[发明专利]光半导体元件在审
| 申请号： | 202010145989.0 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN112447888A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 岩本昌伸;菅原秀人;矶本建次 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
实施方式提供一种降低晶片面内的光输出的变动的光半导体元件。实施方式的光半导体元件具有基板、发光层、和分布布拉格反射器。发光层具有AlGaAs多量子阱层。分布布拉格反射器设置在基板与发光层之间，周期性地层叠了第1层与第2层的对。第1层包含Al |
||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010145989.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：排气管装置
- 下一篇：生物信息测定装置、生物信息测定系统以及记录媒体
- 同类专利
- 一种LED芯片-202320647681.5
- 林志伟;李敏华;何剑;陈凯轩;卓祥景;蔡建九 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2023-03-29 - 2023-10-27 - H01L33/10
- 本实用新型提供了一种LED芯片，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小；沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲线呈“V”形；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述发光结构。基于上述设置所获得的凸起形状，使得光在所述凸起形成更全面的反射方向，从而扩大了LED芯片的发光角度；如此，在后续显屏组装时可简化背光设计，尤其适用于微型LED芯片(如Mini‑LED或Micro‑LED等)。
- 布拉格反射器及其制备方法、发光器件-202310818143.2
- 蹇鹏承;谭仕周;尹君扬;吴峰;陈长清;戴江南 - 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
- 2023-07-05 - 2023-10-24 - H01L33/10
- 本申请涉及一种布拉格反射器，所述布拉格反射器包括：布拉格光学层，所述布拉格光学层交替层叠设置的未掺杂的u‑AlGaN层与n型掺杂的多孔的n‑AlGaN层。本申请实施例提供的布拉格反射器，包括有交替层叠设置的未掺杂的u‑AlGaN层与n型掺杂的多孔的n‑AlGaN层，可通过利用激发光场局域以增强光吸收和发射光谐振以增强光发射，且本申请中n‑AlGaN层的多孔结构可以通过电化学腐蚀实现，因此具有容易制备、不容易引入杂质和缺陷的优点。
- 一种复合图形化蓝宝石衬底及LED芯片-202320013767.2
- 侯想;刘熠新;钟梦洁;卢文瑞;林赛;蔡琦;肖钱枚;熊彩浩 - 福建中晶科技有限公司
- 2023-01-04 - 2023-10-24 - H01L33/10
- 本实用新型涉及一种复合图形化蓝宝石衬底及LED芯片，属于发光二极管技术领域。其主要针对进一步提高LED光亮度的问题，提出如下技术方案，包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的顶部有周期性分布的高反射薄膜与SiO
- 一种十字棱台图形化衬底、制备方法及其应用-201710972485.4
- 杨为家;刘俊杰;唐秀凤;刘铭全;赵志诚;刘均炎;何鑫 - 五邑大学
- 2017-10-18 - 2023-10-17 - H01L33/10
- 本发明提供了一种十字棱台图形化衬底，包括由下往上依次层叠的衬底底部和十字棱台图案，所述十字棱台图案的直径为500‑950nm，高度为150‑500nm。本发明的十字棱台图形化衬底制备方法简单易操作，有利于降低生产成本；纳米微球可以多次重复使用，且通过更换直径不同的微球，即可获得规格不同的十字棱台图案，有利于降低生产成本；制备的十字棱台图形化蓝宝石衬底，能够促进薄膜的横向生长，有利于后续生长高质量低缺陷的薄膜，可大幅度提高LED的发光效率；制备的十字棱台图形化衬底能够增加光的反射从而提高LED、LD器件的出光效率。
- 一种发光二极管的外延结构及其制备方法-202310895283.X
- 赖玉财;李森林;毕京锋;廖寅生;薛龙;王亚宏;董雪振 - 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
- 2023-07-20 - 2023-10-13 - H01L33/10
- 本发明提供一种发光二极管的外延结构及其制备方法，发光二极管的外延结构从下至上依次包括位于衬底上的第一分布式布拉格反射镜层、第二分布式布拉格反射镜层、第一半导体层、有源层以及第二半导体层，第一分布式布拉格反射镜层为第一预设周期数的第一AlAs层、第一AlGaAsP层和第二AlGaAsP层交替排列的周期性结构；第二分布式布拉格反射镜层为第二预设周期数的第二AlAs层和AlGaAs层交替排列的周期性结构，以提高第一分布式布拉格反射镜层的晶格匹配度，提高晶体质量，减少反射过程中的光吸收；复合分布式布拉格反射镜结构可以降低发光二极管的外延结构的高翘曲度，从而提高分布式布拉格反射镜结构的反射率，达到提高发光二极管亮度的效果。
- 一种LED外延片及其制备方法、LED芯片-202311102371.6
- 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-08-30 - 2023-09-29 - H01L33/10
- 本发明提供一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过将全反射复合层设置在多量子阱层之前，以最大化的反射使得正向发光亮度提升，其中，全反射复合层包括周期性生长的第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层，第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层的折射率依次减小，第一反射子层为不掺杂的GaN层，第二反射子层为AlGaN层，第三反射子层为AlN层，AlGaN层中Al组分为20%~80%，具体的，由于第一反射子层、第二反射子层以及第三反射子层的折射率不一样，具备全反射条件，另外，由于外延生长工艺较为成熟，在LED外延片中设置全反射复合层后，可以减少在制备LED芯片时设置DBR层，以降低成本。
- 具有波矢调控的深紫外LED器件及其制备方法-202310777338.7
- 尹君;康俊勇 - 厦门大学
- 2023-06-28 - 2023-09-22 - H01L33/10
- 本发明公开了一种基于波矢调控提升AlGaN深紫外LED出光效率的器件结构及其制备方法。该器件包含：透光衬底、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，电极接触层，反射层，以及分别与第一半导体层和第二半导体层接触的电极，第二半导体层和电极接触层刻蚀有周期性或随机分布的槽孔，反射层嵌入在其中，所述嵌入在第二半导体层槽孔中的反射金属在深紫外光区域具有等离激元共振特性，结合特定厚度的介质层调节，该结构可实现对高Al组分AlGaN量子阱光子传播模式的调控，基于波矢调控显著提升TM和TE模式辐射光子的出光效率。所述特定厚度、具有低折射率的介质层主要起光学腔的作用，辅助提升反射金属的等离激元共振及其波矢调控能力。
- 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法-202310920711.X
- 李文涛;鲁洋;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-07-26 - 2023-09-19 - H01L33/10
- 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，包括衬底及依次层叠在衬底上的外延层、电流阻挡层、电流扩展层、电极层、布拉格反射层、连接层、第一绝缘保护层、金属保护层、第二绝缘保护层、焊盘层；连接层包括结构相同的多个P型连接层和多个N型连接层，P型连接层由依次层叠的高反射金属层、防护金属层及电流传输层组成，高反射金属层为Al层或Ag层；电流传输层包括依次层叠的至少两个传输子层，传输子层由多组周期性层叠的TiW层和Au层组成，沿芯片生长方向的不同传输子层中TiW层厚度占Au层厚度的比例呈线性增加。本发明的LED芯片电流均匀扩散，且可以增大LED芯片可使用的最大电流。
- LED外延结构及其制备方法-202111095129.1
- 薛龙;李森林;杨美佳;毕京锋 - 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
- 2021-09-17 - 2023-09-15 - H01L33/10
- 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，其中所述LED外延结构从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层从下至上依次包括第一型窗口层、第一型限制层以及第一型波导层，且所述第一型窗口层为Al组分渐变的结构层。本发明通过形成Al组分渐变的第一型窗口层可以提高LED的出光效率以及降低LED的工作电压。
- 一种固晶平整的倒装LED芯片-202320416497.X
- 朱帅;康志杰 - 青岛融合微电子科技有限公司
- 2023-03-08 - 2023-09-05 - H01L33/10
- 本实用新型公开了一种固晶平整的倒装LED芯片，属于倒装LED芯片技术领域。其技术方案为：包括蓝宝石衬底及蓝宝石衬底上的外延层，外延层包括N‑GaN层、发光层和P‑GaN层；P‑GaN层的一侧设置有切割道和至少一个孔洞形的N电极导电平台，切割道向下刻蚀至蓝宝石衬底，N电极导电平台向下刻蚀至N‑GaN层。本实用新型用孔洞形结构代替传统的整块结构，芯片制备后P‑GaN层与N‑GaN层几乎位于同一平面，提高了后期焊锡固晶的平整性，同时也增加了光反的射，从而提高了芯片的光效。
- 基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法-202110859939.3
- 许晟瑞;吴前龙;贠博祥;陶鸿昌;许文强;范晓萌;张雅超;张进成;郝跃 - 西安电子科技大学芜湖研究院
- 2021-07-28 - 2023-09-01 - H01L33/10
- 本发明公开了一种基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法，所述AlN紫外发光二极管自下而上包括：图形蓝宝石衬底、AlN纳米图形插入层、AlN再生长层、n型AlN层、Al
- 一种反极性发光二极管外延片、制备方法及LED-202310790283.3
- 金钊;曹广亮;焦恩;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-06-30 - 2023-08-29 - H01L33/10
- 本发明提供了一种反极性发光二极管外延片、制备方法及LED，外延片包括：Si衬底及依次沉积在所述Si衬底上的第一半导体层、量子阱层、第二半导体层、N型扩展反射层、N型双环欧姆接触层以及N型电极；所述N型扩展反射层包括按M个周期交替排布的(Al
- DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板-202310611638.8
- 王庆;栗伟;何敏游;刘士伟;洪灵愿;林素慧;张中英 - 厦门三安光电有限公司
- 2020-11-19 - 2023-08-22 - H01L33/10
- 本发明提供一种DBR结构、LED芯片、半导体发光器件及其制造方法及显示面板。本发明的DBR结构包括多个反射膜组，反射膜组包括依次叠置的折射率不同的第一材料层和第二材料层；其中，沿所述反射膜组的堆叠方向，DBR结构包含：第一区域及第二区域，第一材料层在第一区域和第二区域的光学厚度范围不同，第二材料层在第一区域和第二区域的光学厚度范围不同。该DBR结构还可以包括设置在反射膜组下方的第二材料层。上述第一材料层的折射率小于第二材料层的折射率。通过设置材料层不同的光学厚度，上述DBR结构的第一区域对芯片内部的反射最大化，第二区域对35°~45°及50°~55°的光具有较低的透射率，从而降低芯片的正面透光率。
- 具有亚波长抗反射结构的光电器件、相关屏幕和制造方法-202310143102.8
- 阿玛德·恩迪亚耶;巴德希斯·本·巴基尔 - 法国原子能及替代能源委员会
- 2023-02-21 - 2023-08-22 - H01L33/10
- 光电器件(1)包括发射结构(2)，其至少一部分由一种或多种半导体材料形成，其被配置为当它具有电流流过其中时产生发光辐射，所述发光辐射在发射结构内产生并且具有平均波长λ，该发射结构具有平均光学折射率n并且由出射表面(4)界定，所述发光辐射的至少一部分通过该出射表面离开，该器件还包括抗反射结构(3)，其包括亚波长周期性光栅，该光栅包括形成间距(a)小于λ/[2.n]的周期性结构的中空部分(7)和突出部分(6)。
- 紫外发光二极管及发光装置-202210108059.7
- 臧雅姝;陈思河;卓佳利;贺春兰;张中英;江宾;曾炜竣 - 厦门三安光电有限公司
- 2022-01-28 - 2023-08-08 - H01L33/10
- 本发明提供一种紫外发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极以及绝缘调光结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一接触电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二接触电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，绝缘调光结构位于外延结构之上并覆盖第二接触电极，用于调制发光层发出的光线。借此，可以改善出光角度，加强对于紫外光的反射，提升紫外发光二极管的出光性能。
- 紫外发光二极管及发光装置-202210108058.2
- 臧雅姝;陈思河;卓佳利;贺春兰;江宾;张中英;曾炜竣 - 厦门三安光电有限公司
- 2022-01-28 - 2023-08-08 - H01L33/10
- 本发明提供一种紫外发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极、第一连接电极及第一绝缘结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一接触电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二接触电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，第一连接电极位于第一接触电极之上，第一绝缘结构位于第一连接电极和第二接触电极之上，其中，外延结构具有若干个导通孔，若干个导通孔是由第二半导体层向下贯穿至第一半导体层。借此，既可以达到电流均匀分布的效果而提升紫外发光二极管的出光效果，还可保留了更大的发光层的面积，提升发光层的出光量。
- 一种LED芯片及其制备方法-202111617709.2
- 田文;赵进超;沈侠强;李士涛 - 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
- 2021-12-27 - 2023-08-08 - H01L33/10
- 公开了一种LED芯片及其制备方法，包括：外延层，所述外延层包括第一半导体层，位于所述第一半导体层上的多量子阱层和位于所述多量子阱层上的第二半导体层；位于所述第二半导体层上的全方向反射镜；与所述第一半导体层电连接的第一电极；以及与所述第二半导体层电连接的第二电极；所述全方向反射镜依次包括透明导电层、第一介质层、透明阻挡层以及金属反射层；其中，还包括第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层和部分所述透明阻挡层上，所述第二介质层中具有开口，所述金属反射层位于所述第二介质层的开口内。本发明实施例的LED芯片及其制备方法，显著改善金属反射镜剥离和金属反射镜边缘翘起的问题，提高良率和可靠性。
- 一种发光二极管-202080006158.3
- 唐宏彬;邓有财;庄曜玮;吴霁圃;吴嘉文;黄文嘉;张中英 - 泉州三安半导体科技有限公司
- 2020-06-15 - 2023-08-01 - H01L33/10
- 一种发光二极管，其至少包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面；DBR反射层（108），设置在所述半导体外延叠层的第二表面之上，包括由a种不同折射率的材料层交替堆叠而成的M组材料层对，其中2≤a≤6；其特征在于：所述DBR反射层（108）的M组材料层对中有N组材料层对，所述N组材料层对中a种材料层间的界面的粗糙度大于其余（M‑N）组材料层对中a种材料层间的界面的粗糙度，其中M＞N≥1。通过对DBR反射层（108）中材料层间的界面进行粗化，可增加出光效率；同时可改善DBR反射层（108）的材料层间、DBR反射层（108）和衬底（101）间的附着力，改善切割背崩，推力剥落的现象，提升产品良率。
- 一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法-202310198063.1
- 解意洋;赵晓瑞;徐晨 - 北京工业大学
- 2023-03-03 - 2023-07-25 - H01L33/10
- 本发明提供了一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，该装置由下至上包括：第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层，所述第一反射层为金属反射层，所述第二反射层为布拉格反射镜；第一衬底、键合金属层、第一反射层、外延片、电极层、第二反射层、间隔层及超结构单元层均垂直于从所述LED发射的光的传播平面。本发明提供的一种发射光可调控的超表面集成式LED装置及制备方法，具有更大的空间相干性，结构紧凑，加工工艺简单，产品良率与可靠性提升，能调控LED出射光的特性，可扩展多功能，具有广阔的应用前景。
- 具有侧面反射层的发光二极管-202010360589.1
- 张锺敏;金彰渊;林栽熙 - 首尔伟傲世有限公司
- 2017-12-06 - 2023-07-25 - H01L33/10
- 本发明提供一种具有侧面反射层的发光二极管。根据一个实施例的发光二极管包括：基板；半导体叠层，布置于所述基板下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，布置于所述欧姆反射层下部，分别电连接于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；侧面反射层，覆盖所述基板的侧面；以及保护层，布置于所述侧面反射层上。
- 具有侧面反射层的发光二极管-202010361306.5
- 张锺敏;金彰渊;林栽熙 - 首尔伟傲世有限公司
- 2017-12-06 - 2023-07-25 - H01L33/10
- 本发明提供一种具有侧面反射层的发光二极管。根据一个实施例的发光二极管包括：基板，具有侧面；半导体叠层，布置于所述基板下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸起焊盘及第二凸起焊盘，布置于所述欧姆反射层下部，分别电连接于所述第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；侧面反射层，覆盖所述基板的侧面；以及粗糙度缓冲层，夹设于所述基板的侧面与所述侧面反射层之间。
- 一种基于谐振腔增强的带间级联中红外发光二极管-202310432876.2
- 周易;张旺霖;柴旭良;陈建新 - 国科大杭州高等研究院
- 2023-04-21 - 2023-07-18 - H01L33/10
- 本发明公开了一种基于谐振腔增强的带间级联中红外发光二极管，涉及发光二极管技术领域，包括：由下至上依序叠层的下反射镜(1)、P型接触层(2)、级联区(3)、N型接触层(4)、上反射镜(5)。本发明考虑了谐振腔结构与带间级联结构的特点，并将两者结合设计，提高了LED器件的提取效率，可以在较少的级联级数下实现高功率、窄光谱、窄发射角性能，符合气体探测器对中红外光源的需求，具有广泛的应用前景。
- 一种基于共振腔发光二极管的微图形光源-202110998901.4
- 李建军;张振东 - 北京工业大学
- 2021-08-28 - 2023-07-14 - H01L33/10
- 一种基于共振腔发光二极管的微图形光源芯片，属于半导体光电子领域。通过微加工工艺将微图形光源直接制作在共振腔发光二极管芯片表面，并且构成微图形光源图案的线条范围在5到30微米之间。包括上电极、介质隔离层、上布拉格反射镜、谐振腔、下布拉格反射镜、衬底、下电极,位于谐振腔上方的侧向氧化层，谐振腔中含有光辐射有源区。上、下布拉格反射镜由厚度各为1/4出射光波长的低折射率材料层和高折射率材料层交替组成。本发明将微图形光源通过微加工工艺直接制作在共振腔发光二极管芯片表面，光源体积小；利用侧向氧化限制载流子运动，减少了载流子在隔壁的非辐射复合；由于本发明采用了共振腔结构，可以实现辐射波长稳定的发光二极管。
- 共振腔微阵列高效率发光二极管芯片-202010964882.9
- 李建军;杨启伟 - 北京工业大学
- 2020-09-15 - 2023-07-11 - H01L33/10
- 共振腔微阵列高效率发光二极管芯片，属于半导体光电子领域。包括透明导电层ITO，SiO
- 一种多有源区隧道级联共振腔红光Micro-RCLED-202111467852.8
- 李建军;任凯兵 - 北京工业大学
- 2021-12-02 - 2023-07-11 - H01L33/10
- 一种基于共振腔的多有源区隧道级联红光Micro‑RCLED，属于半导体电子技术领域。从上而下包括上电极、上布拉格反射镜、谐振腔、下布拉格反射镜、衬底、下电极。其中上布拉格反射镜由相对较高折射率材料层、相对较低折射率材料层组成；共振腔由多个有源区组成，有源区包含反偏隧道结，匹配层，氧化限制层，上限制层，量子阱，下限制层；下布拉格反射镜由相对较高折射率材料层、相对较低折射率材料层组成。本发明利用反偏隧道结实现多有源区级联，提高了内量子效率，再结合垂直方向的共振腔结构，内部利用AlAs氧化限制层降低侧壁的非辐射复合，可实现光提取效率高、辐射波长稳定、芯片面积小的二极管发光。
- 一种提升发光效率的发光二极管制作方法-202310174191.2
- 徐平;许亚兵;周奇华 - 湘能华磊光电股份有限公司
- 2023-02-28 - 2023-06-27 - H01L33/10
- 本发明公开一种提升LED芯片亮度的制作方法，包含以下步骤：(1)在氢气环境下对衬底进行脱附处理；(2)在衬底上外延生长AlN成核层；(3)对AlN成核层进行重结晶；(4)外延生长AlN缓冲层；(5)外延生长AlN/GaNDBR结构；(6)将AlN/GaNDBR结构进行高温退火处理，使AlN/GaNDBR结构中的GaN发生部分分解，形成AlN/空气多孔DBR结构；(7)在AlN/空气多孔DBR结构外延生长发光二极管结构，形成具有AlN/空气多孔DBR结构的发光二极管，提高对光的反射率和反射率带宽，提升光提取效率，从而提升发光效率。
- 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管-202310123906.1
- 程龙;郑文杰;高虹;刘春杨;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-02-16 - 2023-05-30 - H01L33/10
- 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述非掺杂GaN层依次包括设于所述缓冲层上的第一GaN层、阵列于所述第一GaN层上的多个微镜柱和包裹于所述微镜柱上的第二GaN层；其中，每个微镜柱为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的Ta
- 高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法-202111427556.5
- 冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-11-26 - 2023-05-30 - H01L33/10
- 本发明公开了一种高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层上还设置有n型布拉格反射镜层，且所述n型布拉格反射镜层内分布有多个纳米级孔洞。本发明中提供的III族氮化物紫外发光二极管结构取光效率高、漏电小、可靠性高，且工艺制备简单，成本低。
- 高电光转换效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制法-202111417914.4
- 冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2021-11-26 - 2023-05-30 - H01L33/10
- 本发明公开了一种高电光转换效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层与有源区之间还分布有具有微纳结构的反射层，所述反射层至少用于将从有源区向p型层传播的光向n型层反射。本发明提供的发光二极管，取光效率高、串联电阻小，可大幅提升电光转换效率和可靠性。
- 一种高光效倒装LED芯片及其制备方法-202211738876.7
- 刘宝琴;朱剑峰;张蔚;任飞;袁林 - 南通同方半导体有限公司
- 2022-12-30 - 2023-05-23 - H01L33/10
- 本发明公开了一种高光效倒装LED芯片及其制备方法，芯片结构由下至上包括：蓝宝石衬底、GaN成核层、n‑GaN层、电流扩展层、量子阱发光层、EBL电子阻挡层、p‑GaN层、反光层、透明导电层、电极层一、高反射率DBR层、电极层二；其中反光层材料为GaN/AlN超晶格结构。本发明通过在p型氮化镓上生长GaN/AlN超晶格反光层，并对该反光层进行刻蚀，形成周期性排列的图形，反光层被刻蚀掉的区域露出p‑GaN层，因此不会影响透明导电层与p‑GaN层的欧姆接触；这样的结构对射向p‑GaN层方向的光先进行部分反射，不仅增加了光反射，还可以减少光通过透明导电层及电极时材料对光的吸收，而对于另一部分射向电极方向的光，由高反射率DBR层再次反射，从而有效的提高了倒装LED芯片的出光效率。
- 专利分类
