[发明专利]沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法有效
| 申请号： | 202010015337.5 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111192925B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了沟槽栅MOSFET功率半导体器件及其多晶硅填充方法和制造方法。该填充方法包括：在半导体衬底上的外延层中形成沟槽；在所述外延层表面和沟槽中形成绝缘层，所述绝缘层围绕沟槽形成第一空腔；对所述第一空腔顶部的部分绝缘层进行蚀刻以扩大所述第一空腔的开口宽度，形成第二空腔；在所述第二空腔中填充多晶硅层。本申请通过扩大第一空腔的开口后形成多晶硅层以消除多晶硅层中空洞或缝隙等缺陷，从而可以提高功率半导体器件的良率、可靠性和延长寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 功率 半导体器件 及其 多晶 填充 方法 制造 | ||
【主权项】：
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