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[发明专利]一种煤系烃源岩中生烃单组分氢指数定量研究方法-CN202010741933.1有效
发明人：马峰;杨巍;李红哲;孙秀建;白亚东;周飞 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种煤系烃源岩中生烃单组分氢指数定量研究方法。所述方法包括如下步骤：(1)获取研究区域不同岩性烃源岩的全岩显微组分含量数据和岩石热解分析数据；(2)根据步骤(1)得到的全岩显微组分含量和岩石热解分析数据建立不同岩性烃源岩多种显微组分含量在一定成熟范围内与有机碳含量(TOC)、热解烃量(S2)多元拟合计算模型；(3)依据步骤(2)获得的多元拟合计算模型，定量计算不同单组分对有机碳含量(TOC)和热解烃量(S2)的贡献分量；(4)根据步骤(3)的计算结果和氢指数的定义，定量计算生烃组分的氢指数。
一种煤系烃源岩中生烃单组分指数定量研究方法

[发明专利]提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用-CN202210066098.5在审
发明人：孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;冯美鑫;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用。所述的方法包括：在p型III族氮化物材料生长过程中和/或生长完成后，使所述p型III族氮化物材料与卤素基活性原子和/或卤素基活性基团接触反应，以移除所述p型III族氮化物材料中的部分III族原子，从而在所述p型III族氮化物材料中产生阳离子空位；以及激活包含有所述阳离子空位的p型III族氮化物材料中的受主杂质。本发明提供的一种提高AlGaN半导体材料空穴浓度的方法，突破了传统p型AlGaN材料面临的受主型Mg原子并入效率低、自补偿效应严重等局限，可利用III族阳离子空位来大幅增加处于III族原子晶格位点的Mg受主型杂质浓度、从而显著提高p型AlGaN材料中的空穴浓度。
提高 iii 氮化物材料空穴浓度方法及其应用

[发明专利]提高多元系III族氮化物基半导体材料晶体质量的方法-CN202210066100.9在审
发明人：孙钱;刘建勋;孙秀建;黄应南;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高多元系III族氮化物基半导体材料晶体质量的方法。所述方法包括先生长一层刻蚀准备层，以卤素基源对所述刻蚀准备层进行原位刻蚀，以在所述刻蚀准备层表面的位错区域形成刻蚀坑；在所述刻蚀准备层表面进行合并层的生长，并至少使所述刻蚀坑的部分被所述合并层合并，其中，所述刻蚀准备层和合并层的材质相同，且均为多元系III族氮化物。本发明实施例提出的方法通过控制反应室温度等条件，可以实现位错周围区域优先刻蚀、平面区域几乎不刻蚀，从而对AlGaN等多元系III族氮化物基半导体材料高效率、选择性刻蚀，通过原位产生刻蚀坑，可避免传统ELOG生长中掩膜介质分解导致的杂质污染等问题。
提高多元 iii 氮化物半导体材料晶体质量方法

[发明专利]高质量半导体薄膜及其制备方法和应用-CN202210066452.4在审
发明人：孙钱;黄应南;刘建勋;孙秀建;詹晓宁;高宏伟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量半导体薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：第一步骤，包括对硅衬底表面进行微纳图形化处理以获得图形化衬底；第二步骤，包括在所述图形化衬底上生长形成半导体材料薄膜；所述半导体材料薄膜由六方晶系半导体材料形成，并且所述第一步骤包括：在硅衬底表面形成多个多边形图形，并使所述多边形图形的任意一条边与所述硅衬底的11‑2晶向和所述半导体材料的10‑10晶向之中的任意一者之间的偏角均在15°以内。本发明实施例提出的制备方法，不仅可以有效降低位错缺陷密度和减小应力，而且制备工艺流程简单、成本低，且合并效果好、缺陷密度低、材料晶体质量好，尤其适用于大规模工业化生产。
质量半导体薄膜及其制备方法应用

[发明专利]III族氮化物基半导体材料及其制作方法-CN202210066938.8在审
发明人：孙钱;刘建勋;孙秀建;黄应南;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物基半导体材料及其制作方法。所述制作方法包括：在反应室内设置III族氮化物刻蚀准备层；向所述反应室内输入卤素基源对III族氮化物刻蚀准备层的表面进行原位处理，以使所述III族氮化物刻蚀准备层表面附近产生多个III族阳离子空位缺陷；向所述反应室内输入氮源和金属源，在原位处理后的III族氮化物刻蚀准备层表面生长形成III族氮化物半导体材料层。本发明实施例提供的一种III族氮化物基半导体材料的制作方法，工艺简单，重复可控，完全适合大规模生产，采用卤素基源进行原位表面处理，可以完全兼容MOCVD等设备非常适合于高质量AlGaN等III族氮化物材料的大规模生产。
iii 氮化物半导体材料及其制作方法

[发明专利]一种提升含Al氮化物半导体材料的晶体质量的方法-CN202210050516.1在审
发明人： 孙秀建;黄应南;孙钱;刘建勋;詹晓宁;高宏伟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种提升含Al氮化物半导体材料的晶体质量的方法。所述方法包括：在衬底上沉积形成作为成核层的含Al氮化物半导体材料底层；在所述含Al氮化物半导体材料底层上生成形成AlON层，之后继续生长含Al氮化物半导体材料层，制得高质量含Al氮化物半导体材料外延薄膜。本发明通过在含Al氮化物半导体材料薄膜上生长AlON，进而在下一步的外延生长时利用形成的AlON来进一步阻挡和湮灭穿透位错，从而改善晶体质量，同时并不存在AlN侧向外延的难合并等问题。同时，本发明的方法工艺简单，可以适应于各类外延生长，同时也完全适合规模化生产。
一种提升 al 氮化物半导体材料晶体质量方法

[发明专利]III族氮化物半导体光电器件结构及其制备方法-CN202210012371.6在审
发明人：冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种III族氮化物半导体光电器件结构及其制备方法。所述光电器件结构包括沿指定方向依次设置的p型半导体层、有源区和n型半导体层所形成的外延结构以及与p型半导体层配合的p电极和与n型半导体层配合的n电极；所述外延结构中还形成有电流注入窗口；其中，所述p电极至少覆盖p型半导体层表面的第一区域且与p型半导体层形成欧姆接触，所述第一区域环绕第二区域设置，所述第二区域与所述电流注入窗口对应设置。本发明中提供的III族氮化物半导体光电器件结构具有串联电阻低、光损耗小和热阻小等优点，可大幅提升光电性能和可靠性。
iii 氮化物半导体光电器件结构及其制备方法

[发明专利]高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法-CN202111427556.5在审
发明人：冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高取光效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制备方法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层上还设置有n型布拉格反射镜层，且所述n型布拉格反射镜层内分布有多个纳米级孔洞。本发明中提供的III族氮化物紫外发光二极管结构取光效率高、漏电小、可靠性高，且工艺制备简单，成本低。
高取光效率 iii 氮化物紫外发光二极管及其制备方法

[发明专利]高电光转换效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制法-CN202111417914.4在审
发明人：冯美鑫;孙钱;刘建勋;黄应南;孙秀建;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电光转换效率的III族氮化物紫外发光二极管及其制法。所述二极管结构包括外延结构，所述外延结构包括p型层、n型层和有源区，所述有源区分布于所述p型层和n型层之间；其中，所述p型层与有源区之间还分布有具有微纳结构的反射层，所述反射层至少用于将从有源区向p型层传播的光向n型层反射。本发明提供的发光二极管，取光效率高、串联电阻小，可大幅提升电光转换效率和可靠性。
电光转换效率 iii 氮化物紫外发光二极管及其制法

[发明专利]泥岩盖层封闭性的预测方法及装置-CN202010498105.X有效
发明人：杨巍;马峰;白亚东;孙秀建;李红哲 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种泥岩盖层封闭性的预测方法及装置，其中，该方法包括：获得对泥岩盖层样品执行压力测试得到的泥岩盖层样品的突破压力；根据对粉碎后的泥岩盖层样品执行氮气吸附测试得到的氮气吸附特征数据，确定粉碎后的泥岩盖层样品的微观特征参数；根据突破压力和微观特征参数，确定突破压力与微观特征参数之间的关联关系；根据待分析区泥岩盖层的微观特征参数，基于突破压力与微观特征参数之间的关联关系，确定待分析区泥岩盖层的突破压力；根据待分析区泥岩盖层的突破压力，预测待分析区泥岩盖层封闭性，本发明可以提高泥岩盖层封闭性的预测效率和精度。
泥岩盖层封闭性预测方法装置

[发明专利]氮化镓电子器件及其制备方法-CN202110243650.9在审
发明人：孙钱;刘建勋;郭小路;周宇;苏帅;孙秀建;高宏伟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓电子器件及其制备方法。所述制备方法包括：提供外延结构层，所述外延结构层包括依次叠层设置在衬底上的轻掺杂GaN层、含铝的III族氮化物半导体插入层和p型GaN层；对所述p型GaN层表面的指定区域进行加工处理，以在所述p型GaN层表面的指定区域形成凹槽结构，并使所述含铝的III族氮化物半导体插入层的局部自所述凹槽结构内露出；在所述凹槽结构内形成第一电极，该第一电极与所述插入层形成肖特基接触；以及制作与所述外延结构层形成欧姆接触的第二电极和第三电极。本发明实施例提供的氮化镓电子器件可以克服现有技术的缺点，且具有结区稳定可控、正向导通好、反向耐压高、正向电流横向扩展好等优点。
氮化电子器件及其制备方法

[发明专利]油气田产出水中温室气体排放通量的确定系统及方法-CN202010721042.X在审
发明人：杨巍;马峰;白亚东;李红哲;孙秀建 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种油气田产出水中温室气体排放通量的确定系统及方法，其中该方法包括：气体排放模拟装置采集油气田产出水样品与空气混合之后排出的气体样品；气体密度确定装置获得对气体样品执行气相色谱及质谱测试得到的气体样品中每种温室气体的密度；排放通量确定装置根据每种温室气体的密度，以及气体样品的体积、油气田产出水样品的体积和空气的体积，确定每种温室气体的排放通量，本发明实现了对油气田产出水中温室气体排放通量的精确量化，降低了大气中碳排放量计算的不确定性。
油气田产出水中温室气体排放通量确定系统方法

[发明专利]一种用于制备GaN基电子器件的方法-CN202010619149.3在审
发明人：孙钱;周宇;刘建勋;孙秀建;詹晓宁;高宏伟;钟耀宗 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备GaN基电子器件的方法，包括：对高阻衬底表面进行掺杂处理，使所述高阻衬底表面的空位、间隙位、替代位中的任一者或多者为掺杂离子和/或掺杂原子所占据，从而能够阻止外部的Al原子和/或Ga原子向所述高阻衬底内扩散或利用补偿机制抑制寄生导电，之后在所述高阻衬底表面生长含Al原子和/或Ga原子的外延结构，并基于所述外延结构制作GaN基电子器件。本发明还公开了利用所述方法制备的GaN基电子器件。本发明的GaN基电子器件制作方法简单而有效，既可以保证外延层晶体质量，还避免了二次外延界面杂质沾污、生产效率低等问题，因此能够制造兼具低射频损耗、高性能的GaN基射频微波器件外延片。
一种用于制备 gan 电子器件方法

[发明专利]硅基氮化镓外延结构及其制备方法-CN202010309521.0在审
发明人：孙钱;刘建勋;孙秀建;詹晓宁;高宏伟;黄应南;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基氮化镓材料外延结构及其制备方法。所述硅基氮化镓外延结构的制备方法包括：在硅衬底上生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长准二维GaN超薄浸润岛；使所述准二维GaN超薄浸润岛在很小的厚度范围内合并，形成GaN超薄过渡层；以及，在所述GaN超薄过渡层上继续生长高质量GaN膜。本发明以上实施例提供的硅基氮化镓外延结构及其制备方法可以在不生长AlGaN三元合金缓冲层的基础上，实现硅衬底AlN成核层上连续、无间隔、高质量的GaN厚层薄膜的外延生长，从而兼顾实际器件对散热、外延片翘曲、电流垂直输运等的要求，还可以显著提高生产效率，大幅降低器件生产成本。
氮化外延结构及其制备方法

[发明专利]提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料-CN202010103574.7在审
发明人：孙钱;黄应南;刘建勋;孙秀建;詹晓宁;高宏伟;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C30B25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法及氮化铝材料。所述提高氮化铝材料晶体质量的外延生长方法包括：在衬底上生长形成氮化铝底层，在所述氮化铝底层上生长氮化铝孔洞形成层，同时在氮化铝孔洞形成层内形成复数个孔洞；在所述氮化铝孔洞形成层上生长氮化铝合并层，并使形成氮化铝合并层的材料在各孔洞顶部合并而原位形成空洞，且使所述空洞被包裹在氮化铝合并层内部，从而使在所述空洞之上形成的外延层具有平整无裂纹的表面。本发明的提高AlN材料质量的外延生长方法具有降低位错密度效果显著、可以同时抑制裂纹、工艺简单、适应性广等许多优点，从而生长更厚的无裂纹、高质量的AlN材料，完全适合应用于商业化生产。
提高氮化材料晶体质量外延生长方法

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