[发明专利]一种具有多沟槽的双极结型晶体管在审
| 申请号： | 202010887628.3 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111969052A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;程然;胡汶金 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/10;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有多沟槽的双极结型晶体管。本发明相比于传统工艺制作的双极结型晶体管，采用沟槽工艺来制作双极结型晶体管的发射区、基区以及集电区，一是沟槽工艺使得每个沟槽区域浓度分布更加均匀更容易控制，导通时的电流路径分布更加均匀，避免电流线集中在某一区域，增加了整个器件的可靠性；二是沟槽工艺可以提高整个器件的过电流能力，可以减小整个器件的面积，增加了其电流泄放能力；最后沟槽工艺可以改善其结形貌，避免提前击穿，从而提高其击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟槽 双极结型 晶体管 | ||
【主权项】：
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- 本发明公开了在垂直电晶体(例如IGBT)中的各种改进。该等改进包括在生长基板的顶端表面区中形成周期性高度掺杂p型射极熔接点，接着是生长该等各种电晶体层，接着是磨光该基板的底面，接着是该底面的湿式蚀刻以暴露该高浓度掺杂p+层。金属接点随后在该p+层上面形成。在另一改进中，边缘终止结构利用植入渠沟中的p‑掺杂物以产生用于塑形该电场的深p‑区，以及在该等渠沟之间用于在截止之后快速地去除电洞的浅p‑区。在另一改进中，使用n‑层和分布式n+区的双缓冲层改进崩溃电压和饱和电压。在另一改进中，在终止结构中不同浓度的p‑分区借由变化渠沟的间距而形成。在另一改进中，斜切锯道提高崩溃电压。
- 一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS-202020417081.6
- 赵德益;蒋骞苑;吕海凤;赵志方;张啸 - 上海维安半导体有限公司
- 2020-03-27 - 2020-09-25 - H01L29/732
- 本实用新型一种利用深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，在P型外延层或直接在P型衬底硅片的上表面形成有深槽刻蚀并填充高浓度多晶硅的TVS，形成纵向三维NPN结，将纵向二维NPN结构延伸至三维，即将N型重掺杂区利用深槽刻蚀DTI填充高浓度低阻N型多晶的多个深槽，高浓度低阻N型多晶硅中原位N+掺杂经退火会向周围扩散，在深槽的侧面间形成Npoly/N+/P‑epi/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构，或Npoly/N+/P‑sub/N+/Npoly双极性TVS晶体管结构。与现有双向TVS比，高浓度的多晶具有很小的电阻，可使结构内NPN结各处所受电应力均匀，产品极限能力可以获得较好的提升。
- 逆变器用NPN型功率晶体管-202020538443.7
- 龚利汀;刘宁 - 无锡固电半导体股份有限公司
- 2020-04-13 - 2020-09-15 - H01L29/732
- 本实用新型涉及一种逆变器用NPN型功率晶体管，在N
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