专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种管壳夹持治具和打线装置-CN202321102417.X有效
  • 王振辉;王加大;湛世浩;刘青磊;苏玉 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2023-05-09 - 2023-09-22 - B25B11/00
  • 本申请提供一种管壳夹持治具和打线装置,涉及半导体技术领域,包括基座和夹持组件,在基座上设置有用于承载管壳的工位,夹持组件包括夹持件和连接件,夹持件经连接件活动设置于基座,夹持件受驱以调整夹持件相对工位的位置,使夹持件将管壳夹持固定至工位。通过设置有夹持固定管壳的夹持件,并且使得夹持件活动设置,如此,在需要夹持不同尺寸的管壳时,夹持件能够相对工位调整其自身位置,从而与工位内不同尺寸的管壳进行适配,以便于夹持件完成对管壳的夹持固定,由此,能够通过同一种管壳夹持治具实现对不同尺寸的管壳进行夹持固定,避免治具型号繁杂的同时,能够有效降低生产成本。
  • 一种管壳夹持线装
  • [实用新型]一种低噪声放大器、收发组件及通信设备-CN202321197784.2有效
  • 匡中 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2023-05-17 - 2023-09-19 - H03F1/26
  • 本申请提出一种低噪声放大器、收发组件及通信设备,低噪声放大器包括:控制单元、低噪声放大芯片、移相单元以及检波单元;检波单元用于检测输入微带线上的功率信号,并将检测到的功率信号传输给控制单元;控制单元用于依据功率信号对移相单元进行控制,生成抵消信号,抵消信号用于与输入微带线的主路信号进行抵消;通过对初始的接收信号在第一点进行分路,得到主路信号和支路信号,并通过移相单元对其中的支路信号进行移相,得到抵消信号,主路信号和抵消信号具有较大的相位差,二者在第二点进行叠加后,相互抵消,使得输入到低噪声放大芯片中的信号大大减少,在减少插损的情况下,提高了低噪声放大器的抗限幅能力。
  • 一种低噪声放大器收发组件通信设备
  • [实用新型]一种高温寿命测试装置-CN202320643457.9有效
  • 林楹镇;马应武 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2023-03-15 - 2023-09-19 - G01R31/26
  • 本申请提供一种高温寿命测试装置,涉及半导体技术领域,包括具有加热腔的箱体以及设置于箱体的供电模块,在加热腔内设置有老化板,在老化板上设置有多个测试工位,测试工位用于容置待测器件,供电模块经老化板与多个测试工位内的待测器件的输入端电连接,在供电模块和每个待测器件的输入端之间均串联有可调电阻。由于在每个待测器件的输入端均串联有可调电阻,因此,每个待测器件均能够通过与自身串联的可调电阻进行偏置条件的调整,偏置条件决定了器件的耗散功率,在待测器件的管壳温度一定的条件下,便可以通过调节器件的耗散功率来使得每个待测器件的结温都能够达到预期的老化条件的要求,由此,能够有效简化结构,降低测试成本。
  • 一种高温寿命测试装置
  • [发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202310287863.0在审
  • 林坤;田宇 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2023-03-16 - 2023-07-11 - H01L29/778
  • 本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法,涉及半导体技术领域,该半导体器件包括衬底、半导体叠层、源极、栅极和漏极,漏极包括漏极金属层和p型掺杂层,p型掺杂层设置在半导体叠层的注入区域,且p型掺杂层在注入区域不同位置的掺杂浓度和/或厚度不同,相较于现有技术,本发明通过设置p型掺杂层,能够向半导体叠层内注入空穴,从而能够减少热载流子形式的电子,进而减少其对器件的破坏。并且,由于不同区域的掺杂浓度和/或厚度不同,使得其空穴注入能力有差别,使得部分区域的二维电子气不被耗尽的过多,从而使得导通电阻不至于增加那么多,实现相对降低导通电阻的作用,实现较优的动态电阻与导通电阻性能。
  • 半导体器件制备方法
  • [实用新型]一种芯片测试治具和结温测量装置-CN202320580651.7有效
  • 林楹镇;林坤;马应武 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2023-03-15 - 2023-07-11 - G01R1/04
  • 本申请提供一种芯片测试治具和结温测量装置,涉及半导体技术领域,包括底板和压抵机构;底板具有容置待测器件的测试工位,在测试工位内设置有用于容置测温探头的探测孔;压抵机构配合底板夹持待测器件,由此,完成对待测器件的固定,使得待测器件在整个测试过程中较为稳定,避免其发生晃动,并且鉴于压抵机构与底板的配合夹持,可以使得压抵机构将待测器件稳定的推抵至底板,由此,可以方便待测器件与测温探头形成抵接关系,以便于测温探头能够与待测器件的管壳表面接触,从而精确测量待测器件的温度。使得测量曲线具有可重复性,并且由于测温探头能够与待测器件抵接,因此,所测得的数据较为准确,有助于提高推算结果的精确度。
  • 一种芯片测试测量装置
  • [发明专利]一种射频功率放大器-CN202110539885.2有效
  • 周勇;唐东杰;龚全熙;金冬 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-05-18 - 2023-06-20 - H03F3/189
  • 本发明公开了一种射频功率放大器,所述射频功率放大器包括:输入匹配模块、放大模块和输出匹配模块,所述输入匹配模块、放大模块和输出匹配模块依次连接;所述输出匹配模块包括:相互依次连接的匹配电路、功率合成电路和输出阻抗匹配电路,所述匹配电路与所述放大模块连接,所述输出阻抗匹配电路与输出端连接。本发明的输出匹配模块可以对放大模块中功率管的输出信号做多级阻抗变换,提高功率管的工作带宽,同时将多通道的输出功率进行线性功率合成,从而实现提高线性功率的效果。
  • 一种射频功率放大器
  • [发明专利]半导体器件-CN202310288622.8在审
  • 林坤 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2023-03-16 - 2023-05-09 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种半导体器件,涉及半导体技术领域,该半导体器件包括衬底、半导体叠层、金属电极、阻挡层、第一钝化层以及第二钝化层,半导体叠层设置在衬底上,金属电极设置在半导体叠层上;阻挡层设置在金属电极边缘区域;第一钝化层设置在半导体叠层上,并延伸至金属电极边缘区域,第二钝化层设置在第一钝化层上,并覆盖阻挡层。相较于现有技术,本发明通过设置第二钝化层,能够提升水汽隔离效果,并且通过设置阻挡层,能够延长水汽侵入路径,使得水汽更加不易接触第一钝化层和半导体叠层,提升了器件的可靠性,并且,能够移除器件表面的PBO保护层,避免了介质材料的影响,提高漏极效率,提升器件性能。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件和半导体器件制作方法-CN202110737105.5有效
  • 童小东;邢利敏 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-06-30 - 2023-04-28 - H01L29/06
  • 本发明提供了一种半导体器件和半导体器件制作方法,器件包括:带有两个凹槽的第一外延片、第一介质层,第一外延片中包括二维电子气结构层;第一介质层淀积在两个凹槽内,其上表面低于二维电子气结构层的下表面;两个凹槽内的第一介质层上淀积有第一金属层,形成源极和漏极;栅极由第二金属层在第一外延片上表面的指定位置淀积形成。该半导体器件在漏极、源极分别对应的金属层下方填充有低介电常数的第一介质层,且第一介质层的深度低于二维电子气结构层,该结构形式可以降低栅极、源极和漏极之间相互耦合产生的寄生电容效应,进而可以提升器件的工作频率,由于不需要改变栅长,可以在控制器件制作成本的同时,保证器件的成品率和可靠性。
  • 半导体器件制作方法
  • [实用新型]一种射频功率器件与电子设备-CN202223048885.1有效
  • 王一楠;成钢 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-04-25 - H01L23/66
  • 本申请提供了一种射频功率器件与电子设备,涉及射频技术领域。该射频功率器件包括第一晶体管、第二晶体管、交叠面改善模块以及巴伦结构,第一晶体管与第二晶体管并联,交叠面改善模块分别与第一晶体管、第二晶体管以及巴伦结构电连接,巴伦结构还用于与负载电连接,交叠面改善模块包括第一匹配电容与匹配电感,第一匹配电容与匹配电感电连接,第一匹配电容包括第一晶体管与第二晶体管的寄生电容与补充电容;其中,第一晶体管与第二晶体管用于传输差分信号;交叠面改善模块用于减小差分信号的电流与电压波形之间的交叠面,并实现阻抗匹配;巴伦结构用于将差分信号转为单端信号。本申请具有提升了功率传输效率的优点。
  • 一种射频功率器件电子设备
  • [发明专利]一种射频功率器件与电子设备-CN202211430768.3在审
  • 王一楠;龙锐澔;成钢 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2022-11-15 - 2023-03-07 - H03F3/19
  • 本申请提供了一种射频功率器件与电子设备,涉及射频器件技术领域。该射频功率器件包括基板,位于基板上的输入巴伦、第一晶体管、补充电容以及输出电感,位于基板外的第二晶体管,输入巴伦分别与第一晶体管、第二晶体管的控制端电连接,且输入巴伦用于接收使能信号,第一晶体管与第二晶体管串联后的一端分别连接电源与补充电容,另一端接地,第一晶体管与第二晶体管的连接点还分别与输入巴伦、补充电容以及输出电感电连接,输出电感用于连接负载;其中,输出电感、补充电容、第一晶体管与第二晶体管的寄生电容以及基板的寄生电容共同用于实现阻抗匹配。本申请提供的射频功率器件与电子设备具有内匹配尺寸小的优点。
  • 一种射频功率器件电子设备
  • [发明专利]一种射频收发前端-CN202110557446.4有效
  • 刘石头;杨天应;张胜峰 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-05-21 - 2023-02-28 - H04B1/40
  • 本发明提供了一种射频收发前端,该射频收发前端包括天线、发射端电路、接收端电路、射频开关以及隔直电容,该射频开关分别连接到该发射端电路和该接收端电路,该天线通过隔直电容分别连接到该射频开关的两端,该发射端电路用于放大待发射的射频信号的功率,该接收端电路用于减少系统的噪声干扰并放大接收到的射频信号,该发射端电路和该接收端电路集成在一个封装内。通过将射频开关串联在射频收发前端的发射端电路上并将发射端电路和接收端电路集成在一起,该射频收发前端的体积得以显著减小,从而提升了射频收发前端的便携性与广泛适用性。
  • 一种射频收发前端
  • [发明专利]一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统-CN202110380186.8有效
  • 杨天应 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-04-08 - 2023-02-14 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统,通过对Si片进行沉积和光刻处理,对所述Si片上的沉积层进行等离子刻蚀,形成所述对位光刻图形对应的第一对位标记;再对所述Si片进行光刻处理,形成金属蒸发标记光刻图形;所述金属蒸发标记光刻图形与所述第一对位标记的套刻误差,记为第一次套刻误差;蒸发金属,形成金属蒸发标记;所述金属蒸发标记与所述第一对位标记的套刻误差,记为第二次套刻误差;根据所述第一次套刻误差和所述第二次套刻误差,计算所述蒸发台的蒸发偏移量。本发明提供的一种蒸发台的蒸发偏移量测量方法及系统,能准确测量蒸发台的蒸发偏移量,为修正调整设备和修正版图设计提供数据支撑。
  • 一种蒸发偏移测量方法系统
  • [发明专利]一种共振隧穿二极管太赫兹振荡源-CN202110707698.0有效
  • 胡郁蓬;童小东;邢利敏 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2021-06-24 - 2023-02-14 - H01S1/02
  • 本发明所公开的一种共振隧穿二极管太赫兹振荡源,包括:共振隧穿二极管、谐振腔和MIM电容;其中,所述MIM电容包括上金属层和下金属层,所述上金属层包括左侧支撑柱、中部支撑柱、右侧支撑柱和上金属平面层;所述谐振腔分为第一谐振腔和第二谐振腔,所述第一谐振腔和所述第二谐振腔相互对称;所述共振隧穿二极管置于所述第一谐振腔和所述第二谐振腔对称的位置,所述共振隧穿二极管的第一端与所述中部支撑柱连接,所述共振隧穿二极管的第二端与所述的下金属层连接,通过将共振隧穿二极管器件置于谐振腔内,提高共振隧穿二极管器件面积,从而提升振荡器输出功率。
  • 一种共振二极管赫兹振荡
  • [实用新型]微波功率源及功率源设备-CN202223050059.0有效
  • 成钢 - 深圳市时代速信科技有限公司
  • 2022-11-16 - 2023-02-03 - H01S1/00
  • 本申请提供一种微波功率源及功率源设备,属于电力电子技术领域。微波功率源,包括:控制模块、振荡与放大模块、反馈模块以及调整模块;其中,控制模块分别与振荡与放大模块以及调整模块连接,控制模块用以向调整模块发送控制电压;振荡与放大模块与调整模块连接,振荡与放大模块用以在调整模块的控制下按照对应的振荡频率产生射频信号;反馈模块分别与振荡与放大模块以及控制模块连接,反馈模块用以获取振荡与放大模块输出的射频信号的信息,并将获取到的信息反馈给控制模块,以使控制模块向调整模块发送新的控制电压。本申请中采用的电路结构的复杂程度较低,可以输出较为稳定的功率。
  • 微波功率设备

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