[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010035212.9 | 申请日： | 2020-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN113113464B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 清纯半导体（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 林韵英 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一导电类型半导体层；若干第一半导体区域，第一半导体区域是第二导电类型，设置在第一导电类型半导体层内，若干第一半导体区域在第一方向上延伸；若干第二半导体区域，第二半导体区域是第二导电类型，在第二方向延伸，设置在第一导电类型半导体层内且位于相邻的两个第一半导体区域之间，与相邻的两个第一半导体区域接触。本发明实施例提供的半导体器件，结场效应区和第二半导体区域的宽度可以调节，可以通过减小结场效应区的宽度来减小半导体器件的晶胞尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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