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[发明专利]基于扩展卡尔曼的室内定位估计方法、存储介质及设备-CN202310908752.7在审
发明人：辜晓波;罗东向;邓锐添;李俊杰;张梦龙;刘霄 -专利权人：广东工业大学;华南师范大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01C21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于扩展卡尔曼的室内定位估计方法、存储介质及设备，其中方法包括：步骤一：获取设备与参考点之间的距离值，参考点的坐标值，设备的加速度值以及角速度值；步骤二：根据设备与参考点之间的距离值和参考点的坐标值，通过几何学方法进行粗略的定位估计值；步骤三：结合设备的加速度值以及角速度值，采用扩展卡尔曼滤波进行数据融合，获得精确的定位估计值，本发明通过无人机与多个参考信标节点的进行测距获取无人机的定位估计值，并且结合无人机自身的IMU通过数据融合的方法实现了无人机定位精度的提高，可以实现无人机在室内、地下等GNSS拒止环境下的定位导航。本发明所示方法科学，工艺性好，具有广阔推广的应用价值。
基于扩展卡尔室内定位估计方法存储介质设备

[发明专利]基于加权最小二乘法的室内无人机定位方法、介质及无人机-CN202310835399.4在审
发明人：辜晓波;罗东向;邓锐添;李俊杰;张梦龙;刘霄 -专利权人：广东工业大学;华南师范大学
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01C21/20 文献下载
摘要：本发明提供基于加权最小二乘法的室内无人机定位方法、介质及无人机，其中方法包括：步骤一：获取无人机与室内多个固定参考节点的距离及多个固定参考节点的位置；步骤二：采用最小二乘法求取无人机坐标的先验估计值；步骤三：计算无人机相对固定参考节点的单位方向向量，并线性化求解距离；步骤四：采用加权最小二乘法求取无人机坐标的后验值。本发明结合测距信息对无人机进行室内精准三维定位，利用较少的计算量实现精确获取无人机的坐标信息。
基于加权最小二乘法室内无人机定位方法介质

[发明专利]基于视觉惯性多传感器融合的相对定位方法及存储介质-CN202310908717.5在审
发明人：辜晓波;罗东向;周玉杰;周豪忠;张梦龙;刘霄 -专利权人：广东工业大学;华南师范大学
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06T7/73 文献下载
摘要：本发明提供基于视觉惯性多传感器融合的相对定位方法及存储介质，包括：获取图像帧序列，对图像帧进行ORB特征提取与匹配，光流跟踪相邻图像帧，去除异常匹配对，得到初始旋转和平移估计；利用IMU获取加速度和角速度，对加速度和角速度进行积分，得到当前时刻的位置、速度、旋转，计算图像相邻帧的预积分增量、预积分误差的雅可比矩阵和协方差项；对陀螺仪进行校正；初始化速度、重力和尺度因子，求解待优化变量X；重力方向细化，视觉惯性对齐，将所有变量调整到惯性世界系，实现IMU预积分与视觉结构对齐，优化相机位姿；全局优化；对优化后的相机位姿进行指数滤波，实时解算出相机的位姿，实现未知环境下某段时间内运动的相对定位。
基于视觉惯性传感器融合相对定位方法存储介质

[发明专利]一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置-CN202310839649.1在审
发明人：王小周;李梅溶;张梦龙;韩理想;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本发明涉及气体均匀设备技术领域，具体公开了一种改善工艺气体气流均匀性的均流方法及装置，包括：均流盒、均流板、均流孔、进气室、均流框、均流进气孔、分流腔一、通孔、分散孔、分流腔二、均流出气孔和出气室；本发明在设备腔体进气端增设主路、旁路设计，并于主路、旁路中加设质量流量计，进一步精确控制主路、旁路气体流量比；在进气管与腔室衔接部分设计了一种均流盒，经过进气室的气流，通过均流框上的均流进气孔，分散至分流腔一的两侧，并经过两组由一个通孔和三个分散孔组成的分流区域，进行均匀分散，随后汇聚到分流腔二中，并经过均流出气孔排出到出气室中，实现对充分均匀效果，进一步均匀化气流，改善反应室气流生长环境。
一种改善工艺气体气流均匀方法装置

[发明专利]一种利用本征钙钛矿优化JBS二极管的工艺方法-CN202310405945.0在审
发明人：李京波;张梦龙;张高天;王小周;周楚 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用本征钙钛矿优化JBS二极管的工艺方法，S1、首先在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N‑外延层；S2、首先通过PECVD在N‑外延层上生长一层SiO2掩模层，然后进行涂胶操作，涂胶以后用掩模板光刻并曝光，在N‑外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀；S3、将器件进行刻蚀，刻蚀出两个沟槽；S4、将器件放入X中用于去除剩余的SiO2，得到沟槽型的N‑外延层。本发明与现有技术相比优点在于：本发明为利用本征钙钛矿和明确金属种类来优化JBS二极管的工艺流程，一为在PN结之间加一层本征钙钛矿的易合成，成本较低的本征钙钛矿层来解决PN结势垒厚度较薄的问题，增加反向耐压，二是通过金半接触的机理和正负极电子的流向来确定金属的种类。
一种利用征钙钛矿优化 jbs 二极管工艺方法

[发明专利]一种碳化硅外延炉载盘气浮装置-CN202310873815.X在审
发明人：王小周;汤赛君;韩理想;张梦龙;李京波;郑筌升;雷剑鹏;李梅溶 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属外延炉载盘气浮装置技术领域，提供了一种碳化硅外延炉载盘气浮装置，包括炉腔，炉腔内部设置有圆形基座，还包括转动安装在圆形基座上表面的圆形载盘，在圆形基座外表面设置有氢气进气口，在圆形基座上表面均匀设置有若干通气孔，若干通气孔对称分布且距离圆形基座中心距离相等，炉腔一侧设置有工艺进气口。本发明通过碳化硅外延生长炉为石墨构件，但是高温下充入的氢气会对石墨产生刻蚀，容易给碳化硅外延生长带来大量缺陷，因此需要将各个部件的外表面涂覆碳化钽涂层，避免高温下氢气对石墨进行刻蚀，影响碳化硅外延生长以及影响炉体及其各部件的使用寿命，同时能够降低石墨粉的析出而导致的腔室颗粒污染问题。
一种碳化硅外延炉载盘气浮装置

[发明专利]用于装载机动力舱模型热平衡复合试验测试装置及测试方法-CN202310898295.8在审
发明人：殷帆丽;张梦龙;黄森;张永胜;焦世辉;蔡明东;师晓山;张东 -专利权人：徐工集团工程机械股份有限公司科技分公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01M99/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于装载机动力舱模型热平衡复合试验测试装置及测试方法，包括试验底板、第一、二调整模块、散热器调整模块、发动机调整模块、驱动及控制模块。试验底板固定在地面上用于支撑整个测试装置；第一调整模块用于加载被测动力舱位移；第二调整模块用于加载被测动力舱附属发动机位移；散热器调整模块用于调节动力舱附属散热器上下、左右、前后六个方位；发动机调整模块用于调节动力舱附属发动机上下、左右、前后六个方位；驱动及控制模块用于加载模拟整机风扇不同转速及扭矩工况。本发明即可以模拟装载机动力舱实际位置及结构，又可以模拟对整机进行热平衡试验，试验方便且不受外界环境影，整改过程方便且可以实现平台化，降本增效。
用于装载机动力模型平衡复合试验测试装置方法

[发明专利]一种提高碳化硅外延炉气源均匀性的进气过渡装置-CN202310871184.8在审
发明人： 张梦龙;韩理想;郑筌升;王小周;雷剑鹏;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅外延炉气源进气技术领域，提供了一种提高碳化硅外延炉气源均匀性的进气过渡装置，包括进气槽，进气槽后侧固定连通有混合槽，进气槽内部均匀固定安装有若干第一遮挡板，混合槽内部均匀固定安装有若干第二遮挡板以及若干第三遮挡板；本发明通过在进气槽内部安装有若干第一遮挡板，若干第一遮挡板能够减缓各路工艺气体流速，从而提高混合度，再进入混合槽内，混合槽内部设置有若干第二遮挡板以及第三遮挡板，从而进一步对工艺气体进行混合，第二遮挡板以及第三遮挡板减缓工艺气体进入分流槽速度，提高工艺气体在混合槽中停留的时间，继而提高工艺气体的混合均匀度，从而提高碳化硅外延生长的质量。
一种提高碳化硅外延炉气源均匀过渡装置

[发明专利]一种快速提高盐敏感水稻耐盐性的方法-CN202310766464.2在审
发明人：张桂云;孙明法;朱国永;王爱民;唐红生;严国红;胡蕾;刘凯;施伟;孙一标;赵绍路;朱静雯;代金英;张梦龙;程新杰;岳红亮 -专利权人：江苏沿海地区农业科学研究所
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： A01C1/00 文献下载
摘要：一种快速提高盐敏感水稻耐盐性的方法，属于水稻种植技术领域。步骤如下：步骤一.用3‑10 wt.‰NaCl溶液溶解DL‑哌啶酸，配制成浓度为50‑400 mg/L的DL‑哌啶酸溶液，然后将水稻种子表面消毒；步骤二.将消毒后的水稻种子在DL‑哌啶酸溶液中于20‑30℃温度下浸种16‑24 h后得到处理后水稻种子，使其在盐胁迫环境下正常发芽生长即可。本发明利用外源DL‑哌啶酸浸种水稻种子和浇灌，能够提高盐敏感水稻种子在盐胁迫条件下的发芽率、根长和生长速率，提高盐敏感水稻的耐盐性，可满足我国沿海滩涂对高产、优质、抗病、耐盐、直播水稻品种的迫切需求，并可改良盐碱地，具有很高的应用潜力和价值。
一种快速提高敏感水稻耐盐性方法

[发明专利]一种提升P型4H-SiC同质外延薄膜生长质量的方法-CN202310887341.4在审
发明人：韩理想;刘志远;张梦龙;王小周;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件技术领域，具体公开了一种提升P型4H‑SiC同质外延薄膜生长质量的方法，包括以下步骤：选用一种偏11‑20方向4°的6寸4H‑SiC衬底，对衬底进行标准清洗后放入托盘中；通入氢气，对反应腔内的碳化硅衬底进行10～15min刻蚀；升温；进行Buffer层生长；进行P‑SiC外延层生长；关闭反应源和掺杂源，降温至室温进行吹扫，获得P型掺杂的碳化硅外延片；本发明中4H‑SiC外延炉的进气管分为主路和副路，对样品生长质量影响较大，本发明通过确定腔体进气处的TMA流量，对主管路和副管路的TMA流量配比进行探究，确定最优配比，大大提升了样品掺杂浓度和厚度均匀性。
一种提升 sic 同质外延薄膜生长质量方法

[发明专利]一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法-CN202310839721.0在审
发明人： 张梦龙;雷剑鹏;韩理想;王小周;李京波;郑筌升 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种改善SiC外延片浓度均匀性的制备方法，包括以下步骤：抽真空；升温至1550～1770℃，原位刻蚀；沉积N‑SiC缓冲层，厚度0.3～1.5μm；沉积U‑SiC外延层，厚度10μm～15μm；本发明通过改变氮气旁路和主路的气体流量比例可以在提升掺杂浓度均匀性，且简便易操作，生产成本较低，不会破坏晶体质量，保障制备出浓度均匀，质量较好的碳化硅外延片。
一种改善 sic 外延浓度均匀制备方法

[发明专利]装载机工作装置的控制方法、装置及系统-CN202310955387.5有效
发明人：蒋立俏;刘慧斌;孟令超;李晓枫;杨娟;张梦龙;常立壮 -专利权人：徐工集团工程机械股份有限公司科技分公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： E02F9/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种装载机工作装置的控制方法、装置及系统，包括对翻斗缸长度和动臂缸长度进行微分计算，得到翻斗缸活塞速度和动臂缸活塞速度；将翻斗缸长度、动臂缸长度和前车架转动角度输入至预先建立好的装载机工作装置动力学模型中，计算得到铲斗位置、翻斗缸液压力和动臂缸液压力；将铲斗位置作为反馈信号，结合闭环控制算法，对铲斗轨迹进行闭环控制；基于计算得到的翻斗缸活塞速度、动臂缸活塞速度、翻斗缸液压力和动臂缸液压力，控制动力系统输出相应大小的功率来驱动装载机工作装置。本发明计算效率高，具有非常好的实时性，可实现对装载机的闭环控制，还可用于装载机的HIL测试，提高产品开发效率，缩短产品开发周期，节省研发成本。
装载机工装置控制方法系统

[发明专利]一种聚谷氨酸的可控合成方法-CN202310839808.8在审
发明人：曹中艳;张梦龙;徐元清;许英;吴玉锋;蔡永红 -专利权人：河南大学
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08G69/10 文献下载
摘要：本发明属于缓蚀阻垢技术领域，公开了一种聚谷氨酸的可控合成方法，该方法包括以下步骤：将未纯化的L‑谷氨酸苄酯‑环内酸酐溶解在二氯甲烷中，加入盐酸‑硼砂缓冲溶液，然后加入低聚合度的聚谷氨酸苄酯，在冠醚的催化下进行可控聚合反应2h，干燥、旋干有机相，得到高聚合度的聚谷氨酸苄酯；将高聚合度的聚谷氨酸苄酯溶于THF中，将NaOH溶液滴加到混合溶液中，在25℃下反应24h，反应结束后透析纯化，真空干燥得到聚谷氨酸。本发明先合成低聚合度的聚谷氨酸苄酯，再以低聚合度的聚谷氨酸苄酯为引发剂，引入缓冲溶液，在冠醚催化下快速可控合成高聚合度的聚谷氨酸苄酯，降低了传统开环聚合需要全程无水无氧的反应条件，所得聚谷氨酸的多分散性较窄。
一种谷氨酸可控合成方法

[发明专利]一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置-CN202310859141.8在审
发明人：李梅溶;张梦龙;韩理想;王小周;李京波 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置，涉及碳化硅外延片制备装置技术领域，本发明包括反应炉壳体、石墨托盘以及收集环，石墨托盘安装于反应炉壳体内部下表面，收集环设置于石墨托盘外部，收集环内表面设有若干收集圆孔，收集环外表面设有若干排气孔，石墨托盘外部设有第一挡板、第二挡板、第三挡板以及第四挡板。本发明一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒物的反应室装置，收集圆孔等间距安装于收集环内表面，继而收集环可以均匀收集外延时产生的颗粒物，能有效减少碳化硅外延的掉落物缺陷，同时能减少碳化硅外延炉的保养频率，增加石墨元件和外延炉的使用寿命。
一种具有减少碳化硅外延沉积颗粒反应装置

[发明专利]扫描图像校正方法、装置及设备-CN202310758687.4在审
发明人：郑洪坤;刘敏;欧阳锋;秦志远;张梦龙 -专利权人：青岛百创智能制造技术有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本申请提供一种扫描图像校正方法、装置及设备，涉及空间转录组测序技术领域，该方法包括：在组织切片贴合在生物芯片上的状态下，采集生物芯片的多张视野扫描图像，生物芯片上包括基板图案，基板图案中包括多个关键点，任意相邻的视野扫描图像之间存在重叠区域；根据任意相邻的视野扫描图像之间的重叠区域，对多张视野扫描图像进行融合处理，得到生物芯片的全幅扫描图像；根据基板图案，确定多个关键点在全幅扫描图像中的第一位置信息；根据第一位置信息以及基板图案，对全幅扫描图像进行校正处理，得到目标全幅扫描图像。本申请的方案，实现了生物芯片捕获的基因表达信息和全幅扫描图像表示的区域的准确对齐。
扫描图像校正方法装置设备

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