[发明专利]一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911096773.3 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN110690277A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李迈克 | 申请（专利权）人： | 中证博芯(重庆)半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 50218 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆祥维 |
| 地址： | 401573 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，N型轻掺杂单晶硅衬底表面顺序层叠有N型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、P型重掺杂Si | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 发射区层 台面 金属硅化物薄层 基区电极 发射区 刻蚀 帽层 发射区电极 集电区电极 表面覆盖 衬底表面 单晶硅层 电极窗口 硅基工艺 接触区域 截止频率 金属电极 器件制备 台面结构 基区层 集电区 台面型 肖特基 氧化层 衬底 基区 减小 沉积 兼容 申请 | ||
【主权项】：
1.一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件，其特征在于，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，所述N型轻掺杂单晶硅衬底的表面形成有N型重掺杂单晶硅层，所述N型重掺杂单晶硅层的表面形成有金属硅化物薄层，所述金属硅化物薄层的表面形成有P型重掺杂Si
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