[发明专利]包括双极型晶体管的半导体器件有效
| 申请号： | 201610007114.8 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105762180B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 帕图斯·胡贝图斯·柯奈利斯·马尼;约斯特·梅莱;维特·桑迪斯;托尼·范胡克 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/40;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种包括双极型晶体管的半导体器件及制造该器件的方法，双极型晶体管包括具有横向延伸漂移区的集电极。双极型晶体管还包括位于该集电极之上的基极。双极型晶体管还包括位于基极之上的发射极。双极型晶体管还包括位于横向延伸漂移区的上表面之上的、用于塑形集电极内的电场的减小的表面场(RESURF)栅极。双极型晶体管还包括位于减小的表面场栅极与器件的基极的非本征区之间、用于将减小的表面场栅极与基极电隔离的间隙。该间隙的横向尺寸L |
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| 搜索关键词： | 包括 双极型 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种包括双极型晶体管的半导体器件，所述双极型晶体管包括：具有横向延伸漂移区的集电极；位于所述集电极之上的基极；位于所述基极之上的发射极；位于所述横向延伸漂移区的上表面之上、用于塑形所述集电极内的电场的减小的表面场(RESURF)栅极；以及位于所述减小的表面场栅极与所述器件的所述基极的非本征区之间、用于将所述减小的表面场栅极与所述基极电隔离的间隙，其中，所述间隙的横向尺寸L间隙的范围为0.1μm≤L间隙≤1.0μm。
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