[发明专利]碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法在审
| 申请号： | 202010646344.5 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN112210827A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 酒井雅;香月真一郎;小林和雄;日野泰成 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;C30B25/12;C30B25/10;C30B28/14;C30B29/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种碳化硅外延生长装置以及碳化硅外延晶片的制造方法，其能够在碳化硅基板之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，得到稳定的良好的器件特性。将搭载了碳化硅基板(1)以及碳化钽部件(4)的晶片保持器(2)搭载于基座(6)内的旋转台(5)，通过基座(6)周围的感应加热线圈(7)进行加热，通过向基座(6)内供给生长气体、掺杂气体以及载气，从而在碳化硅基板(1)之上以成为均匀的载流子浓度的方式进行外延生长，能够得到稳定的良好的器件特性，并且能够提高碳化硅外延晶片工序的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 外延 生长 装置 晶片 制造 方法 | ||
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- 2020-01-24 - 2022-08-12 - C30B25/20
- SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×10
- 太赫兹波段用小尺寸超薄单晶金刚石窗片及其制备方法-202210398248.2
- 宋惠;易剑;江南;褚伍波;李赫;西村一仁 - 宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2022-04-15 - 2022-07-22 - C30B25/20
- 本发明公开了太赫兹波段用小尺寸超薄单晶金刚石窗片的制备方法，包括以下步骤：(1)对单晶金刚石籽晶片进行微波等离子体化学气相沉积，刻蚀表面后同质外延生长单晶金刚石，得到单晶金刚石片；(2)加工步骤(1)得到的单晶金刚石片以达到目标尺寸；(3)将步骤(2)加工好的单晶金刚石片固定于相适配的多晶金刚石模板中进行抛光处理，脱模后得到所述的单晶金刚石窗片。本发明方法具有简单高效、可控性好、重复率高，能够实现批量加工且产品质量稳定性好的特点，制得的单晶金刚石窗片没有晶界，气密性好，且机械性能优异、介电损耗低、热导率高，能够满足太赫兹行波管在高频波段大功率连续输出需求。
- 一种拼接生长金刚石单晶的方法-202110748142.6
- 王启亮;李红东;邹广田;吕宪义;成绍恒;刘钧松;高楠;李柳暗 - 吉林大学;吉林大学深圳研究院
- 2021-07-02 - 2022-06-21 - C30B25/20
- 本发明的一种拼接生长金刚石单晶的方法属于金刚石单晶制备技术领域。以金刚石单晶作为籽晶，将2～25片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底，在拼接缝处通过磁控溅射或者真空镀膜溅射一层铱膜；利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备在溅射铱膜的金刚石单晶衬底的表面外延生长完整的金刚石单晶外延层，得到金刚石单晶材料，生长面为(100)晶面。本发明提出了一种拼接生长金刚石单晶的新方法，得到高质量的大面积金刚石单晶片。
- 金属辅助控制CVD生长单晶金刚石位错延伸的结构及其制备方法和应用-202011272924.9
- 王宏兴;王若铮;王艳丰;闫秀良 - 西安交通大学
- 2020-11-13 - 2022-05-20 - C30B25/20
- 本发明公开了一种金属辅助控制CVD生长单晶金刚石位错延伸的结构及其制备方法和应用，所述结构包括单晶金刚石衬底和金属‑金刚石外延薄膜。其中，金属‑金刚石外延薄膜利用CVD同质外延金刚石过程中通入极少量高熔点金属前驱体，在微波等离子体的作用下，金属原子与缺陷处C原子的结合，改变缺陷处C原子的排列方式，使得C原子回到金刚石晶格的格点位置，抑制线缺陷向后续薄膜的延伸，在此基础上外延生长金刚石，提高了晶体质量，为减少金刚石薄膜缺陷密度提供了新的方法。
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