专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种钻石筛选过滤装置-CN202321055926.1有效
  • 张帅;杨高峰;王继华;霍新晓;卢蓓蓓;华源源;苏建勇 - 中南钻石有限公司;河南旭通智能科技有限公司
  • 2023-05-06 - 2023-10-13 - B07B4/08
  • 本实用新型公开了一种钻石筛选过滤装置,涉及钻石筛选技术领域,其包括:底板,所述底板上设置有输送钻石的输送机构,所述输送机构的一端设置有下料机构,所述输送机构的另一端设置有筛选机构,所述输送机构包括固定安装于底板上的输送机架,所述输送机架的上部转动安装有输送辊,一侧所述输送机架上安装有输送电机,所述输送电机的输出端与输送辊固定连接,所述输送辊上连接有输送带,所述输送带的外表面固定连接有隔片。通过设置的输送机构、筛选机构、下料机构,可以对不同大小的钻石进行筛选,并且筛选标准可调,使用灵活,保证产品的一致性良好,使用起来十分实用。
  • 一种钻石筛选过滤装置
  • [发明专利]一种镀氮化钛金刚石及其生产工艺-CN202210949108.X有效
  • 张风岭;吴定雨;卢蓓蓓;兰帅锋;赵静;戚燕杰;杨怀建 - 中南钻石有限公司
  • 2022-08-09 - 2023-09-15 - C23C18/12
  • 本发明涉及一种金刚石表面镀氮化钛膜的生产工艺:1)按质量配比将无水乙醇、丁醇和丙三醇混合均匀制成粘合剂;2)按质量配比将三氯化钛、钛粉、氢化钛混合均匀制成粉剂;3)将镀钛金刚石清洗除杂干燥;4)按质量配比将镀钛金刚石、粘合剂、粉剂混合均匀;5)将混合原料在氮气气氛下加热3‑6h;6)经过球磨筛分后即可得到镀氮化钛金刚石。本发明对金刚石表面镀层进行设计和改进,因氮化钛镀层具有一定的陶瓷脆性,可加快金刚石出刃,提高金刚石工具的切磨效率。另外因氮化钛镀层有良好的导电性,基本达到电镀的要求,可以取代金刚石电镀前需要进行化学镀镍的工序,不仅降低了成本,还对环境友好。
  • 一种氮化金刚石及其生产工艺
  • [发明专利]一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法-CN202210747489.3有效
  • 陈明;张国凯;曹通;薛晨阳;朱培;郭鋆;郭崇 - 中南钻石有限公司
  • 2022-06-29 - 2023-08-22 - C30B29/04
  • 本发明属于大尺寸单晶金刚石制造工艺技术领域,具体涉及一种大尺寸HPHT金刚石单晶片同质外延生长方法。本发明的方法以大尺寸HPHT单晶片作为晶种,采用CVD法同质外延生长,通过控制生长初期的等离子刻蚀条件和CH4的添加方式,并合理设置CH4的添加浓度和保持时间,大幅度降低了HPHT单晶片表面因缺陷密度高易形成多晶杂质的概率,实现生长表面状态的顺利过渡,保证了结晶质量和生长时间。该方法直接解决大尺寸HPHT单晶片生长难度大的难题,而且经激光切割和抛光处理后,原HPHT单晶片和分离的CVD单晶片均可用于再次生长,重复利用率高,也证明了制备的CVD单晶片质量良好稳定,具有较高的发展前景和应用价值。
  • 一种尺寸hpht金刚石晶片同质外延生长方法
  • [实用新型]一种用于金刚石合成的导电圈结构组合件-CN202221547362.9有效
  • 张亚东;张凤莲;武周军;王飞飞;栗波;孙立伟 - 中南钻石有限公司
  • 2022-06-21 - 2023-02-17 - B01J3/06
  • 本实用新型公开了一种用于金刚石合成的导电圈结构组合件,包括导电圈、导通加热件,所述导电圈是背腔结构,所述导电圈内填充有保温材料,所述导通加热件包括绝缘板和导热板,所述绝缘板上表面和下表面均设有所述导热板,所述导热板均与所述绝缘板贴合,所述导电圈与所述绝缘板上表面的所述导热板止抵。该用于金刚石合成的导电圈结构组合件可以降低导电圈导通电阻热,提高导通发热层发热效率,有效避免了金刚石生产尤其是大尺寸腔体、长生长工艺的金刚石合成中出现的导电圈烧蚀、合成温度场不平衡的结构缺陷,有效的保证了金刚石的生产稳定性及产品质量。
  • 一种用于金刚石合成导电结构组合

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