[发明专利]场板和半导体器件的制作方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202010581679.3 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111710714B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 陆阳 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;李秀霞 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种场板和半导体器件的制作方法及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括该场板的制作方法，该场板的制作方法包括采用TEOS淀积并高温热退火的方法制作不同厚度的场板氧化层，可以在不造成表面硅损伤的情况下提高场板氧化层厚度，可提高器件的耐压能力；该场板的制备由两步刻蚀完成：首先用干法刻蚀并湿法漂洗获得中阶段场板结构，再干法刻蚀中阶段场板结构的端部，获得终阶段场板结构，除去了湿法漂洗带来的中阶段场板结构边缘缺陷，提高了器件的耐压可靠性。该半导体器件的制作方法和该半导体器件包括采用本发明的场板的制作方法制作，其具有大厚度的场板氧化层，且耐压可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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