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[发明专利]一种低电容功率TVS器件及其制造方法-CN201610874344.4有效
发明人：刘宗贺;邹有彪;王泗禹;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种低电容功率TVS器件，属于半导体防护器件领域，所述低电容功率TVS器件是由功率TVS二极管和低电容二极管串联的单片集成器件，包括N型半导体基体、N+型扩散层、P+型扩散层、离子注入区、钝化层、金属层。本发明将功率TVS二极管和低电容的二极管串联集成在单一芯片上，使封装简单化，提高封装的良率，采用高阻N型半导体衬底制造，降低器件的结电容，避免通信信号失真，同时通过控制离子注入量，控制器件的反向击穿电压为75‑100V。
一种电容功率 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种采用异质结结构的可控硅及其制造方法-CN201710365079.1有效
发明人：邹有彪;廖航;童怀志;刘宗贺;徐玉豹;王泗禹;王禺 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用异质结结构的可控硅，包括P型穿通区、N型长基区、P+阳极区、P型短基区；P型短基区与P型穿通区之间设有沟槽；P型穿通区、N+阴极区、P型短基区上侧均覆有氮化硅钝化层；P型短基区上侧还设有门极；本发明的制作工艺包括：硅片双面抛光、氧化、穿通区光刻、穿通扩散、短基区扩散、浓硼区光刻、浓硼区扩散、阴极区光刻、生长碳化硅外延、碳化硅刻蚀、沟槽光刻、沟槽腐蚀、氮化硅钝化、玻璃钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背金。本发明减小了常温下可控硅的触发电流，避免了发射区重掺杂效应的发生，提高了可控硅在高温下工作的稳定性。
穿通光刻可控硅异质结结构浓硼区阴极区氮化硅钝化层氮化硅钝化短基区扩散碳化硅外延扩散玻璃钝化触发电流沟槽腐蚀硅片双面制作工艺常温下发射区碳化硅阳极区引线孔重掺杂抛光铝合金背金反刻减小刻蚀门极蒸铝生长制造

[发明专利]一种低电容双向TVS器件及其制造方法-CN201710365076.8有效
发明人：邹有彪;徐玉豹;童怀志;刘宗贺;廖航;王泗禹;王禺 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容双向TVS器件，TVS器件为双向对称结构，包括反向并联的两个低电容二极管，两个低电容二极管均与TVS二极管串联；本发明还提供一种低电容双向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步骤：衬底材料准备、衬底氧化、P+型埋层区光刻、P+型埋层区硼离子注入及推结、外延生长、外延层氧化、隔离区光刻、磷离子注入及推结、N‑基区光刻、磷离子注入及推结、N基区光刻、磷离子注入及推结、P型基区光刻、硼离子注入及推结、P+注入区光刻、硼离子注入及推结、N+注入区光刻、磷离子注入及推结、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、减薄、背面金属化。本发明满足通讯设备的高频率工作要求，不会因为寄生电容过大而导致传输信号失真。
一种电容双向 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种防电源反接防双向浪涌器件及其制造方法-CN201710175997.8有效
发明人：邹有彪;刘宗贺;王泗禹;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-03-21 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有防电源反接防双向浪涌器件，主要由防电源反接单元和瞬态抑制单元构成的三端子保护器件，所述防电源反接单元包括至少一个二极管D；所述瞬态抑制单元包括至少一个双向TVS瞬态抑制二极管和至少一个单向TVS瞬态抑制二极管器件。本发明的防电源反接防双向浪涌器件，当用电终端因为启停或者感性负载开关等动作产生浪涌电压时，单向TVS瞬态抑制二极管及双向TVS瞬态抑制二极管能对浪涌过电压进行钳位，从而防止用电终端负载对电源产生冲击，保证电源供电的纯净。可以只用一个芯片同时实现防电源反接及双向浪涌防护功能，同时能减小电源模块PCB板的面积，从而大大降低成本。
一种电源接防双向浪涌器件及其制造方法

[发明专利]一种低电容单向TVS器件及其制造方法-CN201710365080.4有效
发明人：徐玉豹;邹有彪;童怀志;刘宗贺;廖航;王泗禹;王禺 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电容单向TVS器件，包括反向并联的两个低电容二极管，其中一个低电容二极管与TVS二极管串联；本发明还提供一种低电容单向TVS器件制造方法，所述方法包括以下步骤：衬底材料准备、氧化、P+型埋层区光刻、硼离子注入及推结、外延生长、外延层氧化、隔离区光刻、磷离子注入及推结、N‑基区光刻、磷离子注入及推结、N基区光刻、磷离子注入及推结、P+注入区光刻、硼离子注入及推结、N+注入区光刻、磷离子注入及推结、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、减薄、背面金属化。本发明通过TVS二极管与低电容二极管的串联，起到了降低器件的电容值作用，保证了电子产品在使用中，不会因为TVS器件的寄生电容过大，影响其正常的工作。
一种电容单向 tvs 器件及其制造方法

[发明专利]一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法-CN201610875049.0有效
发明人：刘宗贺;邹有彪;王泗禹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L29/87 文献下载
摘要：本发明公开一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法，该半导体放电管芯片由两个相同的双向对称的低电容低压半导体放电管串联构成，其中任一串联的低电容低压半导体放电管包括位于n‑型半导体基体上表面的p‑阱区，p‑阱区下部的p型区，p型区内及p‑阱区边缘的n型区，以及p型区和n型区上表面的金属层，对p‑阱区进行硼离子注入掺杂，使两个n型区之间的p‑阱区的浓度为3e13‑3e14cm^‑3；对硅片双面进行光刻和掺杂控制，使p型区内及p‑阱区边缘的n型区之间的距离d为5‑10μm，使得半导体放电管在发生转折时两个n型区发生穿通击穿，击穿电压低于6V。本发明具有低电容、低电压的特点，减少通信信号的延迟和失真，同时对高清视频接口浪涌起重要的保护作用。
一种电容低压半导体放电芯片及其制造方法

[发明专利]一种调节双向可控硅触发电流的工艺方法及双向可控硅-CN201611047786.8有效
发明人：邹有彪;刘宗贺;王泗禹;徐玉豹 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及调节双向可控硅触发电流的工艺方法，包括：硅片双面抛光、氧化、穿通光刻、穿通扩散、镓扩散、硼扩散、阴极光刻、阴极扩散、台面槽光刻、台面腐蚀、台面钝化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻、铝合金、背面金属化，其特征在于，所述硼扩散于硅片背面的p型扩散区P1层和正面的p型扩散区P2层的扩散浓度不一致。可以改善双向可控硅四个象限的触发电流，双向可控硅四个象限触发电流的一致性强，可以有效的提高器件的换向能力，降低器件对线路的电磁干扰。
一种调节双向可控硅触发电流工艺方法

[发明专利]一种高灵敏度光敏三极管及其制造方法-CN201610875047.1有效
发明人：刘宗贺;邹有彪;王泗禹 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开一种高灵敏度光敏三极管，包括基区、发射区、发射极金属区、高阻区、钝化区，所述基区由多个独立基区组成，所述独立基区构成元胞状结构，所述发射区位于独立基区内，所述发射极金属区独立位于所述发射区内，相连的所述发射极金属区形成光敏三极管的发射极E，所述高阻区位于相互独立基区之间，所述钝化区位于独立基区之间的高阻区上。本发明中高阻区处于耗尽状态时能够能承受更高的耐压，使得击穿电压能够达到70V以上而不受光敏三极管电流放大倍数和工艺的限制；同时光敏三极管的基区由多个独立的基区构成，且受光区位于基区和高阻区表面，具有更高的光吸收效率，对微弱的光能够产生响应，具有光灵敏度高的特点。
一种灵敏度光敏三极管及其制造方法

[实用新型]一种新型半导体的封装模具-CN201720379893.4有效
发明人：刘宗贺;王泗禹;周体志;童怀志;张荣;康剑;郑文彬;吴海兵 -专利权人：合肥富芯元半导体有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型半导体的封装模具，包括下模具以及位于下模具上方的上模具，所述下模具上包括有凹槽，所述凹槽的底部设置有吸气孔；所述下模具的上表面安装有导向杆，所述导向杆上设置有弹簧；所述下模具开有注料口，所述下模具的下表面开有导向孔。本实用新型通过阶梯型凹槽，使得在封装的过程中半导体与凹槽的底部不接触，有效提高半导体的散热效果；通过将凹槽的侧壁进行倾斜设计，提高封装材料对半导体的封装速度；通过导向杆和导向孔的设计，使得上模具与下模具在闭合的过程中不发生较大的偏移，大大提高了精确度；通过在导向杆上设置弹簧，能够在完成封装时将上模具自动弹起，提高工作人员的效率，降低生产成本。
一种新型半导体封装模具

[实用新型]一种弧线高度检测治具-CN201720380775.5有效
发明人： 王泗禹;刘宗贺;周体志;童怀志;张荣;康剑;吴海兵;郑文彬 -专利权人：合肥富芯元半导体有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开一种弧线高度检测治具，包括导向板、挡板和水平调节机构；所述导向板包括底板、支撑板和隔板，所述底板一表面两侧分别设置有一支撑板；其中，所述两支撑板之间并排设置有若干隔板；其中，所述支撑板的一表面固定有水平调节机构；所述挡板固定在水平调节机构上；所述隔板的高度小于支撑板与水平调节机构的高度之和；所述两水平调节机构的高度相等；所述相邻隔板与支撑板或隔板之间距离相等。本实用新型通过在导向板和挡板之间设置有可调节高度的水平调节机构，且通过调节水平调节机构的高度，可对不同半导体封装打线的高度进行测量，具有检测准确性高、使用方便的特点，大大提高检测产品的效率，减少制作检测治具的成本。
一种弧线高度检测

[实用新型]一种新型半导体元器件拆卸治具-CN201720379895.3有效
发明人：童怀志;王泗禹;刘宗贺;周体志;张荣;康剑;郑文彬;吴海兵 -专利权人：合肥富芯元半导体有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型半导体元器件拆卸治具，包括加热性风机、第一出风装置以及第二出风装置，所述加热型风机通过第一管道与第一出风装置的输入端连接，所述第一管道上安装有计时器、球阀和控制器；所述第一出风装置的输出端通过第二管道与第二出风装置连接；所述第二出风装置包括矩形外壳和四棱锥，四棱锥放置在矩形外壳内，所述四棱锥与矩形外壳之间等距设置有若干出气管，所述出气管的出风口分别与被拆卸半导体元器所有引脚所分布的位置一一对应。本实用性通过对半导体元器进行拆卸，不仅能够同时对多个半导体元器进行拆卸，而且能够对同一半导体上所有引脚进行同时拆卸，具有结构简单、操作方便、效率高和拆卸成本低的特点。
一种新型半导体元器件拆卸

[实用新型]一种适用性半导体模块的拆卸治具-CN201720380784.4有效
发明人：童怀志;王泗禹;刘宗贺;周体志;张荣;康剑;郑文彬;吴海兵 -专利权人：合肥富芯元半导体有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种适用性半导体模块的拆卸治具，包括加热性风机、第一出风装置以及第二出风装置，所述第二出风装置内安装有挡板，所述挡板上等距设置若干的出风孔，所述出风孔与出风管的位置相对应，每个出风孔上分别安装有一挡块；所述挡板两侧均垂直设置有连接杆，所述连接杆的另一端与连接环连接。本实用新型通过对挡板的出风孔有选择的安装挡块，可实现对出风口的数量及位置的选择，满足不同半导体模块引脚位置的一对一设计，进而能够同时对半导体模块上的所有引脚上的焊锡进行加热，具有结构简单、拆卸速度快的特点；通过在挡板上安装有连接杆和连接环，便于将挡板从第二出风装置内拆下，具有操作方便、实用性强的特点。
一种适用性半导体模块拆卸

[实用新型]一种半导体芯片封装结构-CN201720380313.3有效
发明人：周体志;王泗禹;刘宗贺;童怀志;张荣;康剑;吴海兵;郑文彬 -专利权人：合肥富芯元半导体有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体芯片封装结构，包括半导体芯片设置有功能区域；保护基板覆盖所述半导体芯片上具有功能区域的一面；支撑结构位于所述半导体芯片和所述保护基板之间；所述支撑结构包括外支撑件和位于外支撑件内侧的内支撑件，所述内支撑件与半导体芯片以及保护基板之间形成第一空腔，所述半导体芯片的功能区域设置在第一空腔内，所述内支撑件与外支撑件以及保护基板之间形成第二空腔；所述外支撑件上至少具有一个朝向内支撑件延伸的支撑凸架；所述内支撑件上至少设置有一个透气结构。本实用新型能够有效释放了水汽瞬间气化膨胀产生的压力，降低水汽对支撑结构的冲击力，进而有效解决支撑结构易开裂的问题，提高芯片的使用寿命。
一种半导体芯片封装结构

[实用新型]一种半导体集成电路的封装结构-CN201720380774.0有效
发明人：周体志;王泗禹;刘宗贺;童怀志;张荣;康剑;吴海兵;郑文彬 -专利权人：合肥富芯元半导体有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体集成电路的封装结构，包括电路基板，所述电路基板的上部和下部分别设置有上封装体和下封装体，所述上封装体与所述电路基板间安装有集成电路芯片，所述集成电路芯片的上端面与所述上封装体的下端面间设置有第一导热双面胶，所述集成电路芯片的两侧与引脚连接；所述电路基板的下端面设置有第二导热双面胶；所述下封装体为空腔设计，所述下封装体的截面为U型结构。本实用新型通过上封装体和下封装体对集成电路芯片进行固定，提高稳定性；通过第一导热双面胶和第二导热双面胶进行连接和导热；通过在空腔内填充散热填充剂以及在凹槽内涂覆导热硅脂，加快散热性，该实用新型具有散热效果好、结构简单的特点。
一种半导体集成电路封装结构

[实用新型]探针台扎针自动测量装置-CN201621255206.X有效
发明人：葛祖智;安旭辉;王泗禹;康鹏飞 -专利权人：安徽富芯微电子有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及探针台扎针自动测量装置，包括探针，还包括单稳态触发器，所述单稳态触发器与继电器组连接，所述继电器组分别与照明灯、探针、信号触发线、自动测量装置的测试通道连接。本实用新型的探针台扎针自动测量装置，可以使手动探针台在扎针后自动关照明灯和测量，并在测量完成后再次开照明灯，使得测量过程中除了扎针以外其余所有步骤的自动化，对提高效率有着明显的作用；而且本实用新型的探针台扎针自动测量装置，不会对原电路产生干扰，拆装方便，便于拆卸。
探针扎针自动测量装置

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