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[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法-CN201610490201.3有效
发明人：陈万军;娄伦飞;刘超;唐雪峰;胡官昊;陈楚雄;陶虹;刘亚伟;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。本发明在传统槽栅型绝缘栅双极晶体管的基础上，通过在P‑base区内引入了N型重掺杂层，当器件正向导通时，空穴电流在埋层下方横向流动，经Rb产生横向压降，当电压降大于0.7V时，N型重掺杂层向漂移区和下P‑base区注入电子，发生强烈的电导调制，使得器件具有极低的导通压降，从而大大降低了器件导通损耗；在阻断态下，由于在沟槽边缘处没有向CSTBT一样的高浓度CS层且阻断电压主要由漂移区承受，因此器件的耐压不会受到N型重掺杂层的影响；在关断期间，漂移区内存储的空穴经过N型重掺杂层的开口区域被发射极抽出，表现出和传统器件一直的关断特性。
一种绝缘双极晶体管及其制造方法

[发明专利]一种功率器件封装结构及封装方法-CN201610677974.2有效
发明人：陈万军;刘亚伟;唐血峰;娄伦飞;陶虹;刘承芳;刘杰;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件封装结构及封装方法及封装方法，本发明功率器件封装结构包括芯片槽、与芯片槽一体的是可以单独用作一个电极的金属外壳、通过环形绝缘层固定在金属外壳的侧下方的引脚，以及用于器件密封的金属盖板。本发明的金属管壳可以做独立的电极使用，以贴片的形式焊接的在电路中；本封装所具有的四管腿结构可以满足新型功率器件对管脚数目的要求；与传统功率器件相比较本发明具有更大的用于安放芯片的芯片槽，而由金属制成的外管壳尺寸较小，可以实现高功率器件的大芯片小封装。
一种功率器件封装结构方法

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201710024792.X在审
发明人：陈万军;陈楚雄;娄伦飞;唐血锋;陶宏;胡官昊;王泽恒;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件领域，具体的涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导型绝缘栅双极晶体管，其创新之处是将结终端阳极区域的P型掺杂替换为N型掺杂，这样在元胞区的N型阳极区可以做的比较短，从而提高了阳极短路电阻以抑制Snapback效应。在加反向电压的时候，元胞区和结终端区的N型阳极区域共同充当PIN二极管的阴极，相当于将结终端区的面积利用起来进行反向导通，这样就在不影响器件反向导通能力的同时抑制了正向导通时候的Snapback效应。在实际应用中可以根据器件正反向导通能力的需要，灵活地调整元胞区的N型阳极区长度来满足要求。
一种逆导型绝缘双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种功率器件封装结构-CN201610712108.2在审
发明人：陈万军;娄伦飞;刘亚伟;唐血峰;刘超;胡官昊;陈楚雄;陶虹;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件封装结构。本发明功率器件封装结构具有4个外接引脚，新增加的一个外接引脚作为栅驱动源极，旁通了主电源源极导线和引脚的寄生电感，从而主电源的源极电感对栅驱动电路的影响将被消除，源电感引起的压降不再影响栅源电压，从而降低了器件的栅驱动损耗；另一方面，由于新增加的外接引脚上没有大电流流过，在其导线和引脚上几乎没有压降，从而很好地将芯片箝位在0V，这使得器件的工作电压大大降低，从而降低了器件导通损耗；另外发本发明还通过增加第一管脚，第二管脚的宽度，以及第一，二管脚之间的距离，达到降低高压功率器件管脚之间电磁干扰的目的，从而满足高压大功率器件的封装要求。
一种功率器件封装结构

[发明专利]一种功率半导体器件-CN201610348220.2在审
发明人：陈万军;唐血锋;刘超;娄伦飞;程武;刘亚伟;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率半导体器件。本发明包括从下至上依次层叠设置的阳极金属、P型阳极区和N型衬底；所述N型衬底上层具有P型基区，所述P型基区上层具有相互独立的N型源区和N型发射区；所述N型衬底上表面具有栅氧化层，所述栅氧化层还延伸覆盖部分P型基区和N型源区的上表面；所述栅氧化层的上表面具有栅极金属；所述N型发射区上表面具有第一阴极金属，所述第一阴极金属还覆盖部分P型基区的上表面；其特征在于，所述N型源区的上表面还具有第二阴极金属。本发明的有益效果为，解决了常规的功率器件在阴极电感引起的栅氧化层击穿问题，从而提高了器件的可靠性。
一种功率半导体器件

[发明专利]一种MOS触发负阻二极管及其制造方法-CN201510891762.X在审
发明人：陈万军;刘超;唐血锋;娄伦飞;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS触发负阻二极管(MOS-triggered Dynistor，简称MTD)及其制造方法。本发明提供了一种应用于脉冲功率领域的具有常关型MOS触发负阻二极管。相较于常规MCT，本发明MTD具有穿过N型源区连接阴极金属的P型基区凸起结构。阴极金属连接N型源区和P型基区凸起结构形成阴极短路，使器件具备常关特性，这样可简化驱动电路，增加了系统可靠性。本发明MTD工作模式为PNPN负阻二极管模式，具有很高的峰值电流和电流上升率，非常适合使用于脉冲功率领域。
一种 mos 触发二极管及其制造方法

[发明专利]一种槽栅双极型晶体管-CN201510788233.7在审
发明人：陈万军;刘超;娄伦飞;唐血锋;程武;古云飞;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案是在常规的CSTBT载流子储存层中插入数个贯穿载流子存储层的掺杂浓度较高的P型条。与常规CSTBT相比，插入的P型条能对槽栅边缘附近的电场进行调制，降低槽栅边缘处电势的曲率半径，避免了器件的提前击穿，进而有效提高了器件的反向耐压能力及稳定性。同时，未完全耗尽的P型条也为少数载流子的输运提供了额外的抽取通道，进而加快少数载流子的抽取速度，缩短关断时间，减小关断损耗。相较于常规TIGBT，载流子储存层沿着新的电导调制型基区的轮廓将基区完全包裹，载流子储存效应依然存在，使FM-TIGBT具有了低导通压降的优势。
一种槽栅双极型晶体管

[发明专利]一种功率半导体器件及其制造方法-CN201510752924.1在审
发明人：陈万军;唐血锋;刘超;娄伦飞;周琦;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种功率半导体器件及其制造方法，尤其是逆导型的MOS触发负阻性器件。本发明包括N型衬底，在N型衬底上表面设置有P型基区，在P型基区上表面有N型源区、PIN阳极区和N型发射区，其中N型源区是MOS管的源端、PIN阳极区是反向PIN管的阳极区、N型发射区是NPNP晶闸管的阴极区；在N型衬底下表面设置有P型阳极区，在P型阳极区7的中间位置设有N型阳极区，并且N型阳极区没有穿通P型阳极区直接和N型衬底连接，而是包含于P型阳极区内。本发明的有益效果为，具有常关功能、极高的峰值电流能力和电流上升率、反向导通能力，同时本发明还提供简单的制造方法，本发明的器件还具有较高的可靠性。
一种功率半导体器件及其制造方法

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