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[发明专利]一种半导体场效应集成电路及制备方法-CN202211279018.0有效
发明人：王尧林;林和;洪学天;牛崇实;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体场效应集成电路及制备方法，包括：P型半导体衬底、第一区域、第二区域、绝缘板；所述半导体衬底上左侧设有第一区域，所述第一区域内部形成第一注入区；所述半导体衬底上右侧设有第二区域，所述第二区域内部形成第二注入区，且第一区域与第二区域共面；在第一区域与第二区域上层分别置有绝缘板。通过使用第一注入区、第二注入区对半导体集成电路进行离子注入，改善了N型半导体导电的接触质量，通过设置二氧化硅绝缘层，可以有效防止杂质往衬底表面渗透，提高器件集成电路的可靠性与稳定性。
一种半导体场效应集成电路制备方法

[发明专利]一种半导体器件薄膜结构及制备方法-CN202211225080.1有效
发明人：洪学天;王尧林;林和;牛崇实;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件薄膜结构及制备方法，包括：砷化镓衬底层：在半导体器件薄膜结构的最底层，通过飞秒激光纵向微加工形成纵向凹槽区，并通过横向切割形成横向分割区，获得砷化镓衬底层；氮化镓生长层：在砷化镓衬底层表面，通过异质分子束外延法生长氮化镓生长层；纵向P型沟道及N型栅极层：在氮化镓生长层上的纵向凹槽内进行P型氮化镓沟道生长，并在纵向P型氮化镓沟道面两侧各沉积一个纵向N型氮化镓凸台，最终形成纵向P型沟道及N型栅极层；金属电极薄膜层：在纵向P型沟道及N型栅极层上，通过真空环境蒸发淀积与电镀工艺形成鉻‑铜‑金多层导电层，获得金属电极薄膜层；并最终形成鉻‑铜‑金多层薄膜金属化半导体器件薄膜结构。
一种半导体器件薄膜结构制备方法

[发明专利]一种基于MathML的数学公式到盲文的翻译方法及系统-CN202010564424.6有效
发明人：苏伟;许存禄;林和;蔡佳伟;吴尽昭 -专利权人：兰州大学
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F40/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于MathML的数学公式到盲文的翻译方法及系统，所述方法至少包括：对计算设备传输的关于数学公式代码的线性字符或字符串进行文本分词生成分词栈；解析所述分词栈以将其转换为MathML文件；基于辅助公式结构的第一辅助标识符和辅助公式语义的第二辅助标识符的添加判断的方式解析所述MathML文件，从而生成盲文ASCII码。
一种基于 mathml 数学公式盲文翻译方法系统

[发明专利]超晶格超大规模集成电路-CN202111131216.8有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路。在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路，设计成超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
晶格超大规模集成电路

[发明专利]超晶格超大规模集成电路-CN202111131217.2有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路。在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路，设计成超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
晶格超大规模集成电路

[发明专利]超晶格超大规模集成电路-CN202111131222.3有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路。在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路，设计成超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
晶格超大规模集成电路

[发明专利]超晶格超大规模集成电路-CN202111131224.2有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路。在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路，设计成超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
晶格超大规模集成电路

[发明专利]超晶格超大规模集成电路-CN202111129571.1有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路。在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路，设计成超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑Functional Superlattice Ultra‑Large Scale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处。
晶格超大规模集成电路

[发明专利]一种考虑坡度和坡长的山体风场测试方法-CN202310323909.X在审
发明人：李晓军;夏翔;林和;季伟;郑众安;叶吉超;吴建勇;渝文树 -专利权人：丽水市正阳电力设计院有限公司;国网浙江省电力有限公司丽水供电公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01M9/06 文献下载
摘要：本发明提供一种考虑坡度和坡长的山体风场测试方法，涉及山体风场测试技术领域。该考虑坡度和坡长的山体风场测试方法，包括以下步骤：先用工程测量仪测量出该山体的坡长L和坡度θ，并计算出该山体的高度H1；在山脚位置处搭建一个支架，并设置有若干风速仪一和若干风速仪二；通过若干风速仪一分别测量出该位置处的水平风速，为V1、V2、V3、…，并取平均值V01，再通过若干风速仪二分别测量出该位置处的水平风速，为V11、V12、V13、…，并取平均值V02；根据公式计算山顶的水平风速为V01，沿坡体的坡度θ方向的风速为V02*cosθ。通过对山脚进行测量，考虑坡度和坡长的影响，进而类比山顶，更加高效的进行测量，并得出结果。
一种考虑坡度山体测试方法

[发明专利]一种用于光学信息处理系统中的磁光结构及其制备方法、制备设备-CN202210897961.1有效
发明人：林和;王尧林;洪学天;赵大国;陈宏;牛崇实 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光学信息处理系统中的磁光结构及其制备方法、制备设备。该磁光结构包括具有石榴石结构的介电材料制成的衬底；所述衬底上形成的磁光薄膜，所述磁光薄膜的磁化矢量位于所述磁光薄膜的平面中。本发明磁光结构的分辨率和灵敏度可以通过改变铁氧体‑石榴石衬底的晶轴取向进行调节，也可以通过含铋的镓铁氧体石榴石薄膜中的铋离子和镓离子的浓度来改变，本发明显著提高磁光结构的分辨率和灵敏度，灵敏度可提高2倍以上。
一种用于光学信息处理系统中的结构及其制备方法设备

[发明专利]一种3D增材制造电子与光电器件的方法-CN202310488674.X在审
发明人：林和;洪学天;牛崇实;王尧林 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B29C64/386 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D增材制造电子与光电器件的方法，搭建3D增材制造智能一体化平台；通过集成设计组、3D增材智能制造组、3D增材制造多功能检测组、多型一体封装组及本地云端数据共享组；通过集成设计组，进行半导体电子与光电器件的3D增材制造总体流程设计；通过3D增材智能制造组，生成3D增材制造详细工艺，进行半导体电子与光电器件的3D增材智能制造；通过3D增材制造多功能检测组，进行3D增材制造实时检测及3D增材制造最终检测测试；通过多型一体封装组进行半导体电子与光电器件的电连接及封装；通过本地云端数据共享组进行平台本地端与云端的数据共享存储及数据共享互通互备运算。
一种制造电子光电器件方法

[发明专利]半导体外延膜的制作方法及其工艺控制系统-CN202211095122.4在审
发明人：洪学天;王尧林;林和;赵大国;牛崇实;陈宏 -专利权人：晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制作工艺技术领域，提供了一种半导体外延膜的制作方法及其工艺控制系统，制作方法包括将硅衬底放置在超高真空室，控制超高真空室为设定真空度；将硅衬底加热到第一预定温度，去除硅衬底表面的天然氧化物层；降低温度至预设的第二预定温度，提供锶原子流，在硅衬底表面沉积生长设定厚度的二硅化锶膜。工艺控制系统包括主控模块、反射高能电子衍射仪、红外高温计和电离压力计；主控模块分别与反射高能电子衍射仪、红外高温计和电离压力计连接，用于在半导体外延膜的制作工艺中实现工艺条件和加工的协调控制。本发明工艺简单，外延膜稳定性与重复性好，不会导致形成多晶SrSi2膜、Sr层或Sr硅化物的其他相。
半导体外延制作方法及其工艺控制系统

[发明专利]基于电网微地形观测数据的风场校正算法及系统-CN202310317981.1在审
发明人：李晓军;夏翔;林和;季伟;郑众安;叶吉超;吴建勇;渝文树 -专利权人：丽水市正阳电力设计院有限公司;国网浙江省电力有限公司丽水供电公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01W1/18 文献下载
摘要：本发明提供基于电网微地形观测数据的风场校正算法及系统，涉及风场校正技术领域。该基于电网微地形观测数据的风场校正算法，包括以下步骤：步骤一：从历史数据中获取待观测区域的山体高度H；步骤二：从历史数据中获取待观测区域的平均风速V01；步骤三：在两个山体的中间且山脚位置处搭建一个支架，并在该支架上等距设置有若干校正风速仪；步骤四：分别测量每个校正风速仪的风速值，为：V1、V2、V3、...，并取其平均值V02；步骤五：对比V01和V02的数值。本发明，通过在校正待观测区域的风场时，充分考虑微地形单点风场特异性的同时，并兼顾了区域风场的整体性，使校正的风场值更加准确，为电力气象分析和灾害预测管控提供了基础支撑。
基于电网地形观测数据校正算法系统

[发明专利]一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法-CN202211191051.8在审
发明人：林和;洪学天;王尧林;牛崇实;陈宏 -专利权人：晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗电磁辐射的半导体器件及抗电磁辐射的方法，半导体器件包括：半导体衬底、半导体层、绝缘介质层、锗锑碲薄膜层、第一电极和第二电极。方法包括：电磁辐射波到达锗锑碲薄膜层的超表面结构；通过由凹槽、圆柱体和电磁辐射反射基体组成超表面结构的锗锑碲薄膜层实现肖特基二极管的抗电磁辐射的反射；横向孔和纵向孔内填充有锰锌铁氧体材料，当经过电磁辐射反射基体反射后的第一电磁辐射波到达锰锌铁氧体材料表面，形成第二电磁辐射波，第二电磁辐射波与第一电磁辐射波彼此反相，从而抵消第一电磁辐射波和第二电磁辐射波。本发明提高了电磁辐射的反射率，有助于减小电磁辐射的能量，减轻电磁辐射对肖特基二极管的性能影响。
一种电磁辐射半导体器件方法

[发明专利]一种电信机房资产稽核清查的自动化信息处理系统及方法-CN202211604149.1在审
发明人：蔡侠;赖歆;林和 -专利权人：中电福富信息科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：本发明公开一种电信机房资产稽核清查的自动化信息处理系统及方法，系统包括依次连接的前端数据采集组件、后端分布式组件和数据处理组件；前端数据采集组件用于机架设备视频采集，并将视频上传至后端分布式组件，实现了资产设备视频源数据采集入库功能；后端分布式组件包括存放视频文件的分布式文件系统、提供数据库管理功能的分布式数据库和提供消息交互功能的分布式消息队列；数据处理组件包括机架设备视频智能识别单元、资产数据预清洗单元、资产数据分析处理单元，以实现资产设备源数据分析处理全流程自动化功能。本发明对视频中设备运行指示灯进行智能图像识别，分析设备运行状态，实现设备故障自动告警派单等优化场景。
一种电信机房资产稽核清查自动化信息处理系统方法

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