[实用新型]一种无桥PFC升压整流器有效

专利信息
申请号: 200920262019.8 申请日: 2009-12-23
公开(公告)号: CN201682429U 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 胡永辉;黄立巍;黄庆义;弗兰克.赫尔特;武志贤 申请(专利权)人: 艾默生网络能源有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 518057 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种无桥PFC升压整流器,包括整流桥、储能电感和滤波电容,整流桥左上桥臂是一MOSFET双向开关,右下桥臂是一MOSFET管,左下桥臂与右上桥臂分别是一MOSFET双向开关和一MOSFET管,或者分别是一MOSFET管和一MOSFET双向开关;左上桥臂的MOSFET双向开关下面一个MOSFET管漏极,与左下桥臂的MOSFET管或MOSFET双向开关上面一个MOSFET管的漏极连接;右上桥臂的MOSFET双向开关下面一个MOSFET管或一MOSFET管的源极,与右下桥臂一个MOSFET管的漏极耦合。能减小导通损耗,提高整流器效率,且解决了反向恢复问题,能工作在电流不连续状态和电流连续状态下。
搜索关键词: 一种 pfc 升压 整流器
【主权项】:
一种无桥PFC升压整流器,包括由左上、右上、左下和右下四个桥臂组成的整流桥、串联连接在交流电源正向输出端与整流桥左上桥臂输入端之间的第一储能电感,串联连接在交流电源反向输出端与整流桥右下桥臂输入端之间的第二储能电感,以及连接在整流桥两输出端之间的滤波电容,所述左下桥臂包括一N沟道MOSFET管,所述右下桥臂包括一N沟道MOSFET管,其特征在于:所述左上桥臂由第一MOSFET管和第二MOSFET管串联再与第一快恢复二极管并联组成,所述第一MOSFET管和第二MOSFET管均为N沟道MOSFET管,两个MOSFET管通过源极串联,所述第二MOSFET管的漏极与所述左下桥臂的MOSFET管的漏极耦合;所述右上桥臂由第四MOSFET管和第五MOSFET管串联再与第二快恢复二极管并联组成,所述第四MOSFET管和第五MOSFET管均为N沟道MOSFET管,两个MOSFET管通过源极串联,所述第五MOSFET管的漏极与所述右下桥臂的MOSFET管的漏极耦合。
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