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[发明专利]一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法-CN202310740649.6在审
发明人： 蒲小东;张海涛;方国栋;王素素;庞博;钟玉煌 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体GaN自支撑衬底材料制备技术领域，且公开了一种改善GaN厚膜生长缩径效应的正多边形基板及生长方法，包括生长基座，所述生长基座的顶部设置有多边形凸起，生长基座的顶部通过放置有钝化盖环和正多边形基板。本发明技术方案大幅改善生长厚度达5mm以上因缩径效应导致的生长面尺寸缩小从而得不到大尺寸晶锭的弊端，有效的将之前晶锭生长缩径角度从60度，提升至70‑80度，且边缘无多晶副产物产生，极小的缩径状况影响下可将生长厚度提升至8mm以上，且上表面(Ga面)的有效尺寸还能达到50.8mm直径，生长面有效拓宽后的高质量GaN晶锭通过后道切磨抛工艺可获得更多片及更大尺寸的GaN单晶自支撑衬底，有较大的成本缩减效应。
一种改善 gan 生长效应正多边形方法

[发明专利]一种HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法-CN202310497272.6在审
发明人：王素素;方国栋;蒲小东;张海涛;庞博 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：本发明涉及氮化镓生长相关技术领域，且公开了一种HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法，包括石墨载盘底座和载盘盖板，所述石墨载盘底座上环形阵列设置有三个放置衬底的凸起圆形平台，载盘盖板上开设有与凸起圆形平台相适配的圆形通孔，载盘盖板盖设在石墨载盘底座上，凸起圆形平台嵌入对应圆形通孔内侧。该HVPE三片式GaN厚膜用载盘及GaN厚膜生长方法，对GaN的沉积有一定的钝化作用，能有效减小厚膜生长的边缘效应，提升氮化镓厚膜晶体质量及良率，过单炉多片厚膜的形式，同时得到3个毫米级或者厘米级的体晶，有效避免氮化镓合成过程中的材料浪费，提升原料利用率，最终达到降低单片氮化镓单晶衬底生长成本的目的。
一种 hvpe 三片式 gan 厚膜用载盘生长方法

[发明专利]重力推流式干发酵气肥联产装置及其方法-CN201810404060.8有效
发明人：宋立;蒲小东;刘刈;王智勇;段奇武 -专利权人：农业部沼气科学研究所
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C12M1/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种重力推流式干发酵气肥联产装置及其联产方法，包括立式设置的发酵罐体，发酵罐体的顶部设置有进料仓，进料仓内设置有混合推进器，发酵罐体的顶部还设置有与发酵罐体内连通的导气管，发酵罐体内上部设置有搅拌器，搅拌器下部的搅拌轴上连接有气体导流机构，气体导流机构用于将发酵罐体内的物料中产生的沼气带动到发酵罐体顶部，发酵罐体底部设置有出料管。本发明运行操作简单，能耗低，生产效率高，占地面积小，适用于高固体浓度有机废弃物资源化利用。
力推流式干发酵联产装置及其方法

[发明专利]一种用于降低位错密度的多孔氮化镓基板制备方法-CN202211544596.2在审
发明人： 蒲小东;张海涛;王素素;方国栋;刘良宏;钟玉煌;庞博 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明涉及第三代半导体GaN自支撑衬底材料制备技术领域，且公开了一种用于降低位错密度的多孔氮化镓基板制备方法。本发明是以激光剥离得到GaN籽晶基板，而后用激光打点分解GaN基板生长面的方法处理得到具有周期点阵多孔的氮化镓薄层，而后用HVPE来生长高质量的氮化物厚膜。利用HVPE生长速率快，特别是横向生长合并速度快的优势，可以填充足够深度的多孔3D缓冲层，使位错在较低生长厚度时就出现了侧向抵消和湮灭，从而进一步降低GaN厚膜生长的位错密度，缓解了在生长氮化镓厚膜过程中所出现的裂纹和晶格翘曲等问题，同时也克服了依靠掩膜、光刻、刻蚀等工艺制作多孔基板，生长厚膜过程中的高成本、工序复杂及重复稳定性差的问题。
一种用于降低密度多孔氮化镓基板制备方法

[发明专利]一种废气净化排放的环保处理装置-CN202310220782.9在审
发明人：徐威;蒲小东;刘勇 -专利权人：四川省生态环境科学研究院
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本发明属于废气处理领域，具体涉及一种废气净化排放的环保处理装置，包括设置在箱体内的滤筒，滤筒的外侧面与箱体内侧之间形成环形腔，环形腔连通进气管，箱体顶部设置排气管，排气管连通滤筒的内部，滤筒连接有用于驱动其转动的驱动装置，滤筒内设置有反冲机构，用于通过气体反冲滤筒的内侧面，废气的净化处理过程中无二次污染，符合环保生产的理念，可通过反冲机构定期清理滤筒，使其滤孔疏通，并将粉尘颗粒集中排出，相比现有技术，能够更好的疏通滤筒的滤孔，且精准地反冲滤筒的内侧面，缩短气体撞击滤筒内侧面的行程，从而减少反冲气体的用量，从而使整个装置更加绿色环保，并能够降低反冲气体用量成本。
一种废气净化排放环保处理装置

[实用新型]一种基于ScAlMgO4-CN202220974186.0有效
发明人：钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN外延结构，其包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，缓冲层，GaN 3D岛状生长层，GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层。与现有技术相比，本实用新型可明显降低GaN薄膜的缺陷密度，获得高质量的GaN外延结构，且制作过程简单易操作。
一种基于 scalmgo base sub

[实用新型]一种基于ScAlMgO4-CN202220946742.3有效
发明人：钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN基HEMT器件外延结构，该GaN基HEMT器件外延结构包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，i‑AlxGa1‑xN/i‑GaN超晶格层，i‑GaN层，i‑AlN层，i‑AlyGa1‑yN层，以及GaN或p型GaN层。与现有技术相比，本实用新型可以有效降低GaN薄膜缺陷密度，得到大尺寸高质量GaN HEMT器件。
一种基于 scalmgo base sub

[发明专利]一种基于ScAlMgO4-CN202210441781.2在审
发明人：钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN外延结构，其包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，缓冲层，GaN 3D岛状生长层，GaN 2D层状生长层和HT‑GaN生长层。与现有技术相比，本发明可明显降低GaN薄膜的缺陷密度，获得高质量的GaN外延结构，且制作过程简单易操作。
一种基于 scalmgo base sub

[发明专利]一种基于ScAlMgO4-CN202210431166.3在审
发明人：钟玉煌;张海涛;许彬;潘华;陆羽;蒲小东;王素素 -专利权人：无锡吴越半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ScAlMgO4衬底的GaN基HEMT器件外延结构，该GaN基HEMT器件外延结构包括依次层叠的ScAlMgO4衬底，i‑AlxGa1‑xN/i‑GaN超晶格层，i‑GaN层，i‑AlN层，i‑AlyGa1‑yN层，以及GaN或p型GaN层。与现有技术相比，本发明可以有效降低GaN薄膜缺陷密度，得到大尺寸高质量GaN HEMT器件。
一种基于 scalmgo base sub

[实用新型]一种地下室外墙后浇带防渗漏结构-CN202220007721.5有效
发明人：盛江波;李嘉凌;周坤;李文胜;张浅;田浩男;蒲小东 -专利权人：中交第四公路工程局有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： E02D31/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种地下室外墙后浇带防渗漏结构，包括基板、墙板、压紧机构和定位机构，所述压紧机构包括固定块、矩形孔、螺杆、定位杆、支撑板和压板；所述基板的顶部浇筑有两个墙板，所述基板的上方设有固定块，所述固定块的左侧开设有矩形孔，所述矩形孔的顶部内壁和底部内壁上均转动连接有螺杆，两个所述螺杆相互靠近的一端相焊接。本实用新型启动电机通过螺杆转动带动移动板移动，移动板通过连接杆带动压板移动对弹簧进行挤压，压板与对应的木板接触并挤压，从而使得木板起到了隔挡防渗的效果，使得后浇带具有防渗的功能，从而不影响的整体的施工效率，给使用者带来了极大的方便。
一种地下室外墙后浇带防渗漏结构

[发明专利]一种利用沼液水培蔬菜的方法-CN202111118868.8在审
发明人：沈婷;雷云辉;蒲小东;杨鹏;张国治 -专利权人：农业部沼气科学研究所
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： A01G31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用沼液水培蔬菜的方法，包括以下步骤：在水培池内安装曝气管；取沼液作为基础液，调节基础液pH值为6‑7，然后向基础液中添加外加营养剂和中药抑菌液，使得营养液的电导率为1.2‑1.6mS/cm；将营养液加入水培池，将开设有定植孔的漂浮板放置于水培池内，将蔬菜种苗插入定植孔内进行定植培养，定植培养5‑8天后，继续向营养液中添加外加营养剂，调节营养液电导率为2‑2.5mS/cm，继续培养15‑20天即可；定植培养过程中保持水温20‑30℃，每天进行曝气。该方法可有效解决现有的方法存在的蔬菜根系易于腐烂的问题。
一种利用水培蔬菜方法

[发明专利]沼气发酵罐顶部浮渣破壳装置及其破壳方法-CN201710262642.2有效
发明人：王智勇;宋立;蒲小东;刘刈;邓良伟 -专利权人：农业部沼气科学研究所
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C12M1/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种沼气发酵罐顶部浮渣破壳装置及其破壳方法。破壳装置包括导流筒和搅拌器，所述导流筒设置在沼气发酵罐内，导流筒的上端和下端均设置为喇叭口形状，中部为圆柱形，导流筒上端喇叭口顶面低于沼气发酵罐内的液面；搅拌器包括电机、减速器、搅拌轴和搅拌桨叶，电机设置在沼气发酵罐顶部，搅拌桨叶位于导流筒下端喇叭口下方，搅拌轴一端通过减速器与电机连接，另一端穿过导流筒内腔与搅拌桨叶连接。本发明能有效解决沼气发酵过程中浮渣顶部结壳问题，提高沼气发酵对原料的利用效率，有利于解决易结壳原料在沼气发酵过程中的出料问题。
沼气发酵顶部浮渣装置及其方法

[实用新型]产储气一体化厌氧消化装置-CN201820744401.1有效
发明人： 蒲小东;王智勇;邓良伟;刘刈;宋立 -专利权人：农业部沼气科学研究所
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C12M1/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种产储气一体化厌氧消化装置，该装置包括发酵罐，发酵罐上设置有进料管、出料管和沼气管，所述发酵罐上部设置有水封池，水封池顶部设置有用于调节水封池水位的溢流管，发酵罐顶部设置有根据沼气储存量在水封池内上下浮动的气柜钟罩，且气柜钟罩与水封池配合密封发酵罐，沼气管进气端位于气柜钟罩内，出气端位于发酵罐外。本实用新型能够实现同时产沼气和恒压储存沼气的功能，降低了造价成本。
发酵罐水封池气柜钟罩厌氧消化装置本实用新型沼气管储气沼气发酵罐顶部发酵罐上部顶部设置配合密封上下浮动造价成本沼气储存一体化池水位出料管出气端进料管进气端溢流管恒压水封储存

[实用新型]家用餐厨垃圾肥料化处理器-CN201820832915.2有效
发明人：宋立;段奇武;刘刈;蒲小东;王智勇 -专利权人：农业部沼气科学研究所
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C05F9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种家用餐厨垃圾肥料化处理器，包括立式罐体，罐体内部设置有导流板，导流板与罐体中央位置相垂直，导流板将罐体内腔分隔为两个反应室，两个反应室的上方通过罐体顶部内腔连通，下方通过罐体底部内腔连通；罐体一侧的上部设置有进料管，进料管外接有进料仓，进料仓内设置有破碎推进器，罐体另一侧设置有出料管，罐体底部设置有底部排泥管，罐体顶部设置有排气管，排气管上设置有泄压阀。本实用新型兼具粉碎、生物处理和有机肥生产，环保卫生、操作简单，在处理家庭餐厨垃圾的同时，生产有机肥料，满足家庭种植植物或小区绿化植物对肥料的需求，可促进发展现代都市农业。
罐体导流板本实用新型罐体顶部垃圾肥料反应室进料仓进料管排气管处理器用餐生物处理有机肥料底部内腔罐体内部罐体内腔罐体中央环保卫生家庭种植立式罐体内腔连通小区绿化出料管家庭餐排泥管泄压阀推进器有机肥外接分隔连通破碎肥料垂直垃圾生产

[发明专利]高氨氮废水的生物脱氮工艺-CN201510775570.2有效
发明人：郑丹;邓良伟;蒲小东 -专利权人：农业部沼气科学研究所
申请日： 2015-11-15 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C02F3/28 文献下载
摘要：本发明属于污水处理领域内的一种高氨氮废水的生物脱氮工艺，是在厌氧或缺氧条件下，将好氧或厌氧污泥作为接种污泥加入到反应器中；将三价铁离子按三价铁离子与氨氮浓度的摩尔比为1.0~6.0﹕1的比例加入到高氨氮废水中混合，然后将高氨氮废水加入到反应器中，调整高氨氮废水的pH值为6.5~8.5，在15~35 ^oC下，高氨氮废水在反应器中停留0.5~5天，然后达标排放或进入下一处理工序。本发明克服了现有厌氧氨氧化脱氮工艺运行费用偏高，不能实现完全脱氮，耗时较长的技术缺陷，提供的高氨氮废水的生物脱氮工艺全程无动力自养运行，脱氮效率高，启动耗时较短。
高氨氮废水生物工艺

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