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[发明专利]金刚石基封装线路板及其制备方法-CN202311187008.9在审
发明人：褚伍波;杨明阳;邱梦婷;杨国永;易剑;虞锦洪;西村一仁;江南 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H05K3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石基封装线路板及其制备方法。所述制备方法包括：提供表面覆设有金属种子层的金刚石基体；覆设图案化掩模，其中含有树脂以及具有氧化性的玻璃粉；在暴露区域沉积金属导电层；进行热处理，以使树脂碳化形成碳化物、使覆盖区域内的金属种子层被玻璃粉氧化形成金属氧化物，以及至少使金刚石基体与金属种子层之间形成化学冶金结合，获得金刚石基封装线路板。本发明通过形成化学冶金结合来获得高结合强度的复合结构，并利用热处理步骤实现树脂掩模的碳化去除、金属种子层的氧化去除以及层间的化学冶金结合三种功效，制备过程简捷高效，能够低成本地获得具有高结合强度的图案化的金刚石基封装线路板。
金刚石封装线路板及其制备方法

[发明专利]一种低摩擦的金属/超纳米金刚石复合涂层及其制备方法-CN202210918642.4有效
发明人：宋惠;江南;褚伍波;邓丽芬;李赫;西村一仁 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波杭州湾新材料研究院
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低摩擦的金属/超纳米金刚石复合涂层及其制备方法，属于复合涂层技术领域，制备方法具体包括以下步骤：（1）在基底表面通过热丝化学气相沉积超纳米金刚石，得到UNCD涂层；（2）利用磁控溅射技术在UNCD涂层表面沉积金属涂层，得到UNCD‑金属涂层；（3）对UNCD‑金属涂层进行热处理得到所述的低摩擦的金属/超纳米金刚石复合涂层。本发明利用高温热处理和摩擦热催化诱导有序碳纳米结构在UNCD涂层上生成，改善涂层的摩擦学性能；本发明方法制备得到的金属/超纳米金刚石复合涂层耐高温、硬度高且摩擦性能优异。
一种摩擦金属纳米金刚石复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种金刚石-氧化铝复合薄膜及其制备方法-CN202210429348.7在审
发明人：宋惠;江南;褚伍波;易剑;李赫;西村一仁 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石‑氧化铝复合薄膜制备方法，包括采用MPCVD方法在硅基底表面沉积金刚石涂层后，再进行退火得到金刚石/硅基底，将所述金刚石/硅基底放入氢氟酸溶液进行刻蚀得到初始自支撑金刚石薄膜，将所述初始自支撑金刚石薄膜进行抛光至表面粗糙度＜500nm，得到自支撑金刚石薄膜；采用磁控溅射方法，以氧化铝靶为溅射靶材，氩气为溅射气体，在所述自支撑金刚石薄膜表面沉积氧化铝得到金刚石‑氧化铝复合薄膜，其中，溅射功率为150–300W，沉积温度为400–800℃，沉积时间为10–30h。该方法简单、高效，且制备得到的金刚石‑氧化铝复合薄膜具有较高的抗击穿性能和较高的结合力。
一种金刚石氧化铝复合薄膜及其制备方法

[发明专利]太赫兹波段用小尺寸超薄单晶金刚石窗片及其制备方法-CN202210398248.2在审
发明人：宋惠;易剑;江南;褚伍波;李赫;西村一仁 -专利权人：宁波杭州湾新材料研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了太赫兹波段用小尺寸超薄单晶金刚石窗片的制备方法，包括以下步骤：(1)对单晶金刚石籽晶片进行微波等离子体化学气相沉积，刻蚀表面后同质外延生长单晶金刚石，得到单晶金刚石片；(2)加工步骤(1)得到的单晶金刚石片以达到目标尺寸；(3)将步骤(2)加工好的单晶金刚石片固定于相适配的多晶金刚石模板中进行抛光处理，脱模后得到所述的单晶金刚石窗片。本发明方法具有简单高效、可控性好、重复率高，能够实现批量加工且产品质量稳定性好的特点，制得的单晶金刚石窗片没有晶界，气密性好，且机械性能优异、介电损耗低、热导率高，能够满足太赫兹行波管在高频波段大功率连续输出需求。
赫兹波段尺寸超薄金刚石及其制备方法

[发明专利]一种制备表面镀层厚度减薄的金刚石的方法-CN201410855036.8有效
发明人：白华;江南;马洪兵;西村一仁;张军安;薛晨;宋英泽 -专利权人：宁波晶钻工业科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备表面镀层厚度减薄的金刚石的方法，具体地所述方法包括如下步骤：(1)提供一种表面镀层的金刚石A，其中，所述表面镀层的金刚石A包括金刚石和表面镀层C，所述表面镀层C包括碳化硼层C1和第一硼层B1，所述碳化硼层C1位于所述金刚石和所述第一硼层B1之间；(2)将该表面镀层的金刚石进行氧化处理，所述第一硼层部分被氧化为氧化硼，得到表面镀层从内到外依次为碳化硼层‑第二硼层‑氧化硼层的金刚石；(3)将步骤(2)所得产物进行清洗处理，以去除表面的氧化硼，制得表面镀层厚度减薄的金刚石A’。使用所述方法可快速有效地降低金刚石表面镀层厚度。
金刚石表面镀层硼层厚度减薄碳化硼层氧化硼制备金刚石表面清洗处理氧化处理氧化硼层有效地镀层去除

[发明专利]一种高导热金刚石‑金属复合材料及其制备方法-CN201510075147.1有效
发明人：马洪兵;白华;江南;张军安;西村一仁;邹煌辉 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所;宁波晶钻工业科技有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： C22C26/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石‑金属复合材料，具体地所述复合材料包含金属基体和金刚石复合体，其中，所述金刚石复合体包含金刚石颗粒和复合于所述金刚石颗粒表面的表面镀层。本发明还公开了所述复合材料的制备方法和用途。该方法简单，有效可行，成本低，获得的复合材料性能优异，在电子封装热沉领域具有很大的市场前景。
一种导热金刚石金属复合材料及其制备方法

[发明专利]一种制备表面镀层厚度受控的金刚石的方法及使用该方法制得的产品-CN201410854411.7有效
发明人：白华;江南;邹煌辉;西村一仁;张军安;马洪兵;吕继磊 -专利权人：宁波晶钻工业科技有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C04B41/53 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备表面镀层厚度受控的金刚石的方法，所述方法包括如下步骤(1)提供一表面镀层的金刚石D，其中，所述表面镀层的金刚石D包括金刚石和结合于所述金刚石表面的表面镀层C；(2)将所述表面镀层的金刚石D进行高温处理使得所述镀层出现微裂纹或微损伤；(3)将经步骤(2)高温处理的所述表面镀层的金刚石进行脱落处理，制得表面镀层厚度减薄的金刚石。本发明还公开了使用所述方法制备的产品。所述方法处理设备简单，制备工艺简单、快速。
一种制备表面镀层厚度受控金刚石方法使用法制产品

[发明专利]金刚石研磨机-CN201280042648.4有效
发明人： 西村一仁;屉冈秀纪 -专利权人：宁波晶钻工业科技有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明涉及提供一种金刚石研磨机，其可以抑制研磨板与金刚石间的冲击，防止金刚石损伤。该金刚石研磨机具有水平旋转研磨面41的研磨板40、保持研磨对象物金刚石与研磨板40的研磨面41接触的支撑体10、以及把持支撑体的螺丝座20。支撑体10具有在螺丝座上设定的2根螺丝21A和21B、在前部装卸金刚石的装卸部12，通过每个螺丝21A和21B的旋转，每个支持部11A和11B的螺丝21A和21B对轴向的位置可以调节。研磨板40的研磨面41的表面粗糙度在1μmRa以下。
金刚石研磨机

[发明专利]金刚石切割工具的加工装置-CN201280046334.1有效
发明人： 西村一仁;屉冈秀纪 -专利权人：宁波晶钻工业科技有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： B24B3/34 文献下载
摘要：本专利涉及一种金刚石切削工具的加工设备，能够进行比现有技术更简单的高品质轮廓抛光。金刚石切削工具的加工设备100的组成包括一个底座部分α；一个保持机构β，设置在底座部分α上，有着对金刚石进行抛光的固定支臂，围绕Y轴进行往复旋转；一个抛光机构γ，设置在底座部分α上，通过围绕Z轴旋转的抛光面5s对金刚石进行抛光。该加工设备100的抛光机构γ设置有，抛光面5s的旋转抛光体5，以及相对金刚石的抛光面5s在Z轴方向进行升降的抛光面升降机构单元。
金刚石切割工具加工装置

[发明专利]沉积设备和沉积方法-CN200810188628.3有效
发明人： 西村一仁;笹冈秀纪 -专利权人：日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开了沉积设备和沉积方法，所述沉积设备包括：用于放置处理对象的第一电极；用于和第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和用于冷却处理对象的冷却部件，其中，在所述处理对象和所述冷却部件之间，与处理对象的中心部分和冷却部件之间的热阻相比，中心部分周围的周围部分和冷却部件之间的热阻较小。
沉积设备方法

[发明专利]沉积设备和沉积方法-CN200810185644.7无效
发明人： 西村一仁;笹冈秀纪 -专利权人：日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了沉积设备，其包括：用于放置处理对象的第一电极；用于和第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一电极相对；和热流控制传热部件，用于从处理对象吸收热量以产生从处理对象的中心区域到边界区域的热流。
沉积设备方法

[发明专利]软X线发生装置及除电装置-CN200780012243.5有效
发明人：稻叶仁;大久保义典;八木祥行;佐藤俊一;西村一仁 -专利权人：高砂热学工业株式会社;樫尾计算机株式会社;日本财团法人高知县产业振兴中心
申请日： 2007-04-10 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H05G1/00 文献下载
摘要：本发明目的在发生软X线的装置中抑制发热量，从而延长寿命。在本发明中，包括电子释放部即发射器和靶的除电装置中，由粒径为2nm～100nm的钻石颗粒构成的薄膜形成在发射器的表面上。其特征在于：该薄膜在XRD测定过程中具有钻石的XRD图案，且进行了拉曼分光测定时，膜中的sp3结分量和sp2结分量之比为2.5～2.7∶1。当直流电源施加到发射器时，阈值电场强度在1V/μm以下，从发射器释放出比以往更多的电子，并且发射器的温度也几乎不上升，可实现长寿命化。
发生装置

[发明专利]场发射电极、其制造方法及其制造设备-CN200810178595.4无效
发明人： 西村一仁;笹冈秀纪 -专利权人：日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：一种制造场发射电极的方法包括：加湿处理，作为电压施加的结果而在发射电子的电子发射膜的表面上吸附水分；以及电压施加处理，用于在经加湿的电子发射膜与面向该电子发射膜设置的电极之间施加老化电压。
发射电极制造方法及其设备

[发明专利]等离子体CVD装置及成膜方法-CN200710185799.6有效
发明人： 西村一仁;笹冈秀纪 -专利权人：日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供等离子体CVD装置及成膜方法，没有成膜的偏差。本发明的等离子体CVD装置，具有：第1电极，设置在反应槽内，并载放基板；第2电极，在所述第1电极的上方与所述第1电极相对，并在所述第2电极与所述第1电极之间生成等离子体；形成有多个喷出口的第1气体导入喷嘴，设置为高度在所述反应槽内的所述第1电极的高度和所述第2电极的高度之间，并且设置成包围着所述第1电极和所述第2电极之间的等离子体生成的区域。
等离子体 cvd 装置方法

[发明专利]场致发射电极、其制造方法和电子装置-CN200580040587.8有效
发明人： 西村一仁;笹冈秀纪 -专利权人：日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社
申请日： 2005-11-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。
发射电极制造方法电子装置

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