[发明专利]一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器有效
| 申请号： | 201910418846.X | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110266179B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 宋振浩;吴鸣;郑楠;吕志鹏;孙丽敬;季宇;李蕊;寇凌峰;赵婷 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00;H02M1/08;H02M7/00 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器，布局方法包括：SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8)；所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2)；所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3)，所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4)；所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接，用于通过控制SiC MOSFET驱动模块(2)驱动SiC MOSFET模块(1)。本发明将SiC MOSFET驱动模块直插于SiC MOSFET模块栅源极上，保证SiC MOSFET驱动模块与SiC MOSFET模块栅源极之间的连接满足SiC MOSFET模块的开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 变流器 布局 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET变流器的布局方法，其特征在于，包括：所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2)，所述SiC MOSFET模块(1)和SiC MOSFET驱动模块(2)位于同一平面；所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接，用于通过控制SiC MOSFET驱动模块(2)驱动SiC MOSFET模块(1)。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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