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[发明专利]一种TM022模式微波等离子体金刚石膜沉积装置-CN202310970540.1在审
发明人： 邹广田;贾学林;刘学;吕宪义;李柳暗;王启亮 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明的一种TM022模式微波等离子体金刚石膜沉积装置，属于微波等离子体化学气相沉积技术领域。结构包括进气孔(1)、腔体(2)、观察窗口(3)、测温窗口(4)、等离子体半球(5)、样品台(6)、铜台(7)、环形石英玻璃(8)、倒圆台底柱(9)、出气孔(10)、微波同轴传输端口(11)、顶部调谐模块(12)。该装置采用TM022谐振模式，能够在高功率条件下实现沉积大面积高质量的金刚石薄膜生长。
一种 tm022 模式微波等离子体金刚石沉积装置

[发明专利]一种大尺寸单晶金刚石拼接生长方法-CN202111195697.9有效
发明人： 邹广田;李根壮;吕宪义;王启亮;李柳暗;谢文良;林旺;董成威 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明的一种大尺寸单晶金刚石拼接生长方法属于晶体生长技术领域，首先选取1片(100)取向的单晶金刚石作为衬底模板，在衬底模板表面生长单晶金刚石外延层并切割剥离，重复此操作获得多片晶体取向严格一致的高质量单晶金刚石外延片；研磨、抛光、清洗后放入CVD设备中生长1～4h，以观察样品表面台阶流生长方向；然后将外延片沿台阶流生长方向平行的方式进行排列，作为拼接衬底，在拼接衬底表面生长单晶金刚石外延层，并切割剥离，得到大尺寸高质量单晶金刚石。本发明在拼接缝处晶体的方向一致，拼接缝能够自然平缓的弥合，外延生长的晶体质量无明显退化，同时提高了单晶金刚石拼接生长的尺寸极限。
一种尺寸金刚石拼接生长方法

[发明专利]一种微波等离子体金刚石膜沉积装置-CN202310970548.8在审
发明人： 邹广田;贾学林;刘学;吕宪义;李柳暗;王启亮 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本发明的一种微波等离子体金刚石膜沉积装置，属于金刚石薄膜制备技术领域。结构包括进气孔(1)、腔体(2)、观察窗口(3)、出气孔(4)、微波同轴传输端口(5)、倒圆台底柱(6)、环形石英玻璃(7)、铜台(8)、样品沉积台(9)、等离子体半球(10)和测温窗口(11)。该装置结构简单，易加工，可以采用直接水冷，避免设备在高功率条件下工作时腔体壁过热的情况。
一种微波等离子体金刚石沉积装置

[发明专利]一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法-CN202310419801.0在审
发明人：王启亮;刘正帅;吕宪义;李柳暗;许洪新;邹广田 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温条件下在金刚石表面镀覆硅的方法，属于金刚石/碳化硅复合材料合成技术领域，包括将金刚石颗粒用去离子水反复清洗直至水质电导率为000uS/cm，于200℃烘干1h～3h；将烘干的金刚石颗粒放入配置好的浓度为0.15g/mL～0.3g/mL的NaOH溶液中于70℃～90℃进行水浴加热持续搅拌1h～2h，将碱处理后的金刚石颗粒用去离子水清洗至水质中性；取碱处理后的金刚石颗粒以及硅粉加入进配好的硅烷偶联剂醇溶液中，60℃～70℃水浴加热，反应1h～2h；反应结束后表面经处理的金刚石颗粒用无水乙醇清洗2～3次，用鼓风干燥箱进行烘干处理，使得金刚石表面涂层硅物质对金刚石表面改性。
一种低温条件下金刚石表面镀覆方法

[发明专利]一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法-CN202310422731.4在审
发明人：王启亮;刘正帅;吕宪义;李柳暗;牟草源;许洪新;邹广田 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C04B35/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％wt～20％wt和硅3％wt～5％wt混匀后加液态石蜡，得到混合粉末，过筛，内组装，冷压预压成型，高温预处理脱蜡，外组装，烘干，高温高压合成，然后降温降压，得到聚晶烧结体，磨床去杯，除杂清洗后得到金刚石/碳化硅聚晶烧结体，本发明利用预处理后的大尺寸且高占比的金刚石、硅和碳化硅采用高温高压法制备高导热性且极低孔隙率的金刚石/碳化硅复合材料。
一种粒径金刚石碳化硅复合材料制备方法

[发明专利]一种提高单晶金刚石外延层晶体质量的生长方法-CN202211477919.0在审
发明人：王启亮;李根壮;牟草源;朱盈;李柳暗;李红东;吕宪义;邹广田 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高单晶金刚石外延层晶体质量的生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明将多片单晶金刚石衬底进行拼接，得到拼接衬底；通入氢气和甲烷，利用化学气相沉积法在所述拼接衬底表面生长单晶金刚石外延层；停止通入甲烷，通入氧气对新生长的单晶金刚石外延层进行刻蚀，待刻蚀完后停止通入氧气，通入甲烷继续生长单晶金刚石外延层；交替进行刻蚀和生长，直至得到目标厚度的单晶金刚石外延层。本发明交替进行生长‑刻蚀‑生长，可以有效减少拼接缝处的生长缺陷，在生长过程中通过刻蚀可以定期对非晶碳、多晶金刚石等进行刻蚀，同时可以对缺陷，位错等进行实时修正，使得单晶金刚石的拼接缝自然弥合，显著提高拼接缝处单晶生长质量。
一种提高金刚石外延晶体质量生长方法

[发明专利]一种金刚石半导体器件的制备方法-CN202310200830.8在审
发明人：李柳暗;李东帅;王启亮;李红东;吕宪义;邹广田 -专利权人：吉林大学深圳研究院;吉林大学
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及金刚石半导体器件的制备方法。本发明在金刚石籽晶的(001)晶面进行镀膜处理后，第一煅烧，在得到的预处理后的金刚石籽晶的(001)晶面依次生长高浓度硼掺杂的p型导电外延层和低浓度硼掺杂的p型导电外延层；在低浓度硼掺杂的p型导电外延层的表面制备掩膜后，在无掩膜遮挡的区域依次进行蒸镀过渡金属、第二煅烧和刻蚀，得到(110)晶面的斜角台面；在(110)晶面上外延生长n型金刚石层后，去除掩膜和金刚石籽晶，分别在低浓度硼掺杂的p型导电外延层和高浓度硼掺杂的p型导电外延层的表面制备正极和负极。该制备方法可以避免刻蚀损伤，提高金刚石的生长质量，提高金刚石半导体器件的性能。
一种金刚石半导体器件制备方法

[发明专利]一种提高大面积单晶金刚石拼接生长质量的方法-CN202211477959.5在审
发明人：王启亮;李根壮;李东帅;林旺;李柳暗;李红东;吕宪义;邹广田 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高大面积单晶金刚石拼接生长质量的方法，属于晶体生长技术领域。本发明先在MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)设备中预生长，然后挑选台阶流生长方向相近的预生长样品进行拼接生长，从而提高拼接效率，减少拼接生长过程中的缺陷密度，改善拼接缝处应力分布，提高拼接生长的晶体质量。本发明的方法实施简便有效，可以兼顾生长速率与晶体质量，而且生长过程中没有引入其他杂质原子，接缝处质地均匀，台阶流逐渐合并，整体生长面表现较为平缓，整体材料的后续生长质量也有着显著提升。
一种提高大面积金刚石拼接生长质量方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法-CN202211478574.0在审
发明人：李柳暗;刘正帅;李根壮;王启亮;李红东;吕宪义;邹广田 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域，该肖特基二极管包括重掺杂P型材料的衬底，在衬底的上表面生长的轻掺杂P型材料的漂移层，对漂移层进行刻蚀处理后得到的第一凹槽结构，在第一凹槽结构中沉积形成的N型结构，沉积在漂移层和N型结构上的场板，在衬底的下表面沉积的第一电极，在场板和漂移层上表面沉积的第二电极。本发明通过改变场板和结终端扩展结构的相对空间位置，实现了导通电阻和耐压性能的平衡并获得高的巴利加优值。
一种肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种全程不倒料普洱茶发酵工艺-CN202010438277.8有效
发明人：田海霞;马跃;刘海新;郝彬秀;李颂;邹广田;官云平;魏珍珍;邱岚;孙婷婷;涂青;樊文超 -专利权人：中茶科技（北京）有限公司;云南中茶茶业有限公司;中国茶叶股份有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： A23F3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种全程不倒料普洱茶发酵工艺，将预处理后的晒青毛茶在自动复水装置中进行潮水处理后，将晒青毛茶分装到带有透气孔的标准定量发酵瓶中，依靠茶叶自身的内源菌群和网络发酵环境中的自然菌群进行发酵处理；晒青毛茶在发酵瓶中依次经常温养菌阶段、控温发酵阶段和常温陈化阶段进行充分发酵；发酵后的茶叶从发酵瓶中排出，干燥后制得普洱熟茶。通过采用独立且相对密闭的透气发酵瓶分装晒青毛茶，发酵瓶整过程一次入料一次出料，发酵全程不出料，不翻料，避免翻堆引起的微生物孢子激增及造成发酵物料染色和霉味重、料损大、汤浑浊的问题，产品品质与传统普洱熟茶有90％的相似度，滋味较传统普洱熟茶更甜醇，汤色较传统普洱熟茶更透亮。
一种全程不倒料普洱茶发酵工艺

[发明专利]一种生长大面积金刚石单晶的方法-CN202110748010.3有效
发明人：王启亮;李红东;邹广田;吕宪义;成绍恒;刘钧松;高楠;李柳暗 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明的一种生长大面积金刚石单晶的方法，属于大面积金刚石单晶制备技术领域。在清洗过的衬底表面先生长一层(100)取向金刚石织构层；对生长的(100)金刚石织构层进行抛光，用磁控溅射或者真空镀膜方法在抛光的金刚石织构层上沉积铱纳米膜，然后在沉积了铱纳米膜的金刚石织构层上继续生长，利用金刚石生长过程中的横向生长，得到金刚石单晶外延层。本发明提出了一种生长大面积金刚石单晶的新方法，解决了金刚石单晶生长面积小的问题，具有较高的发展前景跟经济价值。
一种生长大面积金刚石方法

[实用新型]一种普洱茶生产用盖盖机-CN202220278606.1有效
发明人：盛玉泊;魏珍珍;樊文超;官云平;邹广田;田海霞;马跃;邱岚;涂青;周方勇;李颂;王维飞;孙婷婷 -专利权人：云南中茶茶业有限公司;中茶科技(北京)有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B67B3/062 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种普洱茶生产用盖盖机，包括机架、瓶盖上料输送机构、瓶盖转移机构、瓶盖下料输送机构、装盖机构和瓶体输送机构，所述瓶盖上料输送机构、瓶盖转移机构、瓶盖下料输送机构、装盖机构和瓶体输送机构均安装于机架上；所述瓶盖上料输送机构设于瓶体输送机构的一侧，所述瓶盖下料输送机构设于瓶体输送机构的上方，所述瓶盖下料输送机构的顶端和瓶盖上料输送机构之间设有瓶盖转移机构，所述装盖机构设于瓶盖下料输送机构的底端。本实用新型不仅可基本实现自动化的盖瓶盖操作，提高盖瓶盖的效率，降低工人劳动强度，且大大降低瓶盖未完全盖好、翘起等情况的发生。
一种普洱茶生产用盖盖机

[发明专利]一种拼接生长金刚石单晶的方法-CN202110748142.6有效
发明人：王启亮;李红东;邹广田;吕宪义;成绍恒;刘钧松;高楠;李柳暗 -专利权人：吉林大学;吉林大学深圳研究院
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明的一种拼接生长金刚石单晶的方法属于金刚石单晶制备技术领域。以金刚石单晶作为籽晶，将2～25片籽晶拼接在一起得到金刚石单晶衬底，在拼接缝处通过磁控溅射或者真空镀膜溅射一层铱膜；利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)设备在溅射铱膜的金刚石单晶衬底的表面外延生长完整的金刚石单晶外延层，得到金刚石单晶材料，生长面为(100)晶面。本发明提出了一种拼接生长金刚石单晶的新方法，得到高质量的大面积金刚石单晶片。
一种拼接生长金刚石方法

[实用新型]一种茶叶发酵瓶用出瓶机-CN202220088978.8有效
发明人：魏珍珍;樊文超;孙婷婷;官云平;盛玉泊;邹广田;田海霞;马跃;邱岚;涂青;周方勇;李颂;王维飞 -专利权人：云南中茶茶业有限公司;中茶科技(北京)有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： A23F3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种茶叶发酵瓶用出瓶机，包括出瓶安装板和设于出瓶安装板上的出瓶机构，所述出瓶机构包括挖瓶刀、驱动挖瓶刀收放的收放组件、驱动挖瓶刀旋转的旋转组件、上压气缸和推刀板；所述上压气缸通过上压支架设于出瓶安装板的顶部，所述上压气缸的活塞杆朝下设置且连接推刀板，所述旋转组件设于推刀板上且连接设于推刀板底部的挖瓶刀，所述收放组件设于推刀板上且与挖瓶刀连接。采用上压气缸、旋转组件、收放组件带动挖瓶刀进行上下移动、旋转、收放完成茶叶发酵瓶的清理，挖瓶刀紧贴发酵瓶内壁抓取更完整、出料更干净，茶叶条索无损坏、更完整，原料适应性广，且生产效率高，劳动强度低，适合于大规模茶叶发酵的生产。
一种茶叶发酵瓶用出瓶机

[发明专利]一种茶叶发酵瓶用出瓶机-CN202210039970.7在审
发明人：魏珍珍;樊文超;孙婷婷;官云平;盛玉泊;邹广田;田海霞;马跃;邱岚;涂青;周方勇;李颂;王维飞 -专利权人：云南中茶茶业有限公司;中茶科技(北京)有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： A23F3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种茶叶发酵瓶用出瓶机，包括出瓶安装板和设于出瓶安装板上的出瓶机构，所述出瓶机构包括挖瓶刀、驱动挖瓶刀收放的收放组件、驱动挖瓶刀旋转的旋转组件、上压气缸和推刀板；所述上压气缸通过上压支架设于出瓶安装板的顶部，所述上压气缸的活塞杆朝下设置且连接推刀板，所述旋转组件设于推刀板上且连接设于推刀板底部的挖瓶刀，所述收放组件设于推刀板上且与挖瓶刀连接。采用上压气缸、旋转组件、收放组件带动挖瓶刀进行上下移动、旋转、收放完成茶叶发酵瓶的清理，挖瓶刀紧贴发酵瓶内壁抓取更完整、出料更干净，茶叶条索无损坏、更完整，原料适应性广，且生产效率高，劳动强度低，适合于大规模茶叶发酵的生产。
一种茶叶发酵瓶用出瓶机

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