
一种基于混合可见光和 ble 室内定位方法

[发明专利]一种基于Navier-Stokes方程的防波堤桨叶模态分析方法-CN201910345753.9有效
发明人：唐佳栋;阎宏艺;赵建雷;王正康;黎亮 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Navier‑Stokes方程的防波堤桨叶模态分析方法，在振动理论和有限元理论的基础上，利用三维CAD软件对某新型浮式防波堤桨叶进行了建模，借助有限元软件ANSYS的ACT扩展包对其进行了干湿两种状态下的模态分析。通过对比两者的固有频率可以发现在对流体中结构进行模态分析时，流体对其模态的影响是不能忽略的。本发明为该类型防波堤桨叶建设的安全评估提供数据依据，也为研究流体结构的模态提供了一种新的方法。
一种基于 navier stokes 方程防波堤桨叶分析方法

[发明专利]改善热载流子注入的功率半导体器件-CN202110436194.X有效
发明人：乔明;马鼎翔;王正康;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供改善热载流子注入的功率半导体器件，在介质槽中在漏极一侧引入漏极场板，与漏电极相连，具有同电位，改善了介质槽漏极侧空穴注入效应；在介质槽内源极一侧引入屏蔽栅场板，与源电极或地相连，构成屏蔽栅，在降低栅漏寄生电容Cgd的同时，改善了介质槽源极一侧的电子注入效应；通过深槽刻蚀的方法使载流子在路径上避开介质槽侧壁也能改善热载流子注入。本发明针对具有介质槽的功率半导体器件，提供具有长期可靠性、有低导通电阻、开关速度快的功率半导体器件结构。
改善载流子注入功率半导体器件

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