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[发明专利]存储器阵列-CN201880025498.3有效
发明人： M·C·罗伯茨;S·D·唐;F·D·菲什伯恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器阵列，其包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层级。所述存储器单元个别地包含晶体管，所述晶体管包括中间具有沟道区的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区以及可操作地接近所述沟道区的栅极。所述沟道区的至少部分水平地定向以用于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的所述部分中的水平电流流动。所述存储器单元个别地包含电容器，所述电容器包括中间具有电容器绝缘体的第一电极及第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。所述阵列中的多个所述电容器的第二电容器电极彼此电耦合。感测线结构竖向延伸通过所述垂直交替层级。不同存储器单元层级中的所述晶体管中的个别者的所述第二源极/漏极区中的个别者电耦合到所述竖向延伸的感测线结构。
存储器阵列

[发明专利]沿着有源区周围的四侧中的三侧具有导电材料的集成式组合件以及形成集成式组合件的方法-CN202180033389.8在审
发明人：杨立涛;S·普卢居尔塔;高云飞;S·D·唐;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含具有竖直延伸的有源区的阵列的集成式组合件。所述有源区中的每一个包含于四侧区域内。导电栅极材料经配置为第一导电结构。所述第一导电结构中的每一个沿着所述阵列的行延伸。所述第一导电结构包含沿着所述四侧区域中的每一个的四侧中的三侧的片段。第二导电结构在所述有源区下方且沿着所述阵列的列延伸。第三导电结构沿着所述阵列的行延伸且邻近于所述四侧区域的第四侧。存储元件与所述有源区耦合。一些实施例包含形成集成式组合件的方法。
沿着有源周围中的具有导电材料集成组合以及形成方法

[发明专利]在电容器、包括电容器的集成组合件的制造期间利用蚀刻停止材料的方法-CN202180033033.4在审
发明人： S·D·唐;K-H·陈;C·W·佩茨;P·夏尔马;Y·M·杨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有电容器接触区的集成组合件。含金属互连件与所述电容器接触区耦合。第一绝缘材料介于所述含金属互连件之间。第二绝缘材料在所述第一绝缘材料上方。第三绝缘材料在所述第二绝缘材料上方。第一电容器电极延伸通过所述第二及第三绝缘材料，并且与所述含金属互连件耦合。第四绝缘材料邻近所述第一电容器电极。电容器极板电极邻近所述第四绝缘材料，并且通过所述第四绝缘材料与所述第一电容器电极间隔。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
电容器包括集成组合制造期间利用蚀刻停止材料方法

[发明专利]具有与存取装置耦合的主体连接线的设备-CN201880015646.3有效
发明人： D·C·潘迪;刘海涛;C·穆利;S·D·唐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有与竖直延伸半导体柱相关联的晶体管的设备。所述晶体管包含位于所述竖直延伸半导体柱内的上部源极/漏极区域、位于所述竖直延伸半导体柱内的下部源极/漏极区域及位于所述竖直延伸半导体柱内且介于所述上部与下部源极/漏极区域之间的沟道区域。所述晶体管还包含沿着所述沟道区域的栅极。字线与所述晶体管的所述栅极耦合。数字线与所述晶体管的所述下部源极/漏极区域耦合。可编程装置与所述晶体管的所述上部源极/漏极区域耦合。主体连接线位于所述字线上方且与所述字线平行地延伸。所述主体连接线具有穿透到所述竖直延伸半导体材料柱中的横向边缘。所述主体连接线具有不同于所述半导体材料柱的组成。
具有存取装置耦合主体连接线设备

[发明专利]沿着栅极区具有空隙的集成组合件及形成导电结构的方法-CN202080089129.8在审
发明人： S·D·唐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含具有半导体材料结构的集成组合件，所述半导体材料结构具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区，及所述第一及第二源极/漏极区之间的沟道区。所述半导体材料结构具有第一侧及相对的第二侧。第一导电结构与所述第一侧相邻，并且可操作地接近所述沟道区以门控地控制所述第一及第二源极/漏极区通过所述沟道区的耦合。第二导电结构与所述第二侧相邻并且通过包含空隙的中介区与所述第二侧间隔开。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
沿着栅极具有空隙集成组合形成导电结构方法

[发明专利]在具有堆叠存储器阵列的存储器中的驱动器放置-CN201980089136.5有效
发明人：刘海涛;卡迈勒·M·考尔道;G·S·桑胡;S·D·唐;合田晃;徐丽芳 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种存储器可具有堆叠存储器阵列，所述堆叠存储器阵列可具有存储器单元的多个层级。存储器单元的每一相应层级可共同耦合到相应存取线。多个驱动器可位于所述堆叠存储器阵列上方。每一相应驱动器可具有单晶半导体，其具有耦合到相应存取线的导电区域。
具有堆叠存储器阵列中的驱动器放置

[发明专利]电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法以及形成存储器单元阵列的方法-CN202080059988.2在审
发明人： S·D·唐;K·D·普拉尔;助若光成 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：一种形成电容器阵列的方法包括在衬底上方形成竖直堆叠。所述堆叠包括水平伸长的导电结构和在所述导电结构正上方的绝缘体材料。在所述绝缘体材料中形成通向所述导电结构的水平间隔开的开口。在所述开口中的个别者中形成向上开放的容器形底部电容器电极。所述底部电容器电极直接抵靠着所述导电结构的导电材料。所述导电结构将所述底部电容器电极直接电耦合在一起。在所述开口中所述底部电容器电极横向内侧形成电容器绝缘体。在所述开口中的个别者中所述电容器绝缘体横向内侧形成顶部电容器电极。所述顶部电容器电极不直接电耦合在一起。公开了与方法无关的结构。
电容器阵列存储器单元形成方法以及

[发明专利]在数字线之间具有屏蔽线的集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202080018554.8在审
发明人： S·D·唐;S·普卢居尔塔;R·J·希尔;高云飞;N·R·塔皮亚斯;杨立涛;刘海涛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含集成组合件，其具有沿着第一方向延伸且通过中介区彼此间隔的数字线。所述中介区中的每一者沿着横截面具有第一宽度。支柱从所述数据线向上延伸；所述支柱包含垂直延伸于上源极/漏极区与下源极/漏极区之间的晶体管沟道区。存储元件与所述上源极/漏极区耦合。字线沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸。所述字线包含邻近所述沟道区的栅极区。屏蔽线在所述中介区内且沿着所述第一方向延伸。所述屏蔽线可与至少一个参考电压节点耦合。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
数字之间具有屏蔽集成组合形成方法

[发明专利]具有耦合到载流子槽结构的晶体管主体区域的集成组合件；以及形成集成组合件的方法-CN202080014403.5在审
发明人： K·M·考尔道;刘海涛;D·V·N·拉马斯瓦米;高云飞;S·D·唐;D·C·潘迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有载流子槽结构，并且具有在所述载流子槽结构上方的数字线。晶体管主体区域位于所述数字线上方。延伸部从所述载流子槽结构延伸到所述晶体管主体区域。所述延伸部被配置成将过量载流子从所述晶体管主体区域排出。下部源极/漏极区域位于所述晶体管主体区域与所述数字线之间，并与所述数字线耦合。上部源极/漏极区域在所述晶体管主体区域上方，且与存储元件耦合。栅极邻近所述晶体管主体区域。所述晶体管主体区域、下部源极/漏极区域和上部源极/漏极区域一起包括多个晶体管。所述晶体管和所述存储元件一起由存储器阵列的多个存储器单元组成。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
具有耦合载流子结构晶体管主体区域集成组合以及形成方法

[发明专利]存储器阵列-CN201980078563.3在审
发明人： S·D·唐;R·J·希尔;李宜芳;M·C·罗伯茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/11514 文献下载
摘要：一种存储器阵列包括绝缘材料和存储器单元的竖直交替层。所述存储器单元个别地包括晶体管，所述晶体管包括其间具有沟道区的第一和第二源极/漏极区，以及以操作方式接近所述沟道区的栅极。所述个别存储器单元包括电容器，所述电容器包括其间具有电容器绝缘体的第一和第二电极。所述第一电极电耦合到所述第一源极/漏极区。字线结构竖向地延伸穿过所述竖直交替层的所述绝缘材料和所述存储器单元。所述存储器单元层中的不同者的所述栅极的个别者直接电耦合到所述字线结构的个别者。感测线电耦合到所述晶体管的个别者的所述第二源极/漏极区中的多个。公开了其它实施例。
存储器阵列

[发明专利]用于3D打印的内部通道网络检测-CN201880097468.3在审
发明人：何学勤;S·D·唐;李志;张志强;王京美;吴云飞;仰磊 -专利权人：西门子工业软件有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G06F30/10 文献下载
摘要：一种计算机辅助设计(CAD)系统，其可以支持用于3D打印的内部通道网络检测，并且可以包括CAD模型访问引擎和通道网络检测引擎。CAD模型访问引擎可以访问将要通过3D打印构建的物理对象的CAD模型。通道网络检测引擎可以检测包括在所述物理对象的所述CAD模型中的内部通道网络，所述检测包括：识别满足开口尺寸阈值的沿CAD模型的表面的通道开口，以及递归地识别形成内部通道网络的CAD模型的内面，其中，所述内面是在CAD模型的表面的内部的CAD模型的面。通道网络检测引擎还可以对所识别的内部通道网络执行通道验证，以支持物理对象的3D打印。
用于打印内部通道网络检测

[发明专利]包含垂直晶体管的装置及相关方法-CN201980071833.8在审
发明人： K·M·考尔道;R·甘地;李宏;刘海涛;S·D·唐;S·E·西里斯;D·V·N·拉马斯瓦米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：一种装置包括包含半导电支柱的垂直晶体管，所述半导电支柱包括源极区域、漏极区域及在所述源极区域与所述漏极区域之间垂直延伸的沟道区域。所述沟道区域包括氧化物半导体材料。所述垂直晶体管进一步包括：至少一个栅极电极，其横向邻近所述半导电支柱；栅极电介质材料，其横向介于所述半导电支柱与所述至少一个栅极电极之间；及空隙空间，其垂直邻近所述栅极电介质材料且横向介于所述至少一个栅极电极与所述半导电支柱的所述源极区域及所述漏极区域中的每一者之间。还揭示相关装置、电子系统及方法。
包含垂直晶体管装置相关方法

[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN201910912837.6在审
发明人： A·努尔巴赫什;J·K·查胡瑞;S·D·唐;S·博尔萨里;李红 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种集成组合件，所述集成组合件具有沿着第一方向延伸的数字线及位于所述数字线上方的轨道。所述轨道包含与中介绝缘区相交替的半导体材料柱。所述轨道具有上部区段、中间区段及下部区段。第一绝缘材料沿着所述轨道的所述上部区段及所述下部区段。第二绝缘材料沿着所述轨道的所述中间区段。所述第二绝缘材料与所述第一绝缘材料在厚度及组成中的一者或两者上有所不同。导电栅极材料沿着所述轨道的所述中间区段，且通过所述第二绝缘材料与所述中间区段间隔开。沟道区位于所述柱的中间区段内，上部源极/漏极区位于所述柱的上部区段内，且下部源极/漏极区位于所述柱的下部区段内。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]具有隔离区的用于DRAM单元的半导体结构和制造方法-CN200480043863.1有效
发明人： R·W·钱斯;G·哈勒;S·D·唐;S·卡明斯 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-10-19 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明包括包含垂直延伸的柱状物(80，82)的半导体结构和用于形成这种结构的方法。垂直延伸的柱状物可以被并入晶体管器件(80，95)中并且可以包括晶体管器件的垂直延伸的沟道区。晶体管器件可以被并入集成电路，并且在一些方面中被并入存储器结构例如动态随机存取存储器(DRAM)结构中。
具有隔离用于 dram 单元半导体结构制造方法

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