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[发明专利]高速接收器中的数据校正及相位优化-CN202211175221.3在审
发明人：林有为;陈南渊 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：本申请案涉及高速接收器中的数据校正及相位优化。在一些实施方案中，一种用于执行数据校正的系统包括：模/数转换器ADC，其经配置以从连续时间线性均衡器CTLE接收差分数据，并生成包括多个数据位及对应的多个数据符号位的位流；决策反馈均衡DFE块，其经配置以从所述ADC接收所述位流并将数据提供到时钟及数据恢复CDR块；及数据校正电路系统。在一些实施方案中，所述数据校正电路系统经配置以：从所述ADC接收所述位流；确定是否校正数据符号位；响应于确定将要校正所述数据符号位，翻转所述数据符号位；及将包含所述经翻转的数据符号位的所述多个数据符号位提供到所述DFE。
高速接收器中的数据校正相位优化

[发明专利]用于高速收发器的共模电压控制-CN202210021484.2有效
发明人：张雄恩 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本申请案涉及用于高速收发器的共模电压控制。描述用于高速收发器(例如，中继器，例如重驱动器或重定时器)的电路及技术，其确保所连接的装置的输入或输出处的瞬时电压保持在期望或指定的电压范围内。
用于高速收发电压控制

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210102438.5在审
发明人：龙涛;陈则瑞;黄品豪 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明系关于半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括具有第一导电型的核心层，且具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底。所述半导体结构还包括第一扩散层，其具有第一导电型、安置于所述衬底中并邻近于所述第一表面；及第一电极层，其安置于所述第一扩散层上。所述半导体结构还包括第二扩散层，其具有第二导电型、安置于所述衬底中并邻近于所述第二表面；及复数个扩散区，其具有第一导电型且安置于所述第二扩散层中。所述半导体结构还包括第二电极层，其安置于所述第二扩散层上，并使所述衬底被包夹在所述第一电极层和所述第二电极层之间。本揭露的另一实施例涉及一种半导体结构之制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]用于时钟数据恢复的组合式判决反馈均衡器及相位检测器-CN202011361908.7有效
发明人：蔡国荣 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03L7/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于时钟数据恢复的组合式判决反馈均衡器及相位检测器。使用组合决策反馈均衡器的功能性与相位检测器的功能性的电路系统启用高速串行数据协议的时钟及数据恢复。
用于时钟数据恢复组合式判决反馈均衡器相位检测器

[发明专利]用于扩展DCDC转换器操作电压范围的自适应最小占空比设计-CN202210651056.8在审
发明人：陈文良;陈健松 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本申请案涉及用于扩展DCDC转换器操作电压范围的自适应最小占空比设计。一种用于切换模式电源SMPS的方法包含：基于所述SMPS的经采样输出电压与目标电压之间的差提供误差电压信号；及产生以振荡频率为特征的时钟信号；使用脉宽调制PWM基于所述误差电压信号及所述时钟信号产生切换控制信号。所述方法进一步包含在电流产生电路中根据所述误差电压信号改变所述时钟信号的所述振荡频率，及施加所述切换控制信号来控制所述SMPS的功率开关。
用于扩展 dcdc 转换器操作电压范围自适应最小设计

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210041790.2在审
发明人：赵国樑;黄品豪 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。本公开提供一种具有隔离结构的半导体封装，所述隔离结构包括填充有介电材料的隔离沟槽，其中所述隔离结构横穿经隔离半导体裸片的厚度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]位级模式重定时器-CN202210677397.2在审
发明人：林有为;林益生;陈南渊 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H04L7/00 文献下载
摘要：本发明公开重定时器电路系统、系统及方法的一些实例。在一些实施方案中，时钟数据恢复电路系统耦合在接收器与发射器之间。所述时钟数据恢复电路系统经配置以：从与所述接收器相关联的输入数据信号提取数据分量，将所述数据分量提供到所述发射器，及产生相位控制信号。相位内插器电路系统与所述时钟数据恢复电路系统耦合。所述相位内插器电路系统包含相位内插器，所述相位内插器经配置以：接收所述相位控制信号，基于所述相位控制信号产生输出时钟信号，及将所述输出时钟信号提供到所述发射器以跟踪所述数据分量的数据分组。
模式定时器

[发明专利]具有集成可切换短路的双极结晶体管-CN202111248006.7在审
发明人： P·H·布莱尔 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本申请案涉及具有集成可切换短路的双极结晶体管。本发明通过在同一半导体芯片中集成双极结晶体管BJT的基极与发射极之间的可切换短路而解决当在开路基极配置中操作时所述BJT的SOA降低的问题。所述可切换短路在所述BJT的集电极电压低于基极电压时的高电阻值与所述集电极电压高于所述基极电压时的较低电阻值之间切换以有效地降低BJT电流增益(hFE)。在本发明的一个实施方案中，所述可切换短路呈其中其栅极连接到所述BJT集电极的MOSFET的形式。本发明进一步教示在集成电路芯片中安置具有低于所述BJT的BVCBO的击穿电压的结二极管。所述结二极管的添加提供在减小大小的情况下维持所述MOSFET作为可切换短路的有效性的措施。
具有集成切换短路结晶体

[发明专利]分离栅极沟槽MOSFET-CN202110528744.0在审
发明人：庄乔舜;顾昀浦;白宗纬 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请案涉及分离栅极沟槽MOSFET。分离栅极沟槽装置芯片具有其中安置多个作用沟槽的作用区。所述作用区由安置在终止区中的终止沟槽围封，所述终止区延伸到所述芯片的边缘。栅极金属引线安置在装置表面上。所述栅极金属引线通过安置在所述作用区中的接触孔与所述作用沟槽中的栅极电极接触。源极或漏极金属引线也安置在所述表面上。所述源极或所述漏极金属引线通过安置在所述作用区外部的接触孔与场板电极接触。所述作用区中的每一作用沟槽具有合并到第一终止沟槽中的第一端及与邻近第二终止沟槽分开的第二端。
分离栅极沟槽 mosfet

[发明专利]用于串行接口的信号校正-CN202111641220.9在审
发明人： Z·J·郭;X·毛;M·Y·张 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G06F13/42 文献下载
摘要：本申请案涉及用于串行接口的信号校正。描述一种信号校正电路系统，其在不中断所连接的装置之间的通信的情况下改进通过串行数据接口传输的数据的完整性。所述信号校正电路系统包含边缘校正电路系统，其加速数据信号的上升及下降边缘。所述信号校正电路系统还包含提升所述数据信号的电平的DC补偿电路系统。
用于串行接口信号校正

[发明专利]用于栅极驱动器的自举电路-CN202110635722.4在审
发明人：吴畏 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请案涉及用于栅极驱动器的自举电路。本发明涉及一种自举二极管电路，所述自举二极管电路包含用于耦合到电源电压端子的阳极及用于耦合到自举电压端子的阴极。所述自举二极管电路还包含高压p型金属氧化物半导体PMOS晶体管，其具有形成所述自举二极管电路的所述阴极的源极及形成所述自举二极管电路的所述阳极的漏极。所述高压PMOS晶体管具有在量值上高于最大自举电压与电源电压之间的电压降的击穿电压。
用于栅极驱动器电路

[发明专利]多路径时钟及数据恢复-CN201911017228.0有效
发明人：王金声;余启雄 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本申请案涉及多路径时钟及数据恢复。描述操作以提供灵活I/O路径用于串行数据通信的多路径时钟及数据恢复电路以及多路径I/O装置。例如时钟及数据恢复电路的有源单向组件可用于实施不同的I/O路径。减少用于高速串行数据传输的带宽及信号降级。
路径时钟数据恢复

[发明专利]两端子整流器及电力转换器-CN201811502003.X有效
发明人：黄品豪;张振富;刘权德 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本申请案涉及一种两端子整流器及一种电力转换器。两端子整流器包含耦合于第一端子与第二端子之间的电力MOSFET、体二极管及肖特基二极管。所述两端子整流器还具有耦合于所述第一端子与所述第二端子之间的电力管理电路、电容器、控制电路及驱动器电路。所述两端子整流器可以两引脚封装来实施且可用于电力转换器中以进行CCM操作。
端子整流器电力转换器

[发明专利]具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片-CN202110268975.2在审
发明人： D·威尔科克森;庄乔舜;R·刘;T·蔡;W·张 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请案涉及一种具有边缘支撑件的经薄化半导体芯片。揭示一种装置电阻得以减小的半导体装置。所述半导体装置包括半导体芯片，其中所述芯片的安置有电路元件的中心部分处的芯片厚度是均匀的且不同于在远离所述电路元件的芯片侧面附近的芯片厚度。
具有边缘支撑经薄化半导体芯片

[发明专利]具有从低功率待机到低频信号传输的快速转换的中继器-CN201910188045.9有效
发明人：王金声;蔡国荣;于凯鸿 -专利权人： 达尔科技股份有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H03L5/00 文献下载
摘要：描述了中继器，其用于从低功率待机状态快速转换到低频信号传输状态。保留用于高频信号传输的带宽。
具有功率待机低频信号传输快速转换中继

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