专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]SiC外延片的制造装置和SiC外延片的制造方法-CN202180092349.0在审
  • 高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-11-05 - 2023-09-15 - C30B29/36
  • 本发明的SiC外延片的制造装置(2)包括:生长炉(100A);设置在生长炉(100A)的外部,将载气和/或物料气体混合并进行压力调节的气体混合预备室(107);构成为能够将多个包括SiC单晶的两个衬底背靠背接触而成的SiC晶片对(200WP)相互隔开间隙且等间隔配置的晶舟(210);和将设置在生长炉(100A)内的晶舟(210)加热到外延生长温度的加热部(101),在SiC外延片制造装置中,该载气和/或物料气体预先在气体混合预备室(107)中混合并进行压力调节后被导入生长炉(100A),使SiC层在多个SiC晶片对(200WP)的表面生长。本发明提供一种高品质且能够降低成本的SiC外延片的制造装置。
  • sic外延制造装置方法
  • [发明专利]半导体基板及其制造方法-CN202180082058.3在审
  • 真砂纪之;前川拓滋;森本满;冈孝保 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-10-01 - 2023-08-04 - C30B25/20
  • 本发明的半导体基板(1)具备SiC单晶基板(10SB)、配置于SiC单晶基板(10SB)的Si面上的第一石墨烯层(11GR1)、隔着第一石墨烯层形成于SiC单晶基板的上方的SiC外延生长层(12RE)、以及配置于SiC外延生长层的Si面上的第二石墨烯层(11GR2)。还具备经由第二石墨烯层临时接合在SiC外延生长层上的SiC多晶基板(16P)。SiC单晶基板能够通过从SiC外延生长层剥离而再利用。还具备在SiC外延生长层的C面CVD生长而成的SiC多晶生长层(18PC),SiC外延生长层被转印到SiC多晶生长层。本发明提供一种能够提高生产率、可靠性、以及量产度的半导体基板。
  • 半导体及其制造方法
  • [发明专利]有机电致发光元件及照明装置-CN201780023405.9有效
  • 森本满;田中纯一 - 咸阳虹微新型显示技术有限公司
  • 2017-04-14 - 2021-07-20 - H01L51/50
  • 有机EL元件(10)具有包含红色磷光发光层和绿色磷光发光层的第1发光单元21、包含蓝色荧光发光层的第2发光单元(22)、以及包含蓝色荧光发光层的第3发光单元(23),并且具有依次层叠有阳极(12)、第3发光单元(23)、第2电荷产生层(32)、第2发光单元(22)、第1电荷产生层(31)、第1发光单元(21)及阴极(11)的结构,第1发光单元(21)、第2发光单元(22)及第3发光单元(23)发光而得到的白色光在590nm~640nm的红色波长区域具有1个峰波长、在500nm~550nm的绿色波长区域具有1个峰波长、在440nm~490nm的蓝色波长区域具有1个或2个峰波长。
  • 有机电致发光元件照明装置
  • [发明专利]有机电致发光元件以及照明装置-CN201680012597.9有效
  • 田中纯一;森本满 - 路米奥科技株式会社
  • 2016-02-29 - 2019-03-12 - H01L51/50
  • 为了提供一种能够进行高亮度并且高效率的发光、并且还能够应对长寿命化的有机电致发光元件,本发明提供一种有机电致发光元件,具备:位于阴极(21)侧,具有第1发光层(28A)的第1发光单元(23);与第1发光单元(23)夹着第1电荷产生层(26A)相邻,并具有第2发光层(28B)的第2发光单元(24);和与第2发光单元(24)夹着第2电荷产生层(26B)相邻,并具有第3发光层(28C)的第3发光单元(25),第2发光单元(24)的总厚度与第1发光单元(23)的总厚度以及第3发光单元(25)的总厚度之差分别为30nm~70nm。
  • 有机电致发光元件以及照明装置

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